Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MURS320T3G

MURS320T3G
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 9 0.59€ 0.72€
10 - 24 0.56€ 0.68€
25 - 49 0.53€ 0.65€
50 - 99 0.50€ 0.61€
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MURS320T3G. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Power Rectifiers. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 75A. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.875V. Tensione diretta Vf (min): 0.71V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Nota: serigrafia/codice CMS U3D. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 08:25.

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MBRS360T3G

MBRS360T3G

RoHS: sì. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: ...
MBRS360T3G
RoHS: sì. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Marcatura sulla cassa: B36. Equivalenti: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.74V. Tensione diretta Vf (min): 0.74V. VRRM: 60V. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)
MBRS360T3G
RoHS: sì. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Marcatura sulla cassa: B36. Equivalenti: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.74V. Tensione diretta Vf (min): 0.74V. VRRM: 60V. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)
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SS34-E3-57T

SS34-E3-57T

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Corrent...
SS34-E3-57T
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. RM (max): 20mA. RM (min): 500uA. Marcatura sulla cassa: SS34. Equivalenti: SS34-E3/9AT. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.5V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Numero di terminali: 2. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, montaggio superficiale. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
SS34-E3-57T
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. RM (max): 20mA. RM (min): 500uA. Marcatura sulla cassa: SS34. Equivalenti: SS34-E3/9AT. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.5V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Numero di terminali: 2. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, montaggio superficiale. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
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