Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MBRS360T3G

MBRS360T3G
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 9 0.60€ 0.73€
10 - 24 0.57€ 0.70€
25 - 49 0.54€ 0.66€
50 - 99 0.51€ 0.62€
100 - 249 0.47€ 0.57€
250 - 499 0.46€ 0.56€
500 - 1168 0.44€ 0.54€
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MBRS360T3G. RoHS: sì. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Marcatura sulla cassa: B36. Equivalenti: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.74V. Tensione diretta Vf (min): 0.74V. VRRM: 60V. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 08:25.

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Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Corrent...
SS36-E3
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. RM (max): 10mA. RM (min): 500uA. Marcatura sulla cassa: SS36. Equivalenti: SS36-E3/9AT. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.75V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V. VRRM: 60V. Numero di terminali: 2. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, montaggio superficiale. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
SS36-E3
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. RM (max): 10mA. RM (min): 500uA. Marcatura sulla cassa: SS36. Equivalenti: SS36-E3/9AT. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.75V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V. VRRM: 60V. Numero di terminali: 2. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, montaggio superficiale. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
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MBRS3100T3G

MBRS3100T3G

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzion...
MBRS3100T3G
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 130A. Marcatura sulla cassa: B310. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.79V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Spec info: Vf 0.79V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)
MBRS3100T3G
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 130A. Marcatura sulla cassa: B310. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.79V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Spec info: Vf 0.79V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)
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