SS36-E3, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm, 60V

SS36-E3, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm, 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.38€
5-49
0.33€
50-99
0.28€
100-199
0.25€
200+
0.20€
Quantità in magazzino: 807

SS36-E3, 3A, 100A, DO-214, DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm, 60V. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Diodo Trr (min.): -. Do: -. Equivalenti: SS36-E3/9AT. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, montaggio superficiale. Marcatura sulla cassa: SS36. Materiale semiconduttore: Sb. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. RM (max): 10mA. RM (min): 500uA. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.75V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:37

SS36-E3
21 parametri
Corrente diretta (AV)
3A
IFSM
100A
Alloggiamento
DO-214
Custodia (secondo scheda tecnica)
DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm
VRRM
60V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
Equivalenti
SS36-E3/9AT
Funzione
Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, montaggio superficiale
Marcatura sulla cassa
SS36
Materiale semiconduttore
Sb
Numero di terminali
2
Quantità per scatola
1
RM (max)
10mA
RM (min)
500uA
RoHS
Spec info
Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
Struttura dielettrica
Anodo-Catodo
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione di soglia Vf (max)
0.75V
Tensione diretta Vf (min)
0.75V
Prodotto originale del produttore
Vishay