Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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RGP10D. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore a commutazione rapida. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 200V. Nota: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.

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RGP10J

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Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. M...
RGP10J
Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore a commutazione rapida. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Nota: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore a commutazione rapida. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Nota: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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RGP10G

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Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. M...
RGP10G
Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore a commutazione rapida. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore a commutazione rapida. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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