Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Diodi Diodi standard e raddrizzatori

RGP15J

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1 - 4 0.66€ 0.81€
5 - 9 0.63€ 0.77€
10 - 24 0.61€ 0.74€
25 - 49 0.59€ 0.72€
50 - 99 0.58€ 0.71€
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RGP15J. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AC. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 50App/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Prodotto originale del produttore Vishay. Quantità in stock aggiornata il 04/09/2025, 04:56.

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RGP30M

RGP30M

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. VRRM:...
RGP30M
Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI, S. Nota: 125App/8.3ms. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB
RGP30M
Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI, S. Nota: 125App/8.3ms. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB
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RGP15M

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Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AC. VRRM: 1000V. Materiale semicondu...
RGP15M
Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AC. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 50App/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB
RGP15M
Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AC. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 50App/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB
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FR155

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Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore...
FR155
Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 60App/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB
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Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 60App/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB
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FR157

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Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-...
FR157
Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15. VRRM: 1000V. Do: 25pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
FR157
Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15. VRRM: 1000V. Do: 25pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
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1N4007
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FJP13009

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Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220. Cust...
FJP13009
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FJP13009H2

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Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220. Cust...
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1N4148

1N4148

Alloggiamento: DO35. VRRM: 100V. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.2A. Tipo di diodo: Switchin...
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1N5908

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Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo transitori...
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1N5408

Alloggiamento: DO-201. VRRM: 1000V. Corrente raddrizzata media per diodo: 3A. Tipo di diodo: diodo r...
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STF3NK80Z

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Transistor a canale N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ...
STF3NK80Z
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TIP122

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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. ...
TIP122
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TIP122
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Quantità in magazzino : 2299
FR207

FR207

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15...
FR207
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(0.23€ Iva esclusa)
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