Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

RGP10G

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RGP10G. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 400V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore a commutazione rapida. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 12:25.

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UF4007

UF4007

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 100...
UF4007
Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Ifsm [A]: 33A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 75 ns. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.7V @ 1A
UF4007
Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Ifsm [A]: 33A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 75 ns. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.7V @ 1A
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RGP10J

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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-2...
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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 600V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore a commutazione rapida. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Nota: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 600V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore a commutazione rapida. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Nota: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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