Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

1N4002

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1N4002. Alloggiamento: DO41. VRRM: 100V. Corrente raddrizzata media per diodo: 1A. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Configurazione del diodo: indipendente. Tensione diretta (massima): <1.1V / 1A. Tipo di montaggio: THT. Corrente di dispersione inversa: <50uA / 100V. Tempo di recupero inverso (max): 1500ns. Serie di prodotti: 1N40. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: DO-41 ( DO-204AL ). Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Prodotto originale del produttore DC Components. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 18:25.

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1N4007

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VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda te...
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VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 30Ap/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V
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VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 30Ap/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V
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1N4003

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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41...
1N4003
Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 200V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V
1N4003
Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 200V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V
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1N4005

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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41...
1N4005
Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V
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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V
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1N4004

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1N4003

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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41...
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Alloggiamento: DO41. VRRM: 100V. Corrente raddrizzata media per diodo: 1A. Tipo di diodo: diodo radd...
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Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente massima in uscita (A): 1.5A. Custodi...
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Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Tensione di...
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UF4007

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Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 100...
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IRFZ44N

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Transistor a canale N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 35A. ID (...
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BA159

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Alloggiamento: DO-41. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41...
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