Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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1N4003

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1N4003. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 200V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Prodotto originale del produttore DC Components. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 18:25.

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1N4007

1N4007

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1N4007
VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 30Ap/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V
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SUF4003
Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 5000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--27Ap. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V
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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V
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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V
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Transistor a canale N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 35A. ID (...
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