Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

SUF4003

SUF4003
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Qnéuantità (Set da 10) Iva esclusa IVA incl.
1 - 1 1.40€ 1.71€
2 - 2 1.33€ 1.62€
3 - 4 1.26€ 1.54€
5 - 9 1.24€ 1.51€
10 - 24 1.19€ 1.45€
25 - 49 1.06€ 1.29€
50 - 72 1.01€ 1.23€
Qnéuantità (Set da 10) U.P
1 - 1 1.40€ 1.71€
2 - 2 1.33€ 1.62€
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Set da 10

SUF4003. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 5000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--27Ap. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Prodotto originale del produttore Semikron. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 04:25.

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SUF4007

SUF4007

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-2...
SUF4007
Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 5000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--27Ap. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V
SUF4007
Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 5000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--27Ap. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V
Set da 10
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UF4003

UF4003

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 200...
UF4003
Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI-S. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB
UF4003
Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI-S. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB
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BZV85C6V8

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Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica)...
BZV85C6V8
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0.15€ IVA incl.
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CHV10NF2600V

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MF0207-6K20

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MF0207-6K20
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TNY264PN

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Nota: limitazione di corrente 250mA. Nota: frequenza di commutazione 132kHz. Numero di terminali: 7....
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SK09-20SA

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Fattore di temperatura: 15K/W. Configurazione: anodizzato. RoHS: sì. Larghezza: 20mm. Colore: nero...
SK09-20SA
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MF0207-1R10

MF0207-1R10

Resistenza, 1.1 Ohms, 0.6W. Resistenza: 1.1 Ohms. Potenza: 0.6W. Tolleranza: 1%. Serie: MF0207. Dime...
MF0207-1R10
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MF0207-1R10
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IRF530N

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Transistor a canale N, 12A, 17A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T...
IRF530N
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IRF530N
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