Diodi standard e raddrizzatori

Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 75A. RM (max): 1mA. RM (min): 0.5mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( SOT78 ). Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Funzione: Diodi raddrizzatori, ultraveloci, robusti. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. Corrente diretta (AV): 12.7A. IFSM: 150A. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-2. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.83V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Nota: GI S. Nota: 100App/10ms

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Numero di terminali: 2. Nota: GI S. Nota: 80App/10ms

Do: 45pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SWITCHMODE Power Rectifiers. Corrente diretta (AV): 8A. RM (max): 600uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Spec info: Ifsm 100A (t=8.3ms)

Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 88A. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.8V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: diodi raddrizzatori ultraveloci (max 25ns). Nota: Viso 2500V, Cisol 10pF. Unità di condizionamento: 50. Spec info: Ifsm--88A t=8.3mS

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Fast Avalanche Sinterglass Diode. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. RM (max): 46.4k Ohms. RM (min): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Nota: Diodo di commutazione e rettifica rapida. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms)

Do: 50pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Mesa Rectifiers. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. RM (max): 5uA. RM (min): 0.1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.9V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Nota: GI S. Nota: 100App/10ms

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 8A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220B. VRRM: 200V. Nota: SWITCHMODE Power Rectifiers. Nota: Ifsm 100A/10ms

Do: 85pF. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Raddrizzatori da valanga controllati a recupero rapido e morbido". Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 70A. RM (max): 150uA. RM (min): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.25V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--70App / 10mS

Do: 75pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 70A. RM (max): 150uA. RM (min): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.25V. VRRM: 800V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: Raddrizzatore da valanga controllato a recupero rapido e morbido. Spec info: IFSM--70Ap

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 0.36A. VRRM: 1600V. Nota: GI. Nota: BYX10GP

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.2A. VRRM: 350V. Nota: GI-S

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 10A. VRRM: 1200V. Nota: 11 mm, 6 lati. Nota: GI-L

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. VRRM: 300V. Nota: GI

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Circuito driver LED 20mA/45V. Corrente diretta (AV): 20mA. RoHS: sì. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 45V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Nota: driver LED a corrente costante. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità per scatola: 1. Spec info: per una dissipazione di 1W senza raffreddamento, max 25V

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Circuito driver LED 40mA/45V. Corrente diretta (AV): 40mA. RoHS: sì. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 45V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Nota: driver LED a corrente costante. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità per scatola: 1. Spec info: per una dissipazione di 1W senza raffreddamento, max 25V

Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky. Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 150A. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Spec info: Ifsm 150A (50Hz), Vf max 0.55V

Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky. Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 300A. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Spec info: Ifsm--300A (50Hz), Vf max--0.55V

Nota: Uf 0.98V. Nota: Ifsm--65App. Nota: Diodo a recupero ultra rapido

Struttura dielettrica: catodo comune. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ULTRA FAST DUAL DIODE. Corrente diretta (AV): 5A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--50A10mS. Spec info: IFSM--50A t=10mS

Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Funzione: diodo di potenza. Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 275A. Filettatura boccola: M5. Peso: 6g. Assemblaggio/installazione: vite. Alloggiamento: DO-4. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-4P. Temperatura di funzionamento: -25...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Spec info: 275App/10ms

Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Funzione: diodo di potenza. Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 275A. Filettatura boccola: M5. Peso: 6g. Assemblaggio/installazione: vite. Alloggiamento: DO-4. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-4P. Temperatura di funzionamento: -25...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: 275App/10ms

Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Funzione: diodo di potenza. Corrente diretta (AV): 40A. IFSM: 600A. Filettatura boccola: M6. Assemblaggio/installazione: vite. Alloggiamento: DO-5. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-5P. Temperatura di funzionamento: -25...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 800V. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Spec info: 600App/10ms