Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 3.5A. IFSM: 90A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Do: 190pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 30 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo in vetro sinterizzato Avalanche veloce . Data di produzione: 201412. RM (max): 100uA. RM (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: BYV28-200. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.89V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS

Corrente diretta (AV): 3.1A. IFSM: 90A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Do: 125pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra fast low-loss controlled avalanche rect.. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.93V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS

Corrente diretta (AV): 9A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC ( SOD59 ). VRRM: 500V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. RM (max): 50uA. RM (min): 2uA. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 0.9V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 110Ap t=8.3ms

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 125A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT78 (TO-220AB). VRRM: 200V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ULTRA FAST. Marcatura sulla cassa: BYV32E-200. Equivalenti: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.85V. Tensione diretta Vf (min): 0.72V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: catodo comune. Spec info: Ifsm 125A t=10ms

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB, SOT78. VRRM: 500V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. Marcatura sulla cassa: BYV34-500. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Spec info: Ifsm 120A t=10ms, 132A t=8.3ms

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 1000V. Do: 15pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatori veloci Mesa al silicio. Data di produzione: 2013/40. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms)

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 75A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 150V. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 1mA. RM (min): 0.5mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: catodo comune. Funzione: Diodi raddrizzatori, ultraveloci, robusti. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 75A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 1mA. RM (min): 0.5mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Funzione: Diodi raddrizzatori, ultraveloci, robusti. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode

Corrente diretta (AV): 12.7A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-2. VRRM: 200V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.83V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Nota: GI S. Nota: 100App/10ms

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Nota: GI S. Nota: 80App/10ms

Corrente diretta (AV): 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Do: 45pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SWITCHMODE Power Rectifiers. RM (max): 600uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V. Numero di terminali: 2. Spec info: Ifsm 100A (t=8.3ms)

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 88A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 200V. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.8V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: diodi raddrizzatori ultraveloci (max 25ns). Nota: Viso 2500V, Cisol 10pF. Unità di condizionamento: 50. Spec info: Ifsm--88A t=8.3mS

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Fast Avalanche Sinterglass Diode. RM (max): 46.4k Ohms. RM (min): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Nota: Diodo di commutazione e rettifica rapida. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms)

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Do: 50pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Mesa Rectifiers. RM (max): 5uA. RM (min): 0.1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.9V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Nota: GI S. Nota: 100App/10ms

Corrente diretta (AV): 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220B. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Nota: SWITCHMODE Power Rectifiers. Nota: Ifsm 100A/10ms

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 70A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Do: 85pF. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Raddrizzatori da valanga controllati a recupero rapido e morbido". RM (max): 150uA. RM (min): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.25V. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--70App / 10mS

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 70A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Do: 75pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 150uA. RM (min): 1uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.25V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: Raddrizzatore da valanga controllato a recupero rapido e morbido. Spec info: IFSM--70Ap

Corrente diretta (AV): 0.36A. VRRM: 1600V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI. Nota: BYX10GP

Corrente diretta (AV): 1.2A. VRRM: 350V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI-S

Corrente diretta (AV): 10A. VRRM: 1200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 11 mm, 6 lati. Nota: GI-L

Corrente diretta (AV): 1A. VRRM: 300V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI

Corrente diretta (AV): 20mA. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Circuito driver LED 20mA/45V. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Nota: driver LED a corrente costante. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità per scatola: 1. Spec info: per una dissipazione di 1W senza raffreddamento, max 25V

Corrente diretta (AV): 40mA. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Circuito driver LED 40mA/45V. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Nota: driver LED a corrente costante. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità per scatola: 1. Spec info: per una dissipazione di 1W senza raffreddamento, max 25V