Diodi standard e raddrizzatori

Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 550A. RoHS: sì. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Recupero veloce . Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 166W. Spec info: 480Ap t=10ms, TVJ=150°C. Peso: 5.6g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 500A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 1000V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Recupero veloce . Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 189W. RoHS: sì. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.8V

Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 300A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Do: sì. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 35 ns. Raddoppiare: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Recupero veloce . RM (max): 100uA. RM (min): 50uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Diodo epitassiale (FRED)". Tensione di soglia Vf (max): 1.6V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V

Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 200A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.74V. Tensione diretta Vf (min): 1.78V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo recupero graduale . RM (max): 1mA. RM (min): 250uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 165W. Spec info: 200Ap t=10ms, TVJ=45°C

Corrente diretta (AV): 70A. IFSM: 500A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo recupero graduale . RM (max): 2.5mA. RM (min): 650uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.66V. Tensione diretta Vf (min): 1.74V

Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 500A. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247. VRRM: 1200V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 10. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo recupero graduale . RM (max): 2.5mA. RM (min): 650uA. Configurazione: custodia isolata, senza foratura. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. RoHS: sì. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.66V. Tensione diretta Vf (min): 1.74V

Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 1600V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Standard Rectifier. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: gamba centrale (catodo D1, anodo D2, in serie). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.16V

Corrente diretta (AV): 6A. Corrente diretta (RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1500V. Diodo Trr (min.): 75 ns. Varie: Diodo smorzatore ad alta tensione. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: CRT Horizontal Deflection. RM (max): 1mA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 2.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V

Corrente diretta (AV): 0.8A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SPEC.SONY DIODA. Nota: SONY 871904678

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Raddrizzatori ad alta efficienza. Nota: 30Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 2A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 2A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2x2.7 ). VRRM: 1600V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 30Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

VRRM: 200V. Corrente raddrizzata media per diodo: 2A. Tipo di diodo: Switching. Configurazione del diodo: indipendente. Tipo di montaggio: SMD. Tempo di recupero inverso (max): 35ns. Serie: ER2

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB / DO214AA. VRRM: 600V. Do: 15pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 300uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tr: 75 ns. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione diretta Vf (min): 1.7V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC / DO214AB. VRRM: 600V. Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 300uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tr: 75 ns. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione diretta Vf (min): 1.7V

VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SAMSUNG. Nota: B29-04.79

Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI, S

Corrente diretta (AV): 3A. VRRM: 1500V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 9x7mm. Nota: MONITOR DAMP. Nota: D09.15

VRRM: 200V. Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Diodo raddrizzatore a montaggio superficiale super veloce. Nota: 30App/8,3 ms, marcatura SMD ES1D. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD)

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Diodo raddrizzatore a montaggio superficiale super veloce. Nota: 30App/8,3 ms, marcatura SMD ES1G. Numero di terminali: 2

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Diodo raddrizzatore a montaggio superficiale super veloce. Nota: 30App/8,3 ms, marcatura SMD ES1J. Numero di terminali: 2

Corrente diretta (AV): 30A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. VRRM: 40V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: doppio diodo al silicio. Nota: Diodo Schottky. Nota: Ifsm--250A. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 80A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3FP. VRRM: 1500V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Diodo Trr (min.): 0.15us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore ad altissima velocità a basse perdite. Nota: DAMPER +MODULATION. Marcatura sulla cassa: CO23M-15 (C023M-15). Numero di terminali: 3. Spec info: IFSM--50/80Ap, t=10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 3V. Tensione diretta Vf (min): 1.8V

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 200V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: ULTRA FAST ->l<-. Nota: Ifsm--50A/10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB