Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI S. Nota: 100App/10ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI S. Nota: 80App/10ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Do: 45pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SWITCHMODE Power Rectifiers. RM (max): 600uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 100A (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 88A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 200V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodi raddrizzatori ultraveloci (max 25ns). Nota: Viso 2500V, Cisol 10pF. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--88A t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.8V

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Fast Avalanche Sinterglass Diode. Nota: Diodo di commutazione e rettifica rapida. RM (max): 46.4k Ohms. RM (min): 1uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Do: 50pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Mesa Rectifiers. RM (max): 5uA. RM (min): 0.1uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.9V

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI S. Nota: 100App/10ms. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220B. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SWITCHMODE Power Rectifiers. Nota: Ifsm 100A/10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 70A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Do: 85pF. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Raddrizzatori da valanga controllati a recupero rapido e morbido". RM (max): 150uA. RM (min): 1uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--70App / 10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.25V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 70A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Do: 75pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore da valanga controllato a recupero rapido e morbido. RM (max): 150uA. RM (min): 1uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--70Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.25V

Corrente diretta (AV): 0.36A. VRRM: 1600V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI. Nota: BYX10GP

Corrente diretta (AV): 1.2A. VRRM: 350V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI-S

Corrente diretta (AV): 10A. VRRM: 1200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 11 mm, 6 lati. Nota: GI-L. Nota: Thread m5

Corrente diretta (AV): 1A. VRRM: 300V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI

Corrente diretta (AV): 20mA. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Circuito driver LED 20mA/45V. Nota: driver LED a corrente costante. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: per una dissipazione di 1W senza raffreddamento, max 25V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Corrente diretta (AV): 40mA. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Circuito driver LED 40mA/45V. Nota: driver LED a corrente costante. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: per una dissipazione di 1W senza raffreddamento, max 25V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. VRRM: 40V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky. Numero di terminali: 3. Spec info: Ifsm 150A (50Hz), Vf max 0.55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.55V

Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 300A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. VRRM: 40V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky. Numero di terminali: 3. Spec info: Ifsm--300A (50Hz), Vf max--0.55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.55V

Nota: Uf 0.98V. Nota: Diodo a recupero ultra rapido. Nota: Ifsm--65App

Corrente diretta (AV): 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ULTRA FAST DUAL DIODE. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--50A10mS. Numero di terminali: 3. Spec info: IFSM--50A t=10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 275A. Alloggiamento: DO-4. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-4P. VRRM: 600V. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Funzione: diodo di potenza. Filettatura boccola: M5. Spec info: 275App/10ms. Peso: 6g. Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -25...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 275A. Alloggiamento: DO-4. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-4P. VRRM: 600V. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Funzione: diodo di potenza. Filettatura boccola: M5. Spec info: 275App/10ms. Peso: 6g. Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -25...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 40A. IFSM: 600A. Alloggiamento: DO-5. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-5P. VRRM: 800V. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Funzione: diodo di potenza. Filettatura boccola: M6. Spec info: 600App/10ms. Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -25...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 40A. IFSM: 600A. Alloggiamento: DO-5. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-5P. VRRM: 800V. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Funzione: diodo di potenza. Filettatura boccola: M6. Spec info: 600App/10ms. Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -25...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Alloggiamento: DO-205. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-205AC. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Nota: DO-8P invertito, filettatura M12. Nota: Alloggiamento filettato Anode, (alta corrente)