Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

EGP10B

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Qnéuantità (Set da 10) Iva esclusa IVA incl.
1 - 1 1.03€ 1.26€
2 - 2 0.98€ 1.20€
3 - 4 0.93€ 1.13€
5 - 9 0.87€ 1.06€
10 - 12 0.82€ 1.00€
Qnéuantità (Set da 10) U.P
1 - 1 1.03€ 1.26€
2 - 2 0.98€ 1.20€
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5 - 9 0.87€ 1.06€
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Set da 10

EGP10B. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Numero di terminali: 2. Nota: 30Ap/8.3ms. Nota: Raddrizzatori ad alta efficienza. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.

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UF4003

UF4003

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio ...
UF4003
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S
UF4003
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S
Set da 10
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BYV26C

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Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 30 ns. Materiale semiconduttore: si...
BYV26C
Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 30 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Ripristino graduale rapido". Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms
BYV26C
Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 30 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Ripristino graduale rapido". Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms
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EGP20D

EGP20D

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 2A. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero ...
EGP20D
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 2A. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V
EGP20D
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 2A. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V
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1N5711

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1N5822

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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky. Alloggiamento: saldatura PCB. Allog...
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Do: 110pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: SCHOTTKY BAR...
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