Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BYV26C

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25 - 49 0.47€ 0.57€
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BYV26C. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 30 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Ripristino graduale rapido". Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Prodotto originale del produttore Vishay. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 15:25.

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UF4006

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Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 800...
UF4006
Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI-S. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB
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Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI-S. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB
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UF4007

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Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 100...
UF4007
Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI-S. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Ifsm [A]: 33A. Tensione diretta Vfmax (V): 1.7V @ 1A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 75 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
UF4007
Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI-S. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Ifsm [A]: 33A. Tensione diretta Vfmax (V): 1.7V @ 1A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 75 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C
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MUR160

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MUR160
Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore per la commutazione dell alimentazione. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--35App. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.05V
MUR160
Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore per la commutazione dell alimentazione. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--35App. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.05V
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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecn...
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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Ripristino graduale rapido". Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Ripristino graduale rapido". Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
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