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ES1G

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Qnéuantità (Set da 5) Iva esclusa IVA incl.
1 - 2 0.77€ 0.94€
3 - 4 0.74€ 0.90€
5 - 9 0.70€ 0.85€
10 - 19 0.66€ 0.81€
20 - 49 0.62€ 0.76€
50 - 99 0.58€ 0.71€
100 - 103 0.51€ 0.62€
Qnéuantità (Set da 5) U.P
1 - 2 0.77€ 0.94€
3 - 4 0.74€ 0.90€
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Set da 5

ES1G. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Nota: 30App/8,3 ms, marcatura SMD ES1G. Numero di terminali: 2. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 400V. Nota: Diodo raddrizzatore a montaggio superficiale super veloce. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.

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ES1J

ES1J

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Nota: 30App/8,3 ms, marcatura SMD ES1J...
ES1J
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Nota: 30App/8,3 ms, marcatura SMD ES1J. Numero di terminali: 2. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 600V. Nota: Diodo raddrizzatore a montaggio superficiale super veloce
ES1J
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Nota: 30App/8,3 ms, marcatura SMD ES1J. Numero di terminali: 2. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 600V. Nota: Diodo raddrizzatore a montaggio superficiale super veloce
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ELC470UF100P-105-H
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Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 12A....
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NTD3055-094T4G
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Quantità in magazzino : 137
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