Diodi standard e raddrizzatori

Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 60App/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15. VRRM: 600V

Do: 25pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 60A. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AC ( SMA ). VRRM: 1000V. Spec info: 30App/10ms

Do: 30pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST RECOVERY RECTIFIER. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 60A. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Nota: FAST RECOVERY RECTIFIER. Nota: IFSM--200Ap/8.3mS. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V

Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Nota: 100App/10ms. Numero di terminali: 2. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AB ( SMC ). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. VRRM: 200V

Do: 60pF. Diodo Trr (min.): 500 sn. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST RECOVERY RECTIFIER. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AB ( SMC ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 100App / 8.3ms

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO214AB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=10ms)

Do: 100pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 200A. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS

Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Recovery Rectifier. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 150A. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.1x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 400V

Do: 3pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 2us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Raddrizzatore a giunzione passivato in vetro ad alta tensione". Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 15A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 3V. Tensione diretta Vf (min): 3V. VRRM: 4000V. Spec info: IFSM--15App/8.3mS

Do: 25pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Equivalenti: HER103G. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2

Do: 25pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Equivalenti: HER105G. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Numero di terminali: 2

Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Equivalenti: HER108G. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2

Do: 70pF. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 150A di picco. RM (max): 150uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 (5.6 x 9.5mm). Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Nota: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms

Do: 80pF. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 125A. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Peso: 1.1g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 300V. Numero di terminali: 2. Nota: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms

Do: 70pF. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 150A. RM (max): 150uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 (9.5x5.6mm). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Numero di terminali: 2. Nota: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Quantità per scatola: 1. Peso: 0.4g. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms

Do: 80pF. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 125A. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Peso: 1.1g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Nota: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms

Do: 65pF. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 150A. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 (8.8x7mm). Tr: 75 ns. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: 150Ap/8.3ms

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 14W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 600V. Nota: Ultrafast. Nota: Ifsm--60Aps

Do: 10pF. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 18 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Soft Recovery Diode. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 60A. Marcatura sulla cassa: HFA08TB60. Equivalenti: 39.2k Ohms. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-2. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: IFRM 24A