Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220/2. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Nota: SAMSUNG CHASS.KS3A D802

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Nota: SAMSUNG. Nota: -RECTIFIER

Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Nota: 0402-000491. Nota: YG911S2. Nota: -RECTIFIER

Corrente diretta (AV): 2.5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Nota: SAMSUNG 0402-000431. Nota: diodo raddrizzatore

Custodia (secondo scheda tecnica): TOP-3P. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Nota: DAMPER +MODULATION. Nota: doppio diodo al silicio

Corrente diretta (AV): 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 1500V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Nota: Diodo Schottky. Nota: Ifsm--50A. Nota: doppio diodo al silicio

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: "Raddrizzatori a recupero rapido". Nota: 30App/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 200V. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Raddrizzatori a recupero rapido". RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Spec info: 30App/8.3ms

Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15. VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 60App/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 60App/8.3ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15. VRRM: 1000V. Do: 25pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS

Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AC ( SMA ). VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 30App/10ms

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 1000V. Do: 30pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST RECOVERY RECTIFIER. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: FAST RECOVERY RECTIFIER. Nota: IFSM--200Ap/8.3mS. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 200V. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. Nota: 100App/10ms. Numero di terminali: 2. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 600V. Do: 60pF. Diodo Trr (min.): 500 sn. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST RECOVERY RECTIFIER. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifsm 100App / 8.3ms

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO214AB. VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=10ms)

Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). VRRM: 1000V. Do: 100pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 150A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.1x5.2mm ). VRRM: 600V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Recovery Rectifier. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms

Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio

Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 15A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 4000V. Do: 3pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 2us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Raddrizzatore a giunzione passivato in vetro ad alta tensione". Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 3V. Tensione diretta Vf (min): 3V. Spec info: IFSM--15App/8.3mS

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 200V. Do: 25pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Equivalenti: HER103G. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Numero di terminali: 2