Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 250A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 45V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Doppio diodo Schottky. RM (max): 60mA. RM (min): 1mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--250Ap, t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.72V. Tensione diretta Vf (min): 0.6V

Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 250A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 60V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Doppio diodo Schottky. RM (max): 60mA. RM (min): 1mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--250Ap, t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.75V. Tensione diretta Vf (min): 0.65V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 100V. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 1500. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Marcatura sulla cassa: B3100. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.79V. Tensione diretta Vf (min): 0.69V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 60V. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 1500. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Marcatura sulla cassa: B340. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Spec info: IFMS 80App/8.3ms, 60Hz. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.85V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 60V. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 1500. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: Sb. Marcatura sulla cassa: B360. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.08V. Tensione diretta Vf (min): 0.6V

Corrente diretta (AV): 40A. IFSM: 80A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220 CASE 221A. VRRM: 250V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Schottky a commutazione, raddrizzatore di potenza. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.97V. Tensione diretta Vf (min): 0.71V

Corrente diretta (AV): 40A (2x20A). IFSM: 400A (2x200A). Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 45V. Quantità per scatola: 2. Materiale dielettrico: catodo comune. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.8V. Tensione diretta Vf (min): 0.7V

Corrente diretta (AV): 7.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 45V. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: diodo per la commutazione dell alimentazione. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 7.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 60V. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: diodo per la commutazione dell alimentazione. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Corrente diretta [A]: 2 X 3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky, assemblaggio SMD. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Ifsm [A]: 75A. Tensione diretta Vfmax (V): 0.7V @ 3A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 50V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 0.1mA..15mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 75A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): Dpak-3. VRRM: 35V. Funzione: "Schottky di potenza ad alta tensione". RM (max): 35mA. RM (min): 1.4mA. Marcatura sulla cassa: 853LG. RoHS: sì. Diodo Schottky?: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.51V. Tensione diretta Vf (min): 0.41V

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 100V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Nota: doppio diodo al silicio. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 150Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO-214AA. VRRM: 40V. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: Vf 0.6V/1A. Nota: serigrafia/codice SMD B14L. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD)

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO214AA. VRRM: 90V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. Marcatura sulla cassa: B19. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD B19. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.75V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 130A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 100V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: B310. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.79V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V. Spec info: Vf 0.79V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 5mA. RM (min): 1mA. Marcatura sulla cassa: B320. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Vf 0.84V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.84V. Tensione diretta Vf (min): 0.84V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 30 v. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: B33. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Vf 0.50V/3A, (If=3.0A, TJ=25°C). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.5V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 40V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: B34. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Vf 0.525V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.525V. Tensione diretta Vf (min): 0.525V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB CASE 403A-03 ( 4.32x3.56mm ). VRRM: 60V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: B36. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.74V. Tensione diretta Vf (min): 0.74V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 60V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: B36. Equivalenti: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.74V. Tensione diretta Vf (min): 0.74V

Corrente diretta (AV): 75A. IFSM: 1200A. Alloggiamento: TO-240. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-240AA. VRRM: 1200V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: modulo diodo, "Diodo epitassiale a recupero rapido (FRED)". Nota: Ifsm--TVJ=45°C; t=10ms (50 Hz) 1200A. Nota: dimensioni 92x20,8x30 mm. Nota: Modulo a 2 diodi. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: isolamento 3600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.58V. Tensione diretta Vf (min): 1.8V

Corrente diretta (AV): 880A. IFSM: n/a. VRRM: 400V. Piedinatura: Viti M6 (x3). Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 220 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Modulo diodo di rete, alta corrente. Numero di terminali: 3. Dimensioni: 94x34x30mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1100W. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--Tvj=25°C, tP=10ms 13000A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Isolamento elettrico: 3600V, 50/60Hz. Tecnologia: diodo a doppio catodo comune (HiPerFREDTM). Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23-3. VRRM: 100V. Do: 4pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: anodo comune. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ifsm--2A t=1us, 1A t=1s. Nota: CT--4pF (VR=0V, f=1.0MHz). Nota: serigrafia/codice SMD D6. RM (max): 5uA. RM (min): 25nA. Marcatura sulla cassa: D6. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1V

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 300A. VRRM: 800V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: diametro 8 mm x 7,5 mm. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V

Corrente diretta (AV): 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: ScanSwitch. Nota: IFSM 100Aps. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB