Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

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Audio (307)Automazione (19)Cavi (1760)Componenti passivi (10159)Computer (56)Connettori (5643)Contenitori per elettronica (1202)Elettronica per il tempo libero (529)Energia (1281)Interruttori (926)Optoelettronica (1955)Parti meccaniche (423)Protezione elettrica (1131)Raffreddamento (750)Relè (843)Riparazione (942)Semiconduttori (14316)Trasformatori (547)Utensili (1365)

Categorie di Prodotto :

Componenti passivi

Contenitori per elettronica

Elettronica per il tempo libero

Optoelettronica

Parti meccaniche

Protezione elettrica

Semiconduttori Diodi

Diodi standard e raddrizzatori

Diodi standard e raddrizzatori

30 v (10)

4 v (2)

15V (1)

20V (4)

25V (1)

30V (1)

35V (4)

40V (33)

45V (14)

50V (9)

60V (23)

70V (4)

75V (4)

80V (4)

85V (2)

90V (5)

100V (42)

125V (1)

150V (7)

170V (1)

200V (66)

250V (4)

300V (11)

350V (2)

400V (32)

500V (5)

530V (1)

600V (73)

650V (1)

800V (23)

1000V (50)

1200V (24)

1300V (1)

1500V (18)

1600V (6)

2000V (2)

4000V (1)

12000V (2)

16000V (1)

10A/diode (2)

120Ap / 8.3ms (1)

150A di picco (1)

150Ap / 8.3ms (1)

155A / 50Hz, 180A / 60Hz (1)

2 X 3A (1)

2x100A (1)

2x123A (1)

2x91A (1)

2x96A (1)

400A (2x200A) (1)

40A (2x20A) (1)

50A / 10mS (1)

800 A (tp=5us), 70 A (tp=10ms) (1)

80A (tp=10ms) (1)

n/a (1)

0.1A (5)

0.115A (2)

0.15A (1)

0.2A (13)

0.25A (5)

0.3A (2)

3.3mA (1)

0.36A (1)

0.5A (7)

0.6A (7)

0.75A (2)

0.8A (3)

1A (76)

1.2A (3)

1.25A (1)

1.3A (3)

1.4A (1)

1.5A (16)

15mA (3)

20mA (4)

2A (40)

2.3A (1)

2.5A (2)

30mA (2)

3A (71)

3.1A (1)

3.5A (2)

40mA (1)

4A (10)

50mA (1)

5A (39)

6A (11)

7.5A (5)

8A (26)

9A (1)

100mA (1)

10A (26)

11A (1)

120mA (1)

12A (5)

12.7A (1)

130mA (2)

150mA (3)

15A (19)

15.9A (1)

16A (6)

19A (1)

200mA (9)

20A (19)

215mA (1)

250mA (2)

25A (5)

27A (3)

28A (1)

300mA (2)

30A (44)

350mA (1)

35A (6)

37A (2)

400mA (1)

40A (18)

45A (2)

500mA (7)

50A (38)

52A (1)

55A (1)

600mA (3)

60A (16)

62A (9)

625mA (1)

70A (13)

750mA (1)

75A (14)

80A (24)

88A (1)

90A (3)

100A (32)

110A (9)

125A (8)

130A (1)

150A (26)

155A (1)

165A (2)

180A (2)

200A (12)

220A (1)

225A (1)

250A (6)

255A (1)

265A (1)

270A (1)

275A (4)

280A (1)

300A (12)

310A (1)

325A (1)

330A (2)

340A (1)

350A (1)

375A (2)

400A (6)

500A (8)

550A (1)

570A (9)

600A (4)

800A (2)

850A (1)

880A (1)

900A (1)

1200A (7)

1500A (1)

1600A (1)

2500A (1)

60.4k Ohms (6)

063 (1)

318–08, SOT–23 (TO–236AB) (1)

3x12mm (2)

425AB SMA (3.8x1.9mm) (1)

7.3x22mm (1)

A-405 (5.2x2.7mm) (1)

CASE 59-10 (7.3x3.4mm) (1)

D-PAK (1)

D-PAK ( TO-252 ) (4)

D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05 (1)

D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03 (3)

D2A ( 4.0x7.2mm ) (1)

D2PAK ( TO-263 ) (5)

DO-15 (30)

DO-15 ( 2.7x5.2mm ) (1)

DO-15 ( 3.2x6.7mm ) (4)

DO-15 ( 3.2x7.2mm ) (5)

DO-15 ( 3.3x6.4mm ) (3)

DO-15 ( 3.5x7.5mm ) (3)

DO-15 ( 6.0x3.4mm ) (1)

DO-15 ( 6.3x3.0mm ) (2)

DO-15 ( 7.6x3.6mm ) (3)

DO-15 ( DO-204AC ) 6.35x3.0mm (1)

DO-201 (48)

DO-201 ( 4.4x7.5mm ) (1)

DO-201 ( 4.5x7.5mm ) (2)

DO-201 ( 6.5x8.0mm ) (1)

DO-201 ( 7.5x5.4mm ) (6)

DO-201 ( 9.5x5.0mm ) (3)

DO-201AD (11)

DO-201AD ( 4.5x7.5mm ) (2)

DO-201AD ( 5.3x9.0mm ) (4)

DO-201AD ( 5.6x10mm ) (1)

DO-201AD ( 7.5x5.4mm ) (2)

DO-201AD ( 8.8x5.1mm ) (3)

DO-201AD ( 9.0x5.3mm ) (2)

DO-201AD ( 9.1x5.2mm ) (1)

DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ) (1)

DO-201AD ( 9.2x5.3mm ) (1)

DO-201AD ( 9.5x5.3mm ) (1)

DO-201AD 8x6mm (1)

DO-201AD DO-27 ( 5.2x9mm ) (1)

DO-203AB (13)

DO-203AB ( DO-5 ) (15)

DO-204 (8)

DO-204AC (3)

DO-204AL ( 2.7x5.2mm ) (3)

DO-204AL ( 5.2x2.7mm ) (1)

DO-204AP (1)

DO-205 (3)

DO-205AC (1)

DO-213 (4)

DO-213AB ( 2.5x5mm ) (4)

DO-214 (48)

DO-214AA (1)

DO-214AA (SMB) 4.57x3.94mm (1)

DO-214AB ( SMC ) (2)

DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm (2)

DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm (2)

DO-214AC (1)

DO-214AC ( SMA ) (1)

DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm (3)

DO-247 (2)

DO-27 (14)

DO-27 ( 5.2x8.0mm ) (1)

DO-27 ( 6.5x8.0mm ) (3)

DO-27 ( 9.2x5.2mm ) (4)

DO-27 ( 9x5.3mm ) (1)

DO-27 (5.4x7.5mm) (1)

DO-27 (5.6 x 9.5mm) (1)

DO-27 (9.5x5.6mm) (1)

DO-27( 5.5x9.5mm ) (2)

DO-34 (1)

DO-34 ( 1.6x3.04 ) (1)

DO-34 ( 3.4x1.6mm ) (1)

DO-34 ( SOD68 ) (3)

DO-35 (19)

DO-35 ( 1.6x3.9mm ) (1)

DO-35 ( SOD27 ) (19)

DO-4 (2)

DO-41 (46)

DO-41 ( 2.5x4.8mm ) (2)

DO-41 ( 2.6x4.8mm ) (1)

DO-41 ( 2.6x4.9mm ) (1)

DO-41 ( 2.7x5.0mm ) (1)

DO-41 ( 5.0x2.7mm ) (1)

DO-41 ( 5.2X2.7mm ) (6)

DO-41 ( 5.2x2.7 ) (1)

DO-41 ( DO-204AL ) (11)

DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ) (1)

DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ) (1)

DO-4P (2)

DO-5 (2)

DO-5P (2)

DO41 (2)

Dpak-3 (1)

ISOPLUS247 (1)

ISOPLUS247 ( TO-247 ) (1)

ISOTOP (1)

ISOTOP ( SOT227B ) (7)

ISOWATT TO-220AC (1)

P-600 (1)

P600 ( 8x7.5mm ) (1)

POWERTAB (3)

R-6 (8)

R-6 ( 8.9x8.8mm ) (1)

R-6 ( 8x7.5mm ) (3)

R-6 ( 9.1x7.2mm ) (1)

R-6 ( 9x9mm ) (1)

R-6 (8.8x7mm) (1)

R-6 (9.1x9.1mm) (1)

SMA (1)

SMA (4.6x2.8 mm) (1)

SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ) (2)

SMA DO214AC (3)

SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ) (1)

SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ) (7)

SMB (1)

SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ) (2)

SMB / DO214AA (1)

SMB CASE 403A-03 ( 4.32x3.56mm ) (1)

SMB DO-214AA (1)

SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ) (2)

SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ) (1)

SMB DO214AA (2)

SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ) (1)

SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ) (2)

SMC (8,1x6,2x2,6 mm) (1)

SMC / DO214AB (1)

SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ) (5)

SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ) (2)

SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ) (1)

SMC DO214AB (1)

SMD 0805 (1)

SOD-123 (5)

SOD-323 (8)

SOD-323 ( 1.7x1.25mm ) (1)

SOD-323F (2)

SOD-523 (2)

SOD-57 (1)

SOD-57 ( Glass ) (11)

SOD-57 Glass (8)

SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ) (1)

SOD-57 Glass passivated (2)

SOD-64 ( Glass ) (13)

SOD-64 Glass (12)

SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ) (1)

SOD-80 (1)

SOD-80 ( 3.4x1.6mm ) (1)

SOD-80 ( 3.5x1.5mm ) (1)

SOD-80C (1)

SOD-81 (6)

SOD123 (2)

SOD123 ( 2.85x1.7mm ) (1)

SOD123W SMA (2.9x1.9mm) (2)

SOT-143 (1)

SOT-143B (1)

SOT-23 (3)

SOT-23 ( TO-236 ) (16)

SOT-23 ( TO236 ) (10)

SOT-23-3 (1)

SOT-23L (1)

SOT-323 (3)

SOT323 (1)

SOT78 (TO-220AB) (1)

T0-220AB (1)

T0-220FPAB (1)

TO-220 (85)

TO-220 CASE 221A (1)

TO-220-2 (1)

TO-220-2 (TO-220AC) (1)

TO-220/2 (2)

TO-220A-2P (1)

TO-220AB (17)

TO-220AB ( SOT78 ) (4)

TO-220AB, SOT78 (1)

TO-220AC (33)

TO-220AC ( SOD59 ) (1)

TO-220AC-2 (4)

TO-220AC-2P (1)

TO-220AC-3P (4)

TO-220B (1)

TO-220F (10)

TO-220F-2L (3)

TO-220F-3 (1)

TO-220FN (1)

TO-220FP (21)

TO-220FP-3 (1)

TO-220FPAC (2)

TO-220L (1)

TO-240 (1)

TO-240AA (1)

TO-247 (28)

TO-247-2 (1)

TO-247-2LD, CASE 340CL (1)

TO-247AC (3)

TO-247AC 3L (2)

TO-247AD (15)

TO-252 (1)

TO-252A ( Dpak ) (1)

TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ) (2)

TO-263 (2)

TO-263 ( D2PAK ) (1)

TO-3FP (1)

TO-3P (5)

TO-3P ( TO-218 SOT-93 ) (6)

TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) (1)

TO220-3 (1)

TOP-3P (1)

TS-1 ( 2.5x3.3mm ) (1)

saldatura PCB (1)

saldatura PCB (SMD) (5)

12.7k Ohms (4)

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MUR6060

MUR6060

Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 550A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO...

MUR6060

Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 550A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SWITCHMODE Power Rectifiers. Marcatura sulla cassa: MUR 6060. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. Numero di terminali: 2. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Nota: Diodo a recupero ultra rapido

MUR6060

Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 550A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SWITCHMODE Power Rectifiers. Marcatura sulla cassa: MUR 6060. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. Numero di terminali: 2. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Nota: Diodo a recupero ultra rapido

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MUR8100

MUR8100

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MUR8100

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. Marcatura sulla cassa: U8100E. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Nota: diodo raddrizzatore ultraveloce

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Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. Marcatura sulla cassa: U8100E. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Nota: diodo raddrizzatore ultraveloce

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MUR820

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. Marcatura sulla cassa: U820. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.975V. Tensione diretta Vf (min): 0.895V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Nota: diodo raddrizzatore ultraveloce

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Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: MUR860. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: diodo raddrizzatore per la commutazione dell alimentazione. Spec info: diodo raddrizzatore ultraveloce

MUR860

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: MUR860. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: diodo raddrizzatore per la commutazione dell alimentazione. Spec info: diodo raddrizzatore ultraveloce

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MUR860G

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Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: U860. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: diodo raddrizzatore ultraveloce

MUR860G

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: U860. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: diodo raddrizzatore ultraveloce

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1.68€

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MUR880

MUR880

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-...

MUR880

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 800V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. Marcatura sulla cassa: U880E. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Nota: diodo raddrizzatore ultraveloce

MUR880

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 800V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. Marcatura sulla cassa: U880E. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Nota: diodo raddrizzatore ultraveloce

Set da 1

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MURS120T3G

MURS120T3G

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 40A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB ...

MURS120T3G

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 40A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. Diodo Tff(25°C): 25 ns. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Power Rectifiers. RM (max): 50uA. RM (min): 2uA. Marcatura sulla cassa: U1D. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.875V. Tensione diretta Vf (min): 0.71V. Numero di terminali: 2. Nota: serigrafia/codice CMS U1D

MURS120T3G

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 40A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. Diodo Tff(25°C): 25 ns. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Power Rectifiers. RM (max): 50uA. RM (min): 2uA. Marcatura sulla cassa: U1D. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.875V. Tensione diretta Vf (min): 0.71V. Numero di terminali: 2. Nota: serigrafia/codice CMS U1D

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MURS160T3G

MURS160T3G

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB ...

MURS160T3G

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diodo Tff(25°C): 50 ns. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Power Rectifiers. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Marcatura sulla cassa: U1J. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.05V. Numero di terminali: 2. Nota: serigrafia/codice CMS U1J

MURS160T3G

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diodo Tff(25°C): 50 ns. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Power Rectifiers. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Marcatura sulla cassa: U1J. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.05V. Numero di terminali: 2. Nota: serigrafia/codice CMS U1J

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MURS320T3G

MURS320T3G

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 75A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC ...

MURS320T3G

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 75A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Power Rectifiers. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.875V. Tensione diretta Vf (min): 0.71V. Numero di terminali: 2. Nota: serigrafia/codice CMS U3D

MURS320T3G

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 75A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Power Rectifiers. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.875V. Tensione diretta Vf (min): 0.71V. Numero di terminali: 2. Nota: serigrafia/codice CMS U3D

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MURS360

MURS360

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 75A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC ...

MURS360

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 75A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 250uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: MURS360T3G, MUR360S R6. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.05V. Numero di terminali: 2. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/codice CMS U3J

MURS360

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 75A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 250uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: MURS360T3G, MUR360S R6. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.05V. Numero di terminali: 2. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/codice CMS U3J

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MURS360B

MURS360B

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB...

MURS360B

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 250uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: MURS360T3G, MUR360S, R6. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.88V. Numero di terminali: 2. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/codice CMS U3J

MURS360B

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 250uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: MURS360T3G, MUR360S, R6. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.88V. Numero di terminali: 2. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/codice CMS U3J

Set da 1

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P1000M

P1000M

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 400A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 (...

P1000M

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 400A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Do: 70pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: P1000M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.9V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS

P1000M

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 400A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Do: 70pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: P1000M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.9V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS

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1.09€ IVA incl.
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1.09€

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P2000M

P2000M

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 500A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 (...

P2000M

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 500A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Do: 110pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: P2000M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms)

P2000M

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 500A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Do: 110pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: P2000M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms)

Set da 1

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P600K

P600K

Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 400A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( ...

P600K

Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 400A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 9x9mm ). VRRM: 800V. Do: 150pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 2500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 6A08. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.9V. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms)

P600K

Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 400A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 9x9mm ). VRRM: 800V. Do: 150pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 2500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 6A08. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.9V. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms)

Set da 1

0.32€ IVA incl.
(0.26€ Iva esclusa)

0.32€

Quantità in magazzino : 4749

P600M

P600M

RoHS: sì. Famiglia di componenti: diodo raddrizzatore standard. Alloggiamento: saldatura PCB. Allog...

P600M

RoHS: sì. Famiglia di componenti: diodo raddrizzatore standard. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D8x7.5mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 6A. Ifsm [A]: 450A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 10uA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1V @ 5A. Custodia (standard JEDEC): silicio. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 9.1x9.1mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

P600M

RoHS: sì. Famiglia di componenti: diodo raddrizzatore standard. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D8x7.5mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 6A. Ifsm [A]: 450A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 10uA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1V @ 5A. Custodia (standard JEDEC): silicio. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 9.1x9.1mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

Set da 1

0.31€ IVA incl.
(0.25€ Iva esclusa)

0.31€

Quantità in magazzino : 134

P600S

P600S

Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 400A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( ...

P600S

Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 400A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1200V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 6A12. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms)

P600S

Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 400A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1200V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 6A12. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms)

Set da 1

0.71€ IVA incl.
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0.71€

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PMEG6010CEJ

PMEG6010CEJ

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 10A. Alloggiamento: SOD-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD...

PMEG6010CEJ

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 10A. Alloggiamento: SOD-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-323F. VRRM: 60V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky (serie Mega). Marcatura sulla cassa: EQ. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.66V. Tensione diretta Vf (min): 0.21V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

PMEG6010CEJ

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 10A. Alloggiamento: SOD-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-323F. VRRM: 60V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky (serie Mega). Marcatura sulla cassa: EQ. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.66V. Tensione diretta Vf (min): 0.21V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Set da 1

0.24€ IVA incl.
(0.20€ Iva esclusa)

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Quantità in magazzino : 39

PR1504

PR1504

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-...

PR1504

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). VRRM: 400V. Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST RECOVERY RECTIFIER. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS

PR1504

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). VRRM: 400V. Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST RECOVERY RECTIFIER. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS

Set da 1

1.35€ IVA incl.
(1.11€ Iva esclusa)

1.35€

Esaurito

PS1010RS

PS1010RS

IFSM: 30A. VRRM: 1000V. Custodia (secondo scheda tecnica): A-405 (5.2x2.7mm). Struttura dielettrica:...

PS1010RS

IFSM: 30A. VRRM: 1000V. Custodia (secondo scheda tecnica): A-405 (5.2x2.7mm). Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

PS1010RS

IFSM: 30A. VRRM: 1000V. Custodia (secondo scheda tecnica): A-405 (5.2x2.7mm). Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Set da 10

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0.70€

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R2KY

R2KY

Nota: DAEWOO TV...

R2KY

Nota: DAEWOO TV

R2KY

Nota: DAEWOO TV

Set da 1

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1.05€

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R2M

R2M

Nota: SONY TV...

R2M

Nota: SONY TV

R2M

Nota: SONY TV

Set da 1

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RF2001T3D

RF2001T3D

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): ...

RF2001T3D

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FN. VRRM: 350V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 10uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Funzione: Diodo di commutazione rapida e recupero rapido. Spec info: IFMS 100Ap

RF2001T3D

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FN. VRRM: 350V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 10uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Funzione: Diodo di commutazione rapida e recupero rapido. Spec info: IFMS 100Ap

Set da 1

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1.93€

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RFU20TM5S

RFU20TM5S

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): ...

RFU20TM5S

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 530V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 23 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Soft Recovery Diode. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2V. Tensione diretta Vf (min): 1.65V. Spec info: Silicon epitaxial planer

RFU20TM5S

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 530V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 23 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Soft Recovery Diode. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2V. Tensione diretta Vf (min): 1.65V. Spec info: Silicon epitaxial planer

Set da 1

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RG2Y

RG2Y

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): D2A...

RG2Y

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Nota: SAMSUNG. RM (max): 2.5mA. RM (min): 0.5mA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Peso: 0.6g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Spec info: IFMS 50Ap

RG2Y

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Nota: SAMSUNG. RM (max): 2.5mA. RM (min): 0.5mA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Peso: 0.6g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Spec info: IFMS 50Ap

Set da 1

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1.01€

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RG4A

RG4A

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27...

RG4A

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 2V. Tensione diretta Vf (min): 2V

RG4A

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 2V. Tensione diretta Vf (min): 2V

Set da 1

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