Diodi standard e raddrizzatori

Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. RM (max): 250uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: MURS360T3G, MUR360S, R6. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.88V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/codice CMS U3J

Do: 70pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 400A. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: P1000M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 8x7.5mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.9V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS

Do: 110pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 500A. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: P2000M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 8x7.5mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms)

Do: 150pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 2500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 400A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 6A08. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 9x9mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.9V. VRRM: 800V. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms)

RoHS: sì. Famiglia di componenti: diodo raddrizzatore standard. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D8x7.5mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 6A. Ifsm [A]: 450A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 10uA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1V @ 5A. Custodia (standard JEDEC): silicio. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 9.1x9.1mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 400A. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 6A12. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 8x7.5mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 1200V. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms)

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky (serie Mega). Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 10A. Marcatura sulla cassa: EQ. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOD-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-323F. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.66V. Tensione diretta Vf (min): 0.21V. VRRM: 60V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST RECOVERY RECTIFIER. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. VRRM: 400V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. IFSM: 30A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Custodia (secondo scheda tecnica): A-405 (5.2x2.7mm)

Nota: DAEWOO TV

Nota: SONY TV

Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 100A. RM (max): 10uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FN. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. VRRM: 350V. Funzione: Diodo di commutazione rapida e recupero rapido. Spec info: IFMS 100Ap

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 23 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Soft Recovery Diode. Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 100A. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2V. Tensione diretta Vf (min): 1.65V. VRRM: 530V. Spec info: Silicon epitaxial planer

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Nota: SAMSUNG. RM (max): 2.5mA. RM (min): 0.5mA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Peso: 0.6g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): D2A ( 4.0x7.2mm ). Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. VRRM: 70V. Spec info: IFMS 50Ap

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Tensione di soglia Vf (max): 2V. Tensione diretta Vf (min): 2V. VRRM: 600V

Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 60A. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Tensione di soglia Vf (max): 3V. Tensione diretta Vf (min): 3V. VRRM: 1000V

Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 200V

Do: 5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore a commutazione rapida. Corrente diretta (AV): 0.5A. IFSM: 20A. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 2.7x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.8V. VRRM: 2000V. Spec info: IFSM--20Ap t=8.3mS

Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore a commutazione rapida. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 200V. Nota: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore a commutazione rapida. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore a commutazione rapida. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Nota: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 50App/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AC. VRRM: 400V

Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 50App/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AC. VRRM: 600V

Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 50App/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AC. VRRM: 1000V

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 2A. Nota: Ifsm--80A/8.2ms. Passo: 9.5x5.3mm. VRRM: 100V. Nota: GI, S