Diodi standard e raddrizzatori

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore montato in superficie (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMC. Custodia (standard JEDEC): DO-214AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 3A. Ifsm [A]: 110A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..200uA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.15V @ 3A

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO214AA. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.15V. Tensione diretta Vf (min): 1.15V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Do: 80pF. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore di rete 50/60 Hz. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 180A. RM (max): 250uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: S5M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 40A. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.79V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 40A. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.5V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): saldatura PCB. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 40A. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.7V. Tensione diretta Vf (min): 0.7V. VRRM: 60V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 40A. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.79V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V. VRRM: 90V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). Tensione di soglia Vf (max): 0.79V. VRRM: 100V. Numero di terminali: 2. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. Nota: IFSM--50Ap/10mS

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.5V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Numero di terminali: 2. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Doppio diodo Schottky. Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 275A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. VRRM: 40V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: Total IF(AV) 2ch 30A. Spec info: Ifsm--275A t=8.3ms

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.9V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms

Do: 175pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (max): 6mA. RM (min): 0.001mA. Marcatura sulla cassa: SB3200. Equivalenti: Vishay--VSB3200. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.9V. Tensione diretta Vf (min): 0.68V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--80Ap 50Hz 8.3ms

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.85V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V. VRRM: 90V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (standard JEDEC): Diodo raddrizzatore Schottky. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 5A. Ifsm [A]: 310A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 0.6mA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.79V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 0.79V @ 5A

Do: 150pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 125A. RM (max): 50mA. RM (min): 8uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.92V. Tensione diretta Vf (min): 0.92V. VRRM: 150V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 125Ap

Do: 120pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 125A. RM (max): 0.5mA. RM (min): 0.1mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.9V. Tensione diretta Vf (min): 0.9V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 125A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 125A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.67V. Tensione diretta Vf (min): 0.67V. VRRM: 50V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Corrente diretta [A]: 2x10A. Ifsm [A]: 110A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 300uA..7mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 0.85V @ 10A

Do: 700pF. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 275A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: SMPS DIODE. Nota: Ifsm--275A/8.3mS 60Hz. Unità di condizionamento: 30. Nota: doppio diodo al silicio. Spec info: Diodo raddrizzatore Schottky

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 300A. RM (max): 10mA. RM (min): 0.3mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: P-600. Custodia (secondo scheda tecnica): P600 ( 8x7.5mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.42V. Tensione diretta Vf (min): 0.25V. VRRM: 40V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--300Ap T=10mS 50Hz

Do: 25pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SUPER FAST RECTIFIER. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Nota: GI, S. Quantità per scatola: 1

Do: 30pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SUPER FAST RECTIFIER. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 75A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V. VRRM: 200V. Spec info: Ifsm--75App/8.3mS

Do: 20pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SUPER FAST RECTIFIER. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 75A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.25V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm--75App/8.3mS

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Nota: SUPER FAST RECTIFIER. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. VRRM: 300V