Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 400V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 800V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 80A. IFSM: 500A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247-2. VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 125 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 2mA. RM (min): 250uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.9V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Funzione: Diodo ultraveloce

Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 325A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: sì. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Recovery Diode. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: pinout--1

Corrente diretta (AV): 16A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 40V. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: catodo comune. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.48V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: Ifsm 150A/10ms. Unità di condizionamento: 50. Nota: doppio diodo al silicio

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Do: 12pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1.8us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodi raddrizzatori per uso generale. Nota: serigrafia/codice SMD 1M. Nota: alloggiamento 4,6x2,7 mm. Marcatura sulla cassa: 1 M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS

Corrente diretta (AV): 1.5A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore montato in superficie (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMB. Custodia (standard JEDEC): DO-214AA. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 2A. Ifsm [A]: 55A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..100uA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.15V @ 2A

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 4.2x4.3mm. Nota: 50App/10ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore montato in superficie (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMC. Custodia (standard JEDEC): DO-214AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 3A. Ifsm [A]: 110A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..200uA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.15V @ 3A

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO214AA. VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.15V. Tensione diretta Vf (min): 1.15V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 180A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ). VRRM: 1000V. Do: 80pF. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore di rete 50/60 Hz. RM (max): 250uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: S5M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -50...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 40A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 100V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.79V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 40A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.5V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 40A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 60V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): saldatura PCB. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.7V. Tensione diretta Vf (min): 0.7V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 40A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 90V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.79V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: Sb. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 0.79V. Numero di terminali: 2. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. Nota: IFSM--50Ap/10mS

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 40V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.5V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V. Numero di terminali: 2. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 275A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. VRRM: 40V. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Doppio diodo Schottky. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: Total IF(AV) 2ch 30A. Spec info: Ifsm--275A t=8.3ms

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 100V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.9V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Do: 175pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 6mA. RM (min): 0.001mA. Marcatura sulla cassa: SB3200. Equivalenti: Vishay--VSB3200. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.9V. Tensione diretta Vf (min): 0.68V. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--80Ap 50Hz 8.3ms

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 90V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.85V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (standard JEDEC): Diodo raddrizzatore Schottky. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 5A. Ifsm [A]: 310A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 0.6mA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.79V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 0.79V @ 5A