Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

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Audio (307)Automazione (19)Cavi (1774)Componenti passivi (13753)Computer (56)Connettori (5627)Contenitori per elettronica (1199)Elettronica per il tempo libero (528)Energia (1312)Interruttori (920)Optoelettronica (1670)Parti meccaniche (446)Protezione elettrica (1127)Raffreddamento (695)Relè (841)Riparazione (940)Semiconduttori (14045)Trasformatori (540)Utensili (1362)

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Componenti passivi

Contenitori per elettronica

Elettronica per il tempo libero

Optoelettronica

Parti meccaniche

Protezione elettrica

Semiconduttori Diodi

Diodi standard e raddrizzatori

Diodi standard e raddrizzatori

30 v (10)

4 v (2)

15V (1)

20V (4)

25V (1)

30V (1)

35V (4)

40V (33)

45V (14)

50V (9)

60V (23)

70V (4)

75V (4)

80V (4)

85V (2)

90V (5)

100V (42)

125V (1)

150V (7)

170V (1)

200V (66)

250V (4)

300V (11)

350V (2)

400V (32)

500V (5)

530V (1)

600V (73)

650V (1)

800V (23)

1000V (50)

1200V (24)

1300V (1)

1500V (18)

1600V (6)

2000V (2)

4000V (1)

12000V (2)

16000V (1)

10A/diode (2)

120Ap / 8.3ms (1)

150A di picco (1)

150Ap / 8.3ms (1)

155A / 50Hz, 180A / 60Hz (1)

2 X 3A (1)

2x100A (1)

2x123A (1)

2x91A (1)

2x96A (1)

400A (2x200A) (1)

40A (2x20A) (1)

50A / 10mS (1)

800 A (tp=5us), 70 A (tp=10ms) (1)

80A (tp=10ms) (1)

n/a (1)

0.1A (5)

0.115A (2)

0.15A (1)

0.2A (13)

0.25A (5)

0.3A (2)

3.3mA (1)

0.36A (1)

0.5A (7)

0.6A (7)

0.75A (2)

0.8A (3)

1A (76)

1.2A (3)

1.25A (1)

1.3A (3)

1.4A (1)

1.5A (16)

15mA (3)

20mA (4)

2A (40)

2.3A (1)

2.5A (2)

30mA (2)

3A (71)

3.1A (1)

3.5A (2)

40mA (1)

4A (10)

50mA (1)

5A (39)

6A (11)

7.5A (5)

8A (26)

9A (1)

100mA (1)

10A (26)

11A (1)

120mA (1)

12A (5)

12.7A (1)

130mA (2)

150mA (3)

15A (19)

15.9A (1)

16A (6)

19A (1)

200mA (9)

20A (19)

215mA (1)

250mA (2)

25A (5)

27A (3)

28A (1)

300mA (2)

30A (44)

350mA (1)

35A (6)

37A (2)

400mA (1)

40A (18)

45A (2)

500mA (7)

50A (38)

52A (1)

55A (1)

600mA (3)

60A (16)

62A (9)

625mA (1)

70A (13)

750mA (1)

75A (14)

80A (24)

88A (1)

90A (3)

100A (32)

110A (9)

125A (8)

130A (1)

150A (26)

155A (1)

165A (2)

180A (2)

200A (12)

220A (1)

225A (1)

250A (6)

255A (1)

265A (1)

270A (1)

275A (4)

280A (1)

300A (12)

310A (1)

325A (1)

330A (2)

340A (1)

350A (1)

375A (2)

400A (6)

500A (8)

550A (1)

570A (9)

600A (4)

800A (2)

850A (1)

880A (1)

900A (1)

1200A (7)

1500A (1)

1600A (1)

2500A (1)

60.4k Ohms (6)

063 (1)

318–08, SOT–23 (TO–236AB) (1)

3x12mm (2)

425AB SMA (3.8x1.9mm) (1)

7.3x22mm (1)

A-405 (5.2x2.7mm) (1)

CASE 59-10 (7.3x3.4mm) (1)

D-PAK (1)

D-PAK ( TO-252 ) (4)

D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05 (1)

D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03 (3)

D2A ( 4.0x7.2mm ) (1)

D2PAK ( TO-263 ) (5)

DO-15 (30)

DO-15 ( 2.7x5.2mm ) (1)

DO-15 ( 3.2x6.7mm ) (4)

DO-15 ( 3.2x7.2mm ) (5)

DO-15 ( 3.3x6.4mm ) (3)

DO-15 ( 3.5x7.5mm ) (3)

DO-15 ( 6.0x3.4mm ) (1)

DO-15 ( 6.3x3.0mm ) (2)

DO-15 ( 7.6x3.6mm ) (3)

DO-15 ( DO-204AC ) 6.35x3.0mm (1)

DO-201 (48)

DO-201 ( 4.4x7.5mm ) (1)

DO-201 ( 4.5x7.5mm ) (2)

DO-201 ( 6.5x8.0mm ) (1)

DO-201 ( 7.5x5.4mm ) (6)

DO-201 ( 9.5x5.0mm ) (3)

DO-201AD (11)

DO-201AD ( 4.5x7.5mm ) (2)

DO-201AD ( 5.3x9.0mm ) (4)

DO-201AD ( 5.6x10mm ) (1)

DO-201AD ( 7.5x5.4mm ) (2)

DO-201AD ( 8.8x5.1mm ) (3)

DO-201AD ( 9.0x5.3mm ) (2)

DO-201AD ( 9.1x5.2mm ) (1)

DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ) (1)

DO-201AD ( 9.2x5.3mm ) (1)

DO-201AD ( 9.5x5.3mm ) (1)

DO-201AD 8x6mm (1)

DO-201AD DO-27 ( 5.2x9mm ) (1)

DO-203AB (13)

DO-203AB ( DO-5 ) (15)

DO-204 (8)

DO-204AC (3)

DO-204AL ( 2.7x5.2mm ) (3)

DO-204AL ( 5.2x2.7mm ) (1)

DO-204AP (1)

DO-205 (3)

DO-205AC (1)

DO-213 (4)

DO-213AB ( 2.5x5mm ) (4)

DO-214 (48)

DO-214AA (1)

DO-214AA (SMB) 4.57x3.94mm (1)

DO-214AB ( SMC ) (2)

DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm (2)

DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm (2)

DO-214AC (1)

DO-214AC ( SMA ) (1)

DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm (3)

DO-247 (2)

DO-27 (14)

DO-27 ( 5.2x8.0mm ) (1)

DO-27 ( 6.5x8.0mm ) (3)

DO-27 ( 9.2x5.2mm ) (4)

DO-27 ( 9x5.3mm ) (1)

DO-27 (5.4x7.5mm) (1)

DO-27 (5.6 x 9.5mm) (1)

DO-27 (9.5x5.6mm) (1)

DO-27( 5.5x9.5mm ) (2)

DO-34 (1)

DO-34 ( 1.6x3.04 ) (1)

DO-34 ( 3.4x1.6mm ) (1)

DO-34 ( SOD68 ) (3)

DO-35 (19)

DO-35 ( 1.6x3.9mm ) (1)

DO-35 ( SOD27 ) (19)

DO-4 (2)

DO-41 (46)

DO-41 ( 2.5x4.8mm ) (2)

DO-41 ( 2.6x4.8mm ) (1)

DO-41 ( 2.6x4.9mm ) (1)

DO-41 ( 2.7x5.0mm ) (1)

DO-41 ( 5.0x2.7mm ) (1)

DO-41 ( 5.2X2.7mm ) (6)

DO-41 ( 5.2x2.7 ) (1)

DO-41 ( DO-204AL ) (11)

DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ) (1)

DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ) (1)

DO-4P (2)

DO-5 (2)

DO-5P (2)

DO41 (2)

Dpak-3 (1)

ISOPLUS247 (1)

ISOPLUS247 ( TO-247 ) (1)

ISOTOP (1)

ISOTOP ( SOT227B ) (7)

ISOWATT TO-220AC (1)

P-600 (1)

P600 ( 8x7.5mm ) (1)

POWERTAB (3)

R-6 (8)

R-6 ( 8.9x8.8mm ) (1)

R-6 ( 8x7.5mm ) (3)

R-6 ( 9.1x7.2mm ) (1)

R-6 ( 9x9mm ) (1)

R-6 (8.8x7mm) (1)

R-6 (9.1x9.1mm) (1)

SMA (1)

SMA (4.6x2.8 mm) (1)

SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ) (2)

SMA DO214AC (3)

SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ) (1)

SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ) (7)

SMB (1)

SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ) (2)

SMB / DO214AA (1)

SMB CASE 403A-03 ( 4.32x3.56mm ) (1)

SMB DO-214AA (1)

SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ) (2)

SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ) (1)

SMB DO214AA (2)

SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ) (1)

SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ) (2)

SMC (8,1x6,2x2,6 mm) (1)

SMC / DO214AB (1)

SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ) (5)

SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ) (2)

SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ) (1)

SMC DO214AB (1)

SMD 0805 (1)

SOD-123 (5)

SOD-323 (8)

SOD-323 ( 1.7x1.25mm ) (1)

SOD-323F (2)

SOD-523 (2)

SOD-57 (1)

SOD-57 ( Glass ) (11)

SOD-57 Glass (8)

SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ) (1)

SOD-57 Glass passivated (2)

SOD-64 ( Glass ) (13)

SOD-64 Glass (12)

SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ) (1)

SOD-80 (1)

SOD-80 ( 3.4x1.6mm ) (1)

SOD-80 ( 3.5x1.5mm ) (1)

SOD-80C (1)

SOD-81 (6)

SOD123 (2)

SOD123 ( 2.85x1.7mm ) (1)

SOD123W SMA (2.9x1.9mm) (2)

SOT-143 (1)

SOT-143B (1)

SOT-23 (3)

SOT-23 ( TO-236 ) (16)

SOT-23 ( TO236 ) (10)

SOT-23-3 (1)

SOT-23L (1)

SOT-323 (3)

SOT323 (1)

SOT78 (TO-220AB) (1)

T0-220AB (1)

T0-220FPAB (1)

TO-220 (85)

TO-220 CASE 221A (1)

TO-220-2 (1)

TO-220-2 (TO-220AC) (1)

TO-220/2 (2)

TO-220A-2P (1)

TO-220AB (17)

TO-220AB ( SOT78 ) (4)

TO-220AB, SOT78 (1)

TO-220AC (33)

TO-220AC ( SOD59 ) (1)

TO-220AC-2 (4)

TO-220AC-2P (1)

TO-220AC-3P (4)

TO-220B (1)

TO-220F (10)

TO-220F-2L (3)

TO-220F-3 (1)

TO-220FN (1)

TO-220FP (21)

TO-220FP-3 (1)

TO-220FPAC (2)

TO-220L (1)

TO-240 (1)

TO-240AA (1)

TO-247 (28)

TO-247-2 (1)

TO-247-2LD, CASE 340CL (1)

TO-247AC (3)

TO-247AC 3L (2)

TO-247AD (15)

TO-252 (1)

TO-252A ( Dpak ) (1)

TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ) (2)

TO-263 (2)

TO-263 ( D2PAK ) (1)

TO-3FP (1)

TO-3P (5)

TO-3P ( TO-218 SOT-93 ) (6)

TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) (1)

TO220-3 (1)

TOP-3P (1)

TS-1 ( 2.5x3.3mm ) (1)

saldatura PCB (1)

saldatura PCB (SMD) (5)

12.7k Ohms (4)

507 prodotti disponibili

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RH2F

RH2F

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-2...

RH2F

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). VRRM: 1500V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ammortizzatore . Nota: Samsung--32169-301-670. Nota: Samsung--CK6813Z/SEH. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V

RH2F

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). VRRM: 1500V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ammortizzatore . Nota: Samsung--32169-301-670. Nota: Samsung--CK6813Z/SEH. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V

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RH4F

RH4F

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Corrente diretta (AV): 2.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1500V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ammortizzatore . Nota: Samsung--0402-000266. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V

RH4F

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RHRP15120

RHRP15120

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RHRP15120

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 200A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Do: 55pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 65 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Hyperfast Diode. Nota: Diodo iperveloce. RM (max): 500uA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--200Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 3.2V. Tensione diretta Vf (min): 2.6V

RHRP15120

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 200A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Do: 55pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 65 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Hyperfast Diode. Nota: Diodo iperveloce. RM (max): 500uA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--200Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 3.2V. Tensione diretta Vf (min): 2.6V

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RHRP1560

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RHRP1560

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 30A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Do: 60pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Hyperfast with Soft Recovery. Nota: Diodo iperveloce. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Spec info: Ifsm--200Ap (1 Phase, 60Hz). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V

RHRP1560

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RHRP30120

RHRP30120

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RHRP30120

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RHRP8120

RHRP8120

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-...

RHRP8120

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Do: 25pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 55 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Diodo iperveloce. RM (max): 500uA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 3.2V. Tensione diretta Vf (min): 2.6V

RHRP8120

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Do: 25pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 55 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Diodo iperveloce. RM (max): 500uA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 3.2V. Tensione diretta Vf (min): 2.6V

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2.77€

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RHRP860

RHRP860

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 16A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-2...

RHRP860

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 16A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: sì. Do: 25pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo iperveloce. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Spec info: Ifsm 100App (60Hz). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 2.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V

RHRP860

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 16A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: sì. Do: 25pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo iperveloce. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Spec info: Ifsm 100App (60Hz). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 2.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V

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RL4Z

RL4Z

Corrente diretta (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-...

RL4Z

Corrente diretta (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). VRRM: 200V. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Diodo raddrizzatore a recupero ultrarapido. Passo: 8x6.5mm. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V

RL4Z

Corrente diretta (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). VRRM: 200V. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Diodo raddrizzatore a recupero ultrarapido. Passo: 8x6.5mm. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V

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RS2A

RS2A

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SM...

RS2A

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 50V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

RS2A

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 50V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

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RS2B

RS2B

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SM...

RS2B

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 100V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

RS2B

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 100V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

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RS2D

RS2D

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SM...

RS2D

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

RS2D

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

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RS2G

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Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SM...

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Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 400V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

RS2G

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 400V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

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RS2J

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Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SM...

RS2J

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

RS2J

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Set da 1

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RS2K

RS2K

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SM...

RS2K

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 800V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

RS2K

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 800V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Set da 1

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RS2M

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Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SM...

RS2M

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

RS2M

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Set da 1

1.00€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 22

RURG80100

RURG80100

Corrente diretta (AV): 80A. IFSM: 500A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO...

RURG80100

Corrente diretta (AV): 80A. IFSM: 500A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247-2. VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 125 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo ultraveloce. RM (max): 2mA. RM (min): 250uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.9V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V

RURG80100

Corrente diretta (AV): 80A. IFSM: 500A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247-2. VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 125 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo ultraveloce. RM (max): 2mA. RM (min): 250uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.9V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V

Set da 1

9.61€ IVA incl.
(7.88€ Iva esclusa)

9.61€

Quantità in magazzino : 237

RURP3060

RURP3060

Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 325A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO...

RURP3060

Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 325A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: sì. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Recovery Diode. Numero di terminali: 2. Spec info: pinout--1. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

RURP3060

Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 325A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: sì. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Recovery Diode. Numero di terminali: 2. Spec info: pinout--1. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Set da 1

3.14€ IVA incl.
(2.57€ Iva esclusa)

3.14€

Quantità in magazzino : 517

S16C40C

S16C40C

Corrente diretta (AV): 16A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO...

S16C40C

Corrente diretta (AV): 16A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 40V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Nota: doppio diodo al silicio. Nota: Ifsm 150A/10ms. Numero di terminali: 3. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.48V

S16C40C

Corrente diretta (AV): 16A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 40V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Nota: doppio diodo al silicio. Nota: Ifsm 150A/10ms. Numero di terminali: 3. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.48V

Set da 1

0.83€ IVA incl.
(0.68€ Iva esclusa)

0.83€

Quantità in magazzino : 6435

S1M-FAI

S1M-FAI

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA ...

S1M-FAI

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Do: 12pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1.8us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodi raddrizzatori per uso generale. Nota: serigrafia/codice SMD 1M. Nota: alloggiamento 4,6x2,7 mm. Marcatura sulla cassa: 1 M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

S1M-FAI

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Do: 12pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1.8us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodi raddrizzatori per uso generale. Nota: serigrafia/codice SMD 1M. Nota: alloggiamento 4,6x2,7 mm. Marcatura sulla cassa: 1 M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Set da 10

1.31€ IVA incl.
(1.07€ Iva esclusa)

1.31€

Quantità in magazzino : 20

S2L20U

S2L20U

Corrente diretta (AV): 1.5A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio...

S2L20U

Corrente diretta (AV): 1.5A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio

S2L20U

Corrente diretta (AV): 1.5A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio

Set da 1

3.83€ IVA incl.
(3.14€ Iva esclusa)

3.83€

Quantità in magazzino : 5829

S2M

S2M

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore montato in superficie (SMD). Alloggiamento: s...

S2M

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore montato in superficie (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMB. Custodia (standard JEDEC): DO-214AA. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 2A. Ifsm [A]: 55A. Tensione diretta Vfmax (V): 1.15V @ 2A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..100uA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

S2M

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore montato in superficie (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMB. Custodia (standard JEDEC): DO-214AA. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 2A. Ifsm [A]: 55A. Tensione diretta Vfmax (V): 1.15V @ 2A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..100uA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

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S399D

S399D

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-6...

S399D

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 4.2x4.3mm. Nota: 50App/10ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

S399D

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 4.2x4.3mm. Nota: 50App/10ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

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S3M

S3M

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore montato in superficie (SMD). Alloggiamento: s...

S3M

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore montato in superficie (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMC. Custodia (standard JEDEC): DO-214AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 3A. Ifsm [A]: 110A. Tensione diretta Vfmax (V): 1.15V @ 3A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..200uA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

S3M

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore montato in superficie (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMC. Custodia (standard JEDEC): DO-214AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 3A. Ifsm [A]: 110A. Tensione diretta Vfmax (V): 1.15V @ 3A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..200uA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

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S3MB-13-F

S3MB-13-F

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB...

S3MB-13-F

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO214AA. VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.15V. Tensione diretta Vf (min): 1.15V

S3MB-13-F

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO214AA. VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.15V. Tensione diretta Vf (min): 1.15V

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S5M

S5M

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 180A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC...

S5M

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 180A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ). VRRM: 1000V. Do: 80pF. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore di rete 50/60 Hz. RM (max): 250uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: S5M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -50...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

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Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 180A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ). VRRM: 1000V. Do: 80pF. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore di rete 50/60 Hz. RM (max): 250uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: S5M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -50...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

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