Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 3V. Tensione diretta Vf (min): 3V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 200V. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V

Corrente diretta (AV): 0.5A. IFSM: 20A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 2000V. Do: 5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore a commutazione rapida. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.8V. Spec info: IFSM--20Ap t=8.3mS

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 200V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore a commutazione rapida. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Nota: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 400V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore a commutazione rapida. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 600V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo raddrizzatore a commutazione rapida. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Nota: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AC. VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 50App/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AC. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 50App/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AC. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: commutazione ad alta velocità. Nota: 50App/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 2A. VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Ifsm--80A/8.2ms. Passo: 9.5x5.3mm. Nota: GI, S

Corrente diretta (AV): 2A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Ifsm--80A/8.2ms. Passo: 9.5x5.3mm. Nota: GI, S

Corrente diretta (AV): 3A. VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 125A/PP. Nota: GI, S

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 125App/8.3ms. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Nota: GI, S

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). VRRM: 1500V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ammortizzatore . Nota: Samsung--32169-301-670. Nota: Samsung--CK6813Z/SEH. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 2.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1500V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ammortizzatore . Nota: Samsung--0402-000266. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 200A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Do: 55pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 65 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Hyperfast Diode. Nota: Diodo iperveloce. RM (max): 500uA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 3.2V. Tensione diretta Vf (min): 2.6V. Spec info: Ifsm--200Ap

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 30A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Do: 60pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Hyperfast with Soft Recovery. Nota: Diodo iperveloce. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. Spec info: Ifsm--200Ap (1 Phase, 60Hz)

Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 300A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 65 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Hyperfast with Soft Recovery. Marcatura sulla cassa: RHR30120. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 3.2V. Tensione diretta Vf (min): 2.6V

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Do: 25pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 55 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Diodo iperveloce. RM (max): 500uA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 3.2V. Tensione diretta Vf (min): 2.6V. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz)

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 16A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: sì. Do: 25pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo iperveloce. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 2.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. Spec info: Ifsm 100App (60Hz)

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 70A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 1000V. Do: 20pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon Rectifier. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: Ifsm--70Ap t=8.3mS

Corrente diretta (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). VRRM: 200V. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Passo: 8x6.5mm. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V. Nota: Diodo raddrizzatore a recupero ultrarapido

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 50V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 100V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V