Diodi standard e raddrizzatori

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 2A. Nota: Ifsm--80A/8.2ms. Passo: 9.5x5.3mm. VRRM: 200V. Nota: GI, S

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Nota: 125A/PP. VRRM: 400V. Nota: GI, S

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Nota: 125App/8.3ms. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. VRRM: 1000V. Nota: GI, S

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ammortizzatore . Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 60A. Nota: Samsung--32169-301-670. Nota: Samsung--CK6813Z/SEH. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 1500V

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ammortizzatore . Corrente diretta (AV): 2.5A. IFSM: 50A. Nota: Samsung--0402-000266. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 1500V

Do: 55pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 65 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Hyperfast Diode. Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 200A. Nota: Diodo iperveloce. RM (max): 500uA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-2. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 3.2V. Tensione diretta Vf (min): 2.6V. VRRM: 1200V. Spec info: Ifsm--200Ap

Do: 60pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Hyperfast with Soft Recovery. Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 30A. Nota: Diodo iperveloce. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm--200Ap (1 Phase, 60Hz)

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 65 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Hyperfast with Soft Recovery. Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 300A. Marcatura sulla cassa: RHR30120. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 3.2V. Tensione diretta Vf (min): 2.6V. VRRM: 1200V

Do: 25pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 55 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Nota: Diodo iperveloce. RM (max): 500uA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 3.2V. Tensione diretta Vf (min): 2.6V. VRRM: 1200V. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz)

RoHS: sì. Do: 25pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo iperveloce. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 16A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Tensione di soglia Vf (max): 2.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 100App (60Hz)

Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3.5A. IFSM: 80A. Passo: 8x6.5mm. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V. VRRM: 200V. Nota: Diodo raddrizzatore a recupero ultrarapido

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 50V

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 100V

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 200V

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce, Montaggio superficiale. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 125 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 80A. IFSM: 500A. RM (max): 2mA. RM (min): 250uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247-2. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.9V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Funzione: Diodo ultraveloce

RoHS: sì. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Recovery Diode. Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 325A. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: pinout--1

Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: catodo comune. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Corrente diretta (AV): 16A. IFSM: 150A. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.48V. VRRM: 40V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: Ifsm 150A/10ms. Unità di condizionamento: 50. Nota: doppio diodo al silicio

Do: 12pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1.8us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodi raddrizzatori per uso generale. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Nota: serigrafia/codice SMD 1M. Nota: alloggiamento 4,6x2,7 mm. Marcatura sulla cassa: 1 M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.5A. VRRM: 200V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore montato in superficie (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMB. Custodia (standard JEDEC): DO-214AA. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 2A. Ifsm [A]: 55A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..100uA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.15V @ 2A

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Nota: 4.2x4.3mm. Nota: 50App/10ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V