Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO-214AA. VRRM: 40V. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: Vf 0.6V/1A. Nota: serigrafia/codice SMD B14L. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD)

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO214AA. VRRM: 90V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. Marcatura sulla cassa: B19. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.75V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V. Spec info: serigrafia/codice SMD B19

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 130A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 100V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: B310. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.79V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V. Spec info: Vf 0.79V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 5mA. RM (min): 1mA. Marcatura sulla cassa: B320. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.84V. Tensione diretta Vf (min): 0.84V. Spec info: Vf 0.84V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 30 v. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: B33. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.5V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V. Spec info: Vf 0.50V/3A, (If=3.0A, TJ=25°C)

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 40V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: B34. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.525V. Tensione diretta Vf (min): 0.525V. Spec info: Vf 0.525V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB CASE 403A-03 ( 4.32x3.56mm ). VRRM: 60V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: B36. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.74V. Tensione diretta Vf (min): 0.74V. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 60V. RoHS: sì. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: B36. Equivalenti: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.74V. Tensione diretta Vf (min): 0.74V. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)

Corrente diretta (AV): 75A. IFSM: 1200A. Alloggiamento: TO-240. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-240AA. VRRM: 1200V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: modulo diodo, "Diodo epitassiale a recupero rapido (FRED)". Nota: Ifsm--TVJ=45°C; t=10ms (50 Hz) 1200A. Nota: dimensioni 92x20,8x30 mm. Nota: Modulo a 2 diodi. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.58V. Tensione diretta Vf (min): 1.8V. Spec info: isolamento 3600V

Corrente diretta (AV): 880A. IFSM: n/a. VRRM: 400V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 220 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Modulo diodo di rete, alta corrente. Numero di terminali: 3. Dimensioni: 94x34x30mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Isolamento elettrico: 3600V, 50/60Hz. Tecnologia: diodo a doppio catodo comune (HiPerFREDTM). Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Piedinatura: Viti M6 (x3). Spec info: Ifsm--Tvj=25°C, tP=10ms 13000A

Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23-3. VRRM: 100V. Do: 4pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: anodo comune. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ifsm--2A t=1us, 1A t=1s. Nota: CT--4pF (VR=0V, f=1.0MHz). Nota: serigrafia/codice SMD D6. RM (max): 5uA. RM (min): 25nA. Marcatura sulla cassa: D6. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1V

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 300A. VRRM: 800V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. Numero di terminali: 2. Nota: diametro 8 mm x 7,5 mm. Quantità per scatola: 1

Corrente diretta (AV): 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Nota: ScanSwitch. Nota: IFSM 100Aps

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). VRRM: 1000V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Equivalenti: MUR1100ERLG. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.75V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 1000. Spec info: IFSM

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): CASE 59-10 (7.3x3.4mm). VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 5uA. RM (min): 2uA. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Quantità per scatola: 1. Funzione: diodo raddrizzatore per la commutazione dell alimentazione. Spec info: IFSM--35App

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 110A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Do: 55pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.9V. Numero di terminali: 2. Funzione: Diodo a recupero ultraveloce. Nota: diodo ultraveloce. Spec info: Ifsm 110Ap

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Numero di terminali: 2

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). VRRM: 600V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.05V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: diodo raddrizzatore per la commutazione dell alimentazione. Spec info: IFSM--35App

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast SMPS. RM (max): 250uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.975V. Tensione diretta Vf (min): 0.895V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Spec info: Ifsm 100Ap

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast SMPS. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Struttura dielettrica: anodo comune. Spec info: Ifsm 100Ap

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast SMPS. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: catodo comune. Spec info: Ifsm 100Ap

Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 70A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 1000V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Marcatura sulla cassa: MUR4100E. Equivalenti: MUR4100ERLG. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.85V. Tensione diretta Vf (min): 1.53V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 125A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 200V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Marcatura sulla cassa: MUR420. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 0.89V. Tensione diretta Vf (min): 0.71V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 70A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 600V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. RM (max): 10uA. RM (min): 5uA. Marcatura sulla cassa: MUR460. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.28V. Tensione diretta Vf (min): 1.05V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 70A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05. VRRM: 800V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. RM (max): 900uA. RM (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: MUR480E. Equivalenti: MUR480ERLG. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.85V. Tensione diretta Vf (min): 1.53V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1