Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). VRRM: 1000V. Unità di condizionamento: 1000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Equivalenti: MUR1100ERLG. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.75V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): CASE 59-10 (7.3x3.4mm). VRRM: 200V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore per la commutazione dell alimentazione. RM (max): 5uA. RM (min): 2uA. Spec info: IFSM--35App. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 110A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Do: 55pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo a recupero ultraveloce. Nota: diodo ultraveloce. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 110Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.9V

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore per la commutazione dell alimentazione. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--35App. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.05V

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast SMPS. RM (max): 250uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 100Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.975V. Tensione diretta Vf (min): 0.895V

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: anodo comune. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast SMPS. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 100Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast SMPS. Nota: catodo comune. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 100Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V

Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 70A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Marcatura sulla cassa: MUR4100E. Equivalenti: MUR4100ERLG. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.85V. Tensione diretta Vf (min): 1.53V

Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 125A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Marcatura sulla cassa: MUR420. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 0.89V. Tensione diretta Vf (min): 0.71V

Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 70A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. RM (max): 10uA. RM (min): 5uA. Marcatura sulla cassa: MUR460. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.28V. Tensione diretta Vf (min): 1.05V

Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 70A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05. VRRM: 800V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. RM (max): 900uA. RM (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: MUR480E. Equivalenti: MUR480ERLG. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.85V. Tensione diretta Vf (min): 1.53V

Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 550A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SWITCHMODE Power Rectifiers. Nota: Diodo a recupero ultra rapido. Marcatura sulla cassa: MUR 6060. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. Nota: diodo raddrizzatore ultraveloce. Marcatura sulla cassa: U8100E. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. Nota: diodo raddrizzatore ultraveloce. Marcatura sulla cassa: U820. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.975V. Tensione diretta Vf (min): 0.895V

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore per la commutazione dell alimentazione. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: MUR860. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: diodo raddrizzatore ultraveloce. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: U860. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: diodo raddrizzatore ultraveloce. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 800V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. Nota: diodo raddrizzatore ultraveloce. Marcatura sulla cassa: U880E. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 40A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. RoHS: sì. Diodo Tff(25°C): 25 ns. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/codice CMS U1D. RM (max): 50uA. RM (min): 2uA. Marcatura sulla cassa: U1D. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.875V. Tensione diretta Vf (min): 0.71V

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diodo Tff(25°C): 50 ns. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/codice CMS U1J. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Marcatura sulla cassa: U1J. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.05V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 75A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/codice CMS U3D. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.875V. Tensione diretta Vf (min): 0.71V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 75A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/codice CMS U3J. RM (max): 250uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: MURS360T3G, MUR360S R6. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.05V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/codice CMS U3J. RM (max): 250uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: MURS360T3G, MUR360S, R6. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.88V

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 400A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Do: 70pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: P1000M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.9V

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 500A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Do: 110pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: P2000M. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V