Diodi standard e raddrizzatori

Do: 4pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: anodo comune. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ifsm--2A t=1us, 1A t=1s. Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 1A. Nota: CT--4pF (VR=0V, f=1.0MHz). Nota: serigrafia/codice SMD D6. RM (max): 5uA. RM (min): 25nA. Marcatura sulla cassa: D6. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23-3. Tensione di soglia Vf (max): 1V. VRRM: 100V

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 300A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. VRRM: 800V. Numero di terminali: 2. Nota: diametro 8 mm x 7,5 mm. Quantità per scatola: 1

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 10A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Nota: ScanSwitch. Nota: IFSM 100Aps

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. Equivalenti: MUR1100ERLG. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.75V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 1000. Spec info: IFSM

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. RM (max): 5uA. RM (min): 2uA. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): CASE 59-10 (7.3x3.4mm). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 1. Funzione: diodo raddrizzatore per la commutazione dell alimentazione. Spec info: IFSM--35App

Do: 55pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 110A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-2. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.9V. VRRM: 1200V. Numero di terminali: 2. Funzione: Diodo a recupero ultraveloce. Nota: diodo ultraveloce. Spec info: Ifsm 110Ap

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast. Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 150A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: diodo raddrizzatore per la commutazione dell alimentazione. Spec info: IFSM--35App

Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast SMPS. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (max): 250uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.975V. Tensione diretta Vf (min): 0.895V. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Spec info: Ifsm 100Ap

Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast SMPS. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Struttura dielettrica: anodo comune. Spec info: Ifsm 100Ap

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast SMPS. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: catodo comune. Spec info: Ifsm 100Ap

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 70A. Marcatura sulla cassa: MUR4100E. Equivalenti: MUR4100ERLG. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. Tensione di soglia Vf (max): 1.85V. Tensione diretta Vf (min): 1.53V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 125A. Marcatura sulla cassa: MUR420. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. Tensione di soglia Vf (max): 0.89V. Tensione diretta Vf (min): 0.71V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 70A. RM (max): 10uA. RM (min): 5uA. Marcatura sulla cassa: MUR460. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.28V. Tensione diretta Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 70A. RM (max): 900uA. RM (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: MUR480E. Equivalenti: MUR480ERLG. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05. Tensione di soglia Vf (max): 1.85V. Tensione diretta Vf (min): 1.53V. VRRM: 800V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SWITCHMODE Power Rectifiers. Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 550A. Marcatura sulla cassa: MUR 6060. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Nota: Diodo a recupero ultra rapido

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Marcatura sulla cassa: U8100E. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Nota: diodo raddrizzatore ultraveloce

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Marcatura sulla cassa: U820. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.975V. Tensione diretta Vf (min): 0.895V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Nota: diodo raddrizzatore ultraveloce

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: MUR860. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: diodo raddrizzatore per la commutazione dell alimentazione. Spec info: diodo raddrizzatore ultraveloce

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: U860. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: diodo raddrizzatore ultraveloce

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Marcatura sulla cassa: U880E. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 800V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Nota: diodo raddrizzatore ultraveloce

Diodo Tff(25°C): 25 ns. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Power Rectifiers. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 40A. RM (max): 50uA. RM (min): 2uA. Marcatura sulla cassa: U1D. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.875V. Tensione diretta Vf (min): 0.71V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Nota: serigrafia/codice CMS U1D

Diodo Tff(25°C): 50 ns. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Power Rectifiers. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Marcatura sulla cassa: U1J. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Nota: serigrafia/codice CMS U1J

Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Power Rectifiers. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 75A. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.875V. Tensione diretta Vf (min): 0.71V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Nota: serigrafia/codice CMS U3D

Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 75A. RM (max): 250uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: MURS360T3G, MUR360S R6. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafia/codice CMS U3J