Diodi standard e raddrizzatori

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Nota: Ultrafast. Nota: Ifsm 60Aps

Do: 25pF. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 42 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Soft Recovery Diode. Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 50A. RM (max): 400uA. RM (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: HFA15TB60. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-2. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A)

Do: 55pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 23 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Soft Recovery Diode. Corrente diretta (AV): 25A. IFSM: 225A. RM (max): 600uA. RM (min): 1.5uA. Equivalenti: VS-HFA25TB60-M3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--225Ap

Do: 25pF. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 19 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra Fast Soft Recovery Diode. Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 150A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 25. Spec info: Ifsm 150Ap, t=8.33ms

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 6A. Nota: D30. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. VRRM: 800V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: diodo per piccoli segnali Montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOD80C (MiniMELF). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.15A. Ifsm [A]: 2A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 25nA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1V @ 10mA. Custodia (standard JEDEC): 0.5W

Do: 4pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatori a commutazione ad alta velocità. Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. RM (max): 50uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.62V. VRRM: 100V. Spec info: IFSM--2Ap (tp=1us)

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Nota: SAMSUNG. VRRM: 600V

Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 0.1A. VRRM: 80V. Nota: doppio diodo al silicio

Alloggiamento: SOD123. Tipo di diodo: debole. Configurazione del diodo: indipendente. Tensione diretta (massima): 0.43V / 0.5A. Tipo di montaggio: SMD. VRRM: 30V. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.5A. Corrente di dispersione inversa: 130uA / 30V. Serie di prodotti: MBRB. MSL: 1

RoHS: sì. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 150A. RM (max): 6mA. RM (min): 0.1mA. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220A-2P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.85V. Tensione diretta Vf (min): 0.71V. VRRM: 100V

Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. RM (max): 0.008mA. RM (min): 8uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.88V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V. VRRM: 100V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. RM (max): 0.008mA. RM (min): 8uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.88V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V. VRRM: 150V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 10A. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-2P. VRRM: 200V

Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. RM (max): 0.2mA. RM (min): 0.2mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.99V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V. VRRM: 200V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 150A. RM (max): 6mA. RM (min): 0.1mA. Marcatura sulla cassa: B1060. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.7V. VRRM: 60V

Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: diodo per alimentatore switching, doppio, Schottky. Corrente diretta (AV): 7.5A. IFSM: 75A. RM (max): 15mA. RM (min): 0.1mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.84V. Tensione diretta Vf (min): 0.57V. VRRM: 45V. Spec info: total 15A (150Ap t=8.3ms)

Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 60V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 1mA..50mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 7.5A. Nota: diodo per la commutazione dell alimentazione. Nota: 15A/150App. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 60V

Do: 500pF. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: "Raddrizzatori di barriera". Corrente diretta (AV): 16A. IFSM: 150A. Numero di terminali: 3. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.63V. Tensione diretta Vf (min): 0.57V. VRRM: 45V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Do: 500pF. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 16A. IFSM: 150A. Nota: "Raddrizzatori di barriera". RM (max): 10mA. RM (min): 0.5mA. Numero di terminali: 2. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.75V. Tensione diretta Vf (min): 0.65V. VRRM: 60V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Do: 400pF. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: "Raddrizzatori di barriera". Corrente diretta (AV): 16A. IFSM: 150A. Numero di terminali: 3. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.75V. Tensione diretta Vf (min): 0.65V. VRRM: 60V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 150A. Marcatura sulla cassa: B20100G. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz

Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 150A. RM (max): 20mA. RM (min): 0.1mA. Marcatura sulla cassa: B20100G. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz

Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Corrente diretta (AV): 10A. Nota: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Nota: 20A/150App. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 150V

Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 75A. RM (max): 6mA. RM (min): 0.05mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220-3. Tensione diretta Vf (min): 0.9V. VRRM: 200V. Nota: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: Ifsm 150Ap (peak total)