Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. Do: 25pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Equivalenti: HER105G. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Numero di terminali: 2

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 1000V. Do: 20pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Equivalenti: HER108G. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. Numero di terminali: 2

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 150A di picco. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 (5.6 x 9.5mm). VRRM: 200V. Do: 70pF. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 150uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Numero di terminali: 2. Nota: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 125A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 300V. Do: 80pF. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Peso: 1.1g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Numero di terminali: 2. Nota: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 150A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 (9.5x5.6mm). VRRM: 400V. Do: 70pF. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 150uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Numero di terminali: 2. Nota: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Quantità per scatola: 1. Peso: 0.4g. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 125A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Do: 80pF. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Peso: 1.1g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Numero di terminali: 2. Nota: diodo raddrizzatore ad alta efficienza. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms

Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 150A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 (8.8x7mm). VRRM: 1000V. Do: 65pF. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 200uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tr: 75 ns. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: 150Ap/8.3ms

Corrente diretta (AV): 8A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 14W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Nota: Ultrafast. Nota: Ifsm--60Aps

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 60A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Do: 10pF. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 18 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Soft Recovery Diode. Marcatura sulla cassa: HFA08TB60. Equivalenti: 39.2k Ohms. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: IFRM 24A

Corrente diretta (AV): 8A. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Nota: Ultrafast. Nota: Ifsm 60Aps

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 50A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Do: 25pF. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 42 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Soft Recovery Diode. RM (max): 400uA. RM (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: HFA15TB60. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A)

Corrente diretta (AV): 25A. IFSM: 225A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Do: 55pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 23 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Soft Recovery Diode. RM (max): 600uA. RM (min): 1.5uA. Equivalenti: VS-HFA25TB60-M3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--225Ap

Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Do: 25pF. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 19 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra Fast Soft Recovery Diode. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 25. Spec info: Ifsm 150Ap, t=8.33ms

Corrente diretta (AV): 6A. VRRM: 800V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: D30. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

RoHS: sì. Famiglia di componenti: diodo per piccoli segnali Montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOD80C (MiniMELF). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.15A. Ifsm [A]: 2A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 25nA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1V @ 10mA. Custodia (standard JEDEC): 0.5W

Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 100V. Do: 4pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatori a commutazione ad alta velocità. RM (max): 50uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.62V. Spec info: IFSM--2Ap (tp=1us)

Corrente diretta (AV): 1A. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SAMSUNG

Corrente diretta (AV): 0.1A. VRRM: 80V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: doppio diodo al silicio

Alloggiamento: SOD123. VRRM: 30V. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.5A. Tipo di diodo: debole. Configurazione del diodo: indipendente. Tensione diretta (massima): 0.43V / 0.5A. Tipo di montaggio: SMD. Corrente di dispersione inversa: 130uA / 30V. Serie di prodotti: MBRB. MSL: 1

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 150A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220A-2P. VRRM: 100V. RoHS: sì. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 6mA. RM (min): 0.1mA. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.85V. Tensione diretta Vf (min): 0.71V

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. RM (max): 0.008mA. RM (min): 8uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.88V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. RM (max): 0.008mA. RM (min): 8uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.88V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Corrente diretta (AV): 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-2P. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. RM (max): 0.2mA. RM (min): 0.2mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.99V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)

Corrente diretta (AV): 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 45V. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: B1045. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB