Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 2A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 30 v. Materiale semiconduttore: Sb. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Nota: 50App/8.3ms. Nota: Vf 0.55V

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 40V. Do: 110pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (max): 20mA. RM (min): 1mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.55V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm--50Ap (t=8.3ms)

Corrente diretta (AV): 2A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 50V. Materiale semiconduttore: Sb. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Nota: 50App/8.3ms. Nota: Vf 0.70V

Corrente diretta (AV): 2A. Corrente diretta (RMS): 50A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 60V. Do: 170pF. Materiale semiconduttore: Sb. RM (max): 10mA. RM (min): 1mA. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.70V. Numero di terminali: 2. Spec info: 50App / 8.3ms

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 40V. Do: 200pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (max): 10mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.55V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 60V. Do: 130pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.7V. Tensione diretta Vf (min): 0.7V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 100V. Do: 72pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (max): 2mA. RM (min): 0.1mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.85V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 150V. Do: 72pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (max): 2mA. RM (min): 0.1mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65°C...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms

Corrente diretta (AV): 5A. Corrente diretta (RMS): 150Ap / 8.3ms. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. VRRM: 60V. Do: 380pF. Materiale semiconduttore: Sb. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.7V. Numero di terminali: 2. Nota: RMS Rew--42V

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 150A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD DO-27 ( 5.2x9mm ). VRRM: 100V. Do: 400pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: SR5100. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 150Ap

Corrente diretta (AV): 5A. Corrente diretta (RMS): 120Ap / 8.3ms. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. VRRM: 20V. Do: 250pF. Materiale semiconduttore: Sb. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Numero di terminali: 2

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 150A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Do: 175pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Marcatura sulla cassa: SR5200. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 0.95V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 150Ap

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ). VRRM: 40V. Do: 100pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): SMA. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. RM (max): 20mA. RM (min): 1mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.6V. Tensione diretta Vf (min): 0.55V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AA (SMB) 4.57x3.94mm. VRRM: 40V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. RM (max): 20mA. RM (min): 500uA. Marcatura sulla cassa: SS34. Equivalenti: SS34B. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.5V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V. Numero di terminali: 2. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, montaggio superficiale. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms)

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. RM (max): 20mA. RM (min): 500uA. Marcatura sulla cassa: SS34. Equivalenti: SS34-E3/9AT. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.5V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V. Numero di terminali: 2. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, montaggio superficiale. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: SOD-123. VRRM: 40V. Custodia (secondo scheda tecnica): 425AB SMA (3.8x1.9mm). Do: 152pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 12 ns. Materiale semiconduttore: Sb. RM (max): 60mA. RM (min): 500uA. Marcatura sulla cassa: 34L. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.85V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V. Numero di terminali: 2. Nota: serigrafia/codice SMD 34L. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, montaggio superficiale. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms)

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 60V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. RM (max): 10mA. RM (min): 500uA. Marcatura sulla cassa: SS36. Equivalenti: SS36-E3/9AT. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.75V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V. Numero di terminali: 2. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, montaggio superficiale. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. RM (max): 20mA. RM (min): 200uA. Marcatura sulla cassa: SS54. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.6V. Tensione diretta Vf (min): 0.6V. Numero di terminali: 2. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, montaggio superficiale. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Corrente diretta (AV): 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. VRRM: 200V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: ->l<-. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--50A10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. VRRM: 200V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: ->l<-. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--80A10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky, assemblaggio SMD. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOD-123. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.5A. Ifsm [A]: 5.5A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 60V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 50uA..4mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 0.5V @ 0.5A

Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMA. Custodia (standard JEDEC): DO-214AC. Corrente diretta [A]: 1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky, assemblaggio SMD. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Ifsm [A]: 75A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 0.26V @ 1A. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 6 mA...15 mA

Corrente diretta (AV): 10A/diode. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Raddoppiare: Raddoppiare. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 0.65V. Tensione diretta Vf (min): 0.72V. Numero di terminali: 3. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. Unità di condizionamento: 50. Nota: doppio diodo al silicio. Spec info: total 20A, IFSM 180App (t=10ms)

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 250A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. VRRM: 100V. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Raddrizzatore Schottky di potenza ad alta tensione. RM (max): 2mA. RM (min): 4.5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.67V. Tensione diretta Vf (min): 0.56V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: IFSM--250Ap. Unità di condizionamento: 50. Spec info: tensione di isolamento 2000VDC, capacità 45pF

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 250A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore Schottky di potenza ad alta tensione. RM (max): 6mA. RM (min): 4.5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.67V. Tensione diretta Vf (min): 0.56V. Numero di terminali: 3. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. Unità di condizionamento: 50. Spec info: IFSM--250App, t=10mS