Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: SOD-123. Custodia (secondo scheda tecnica): 425AB SMA (3.8x1.9mm). VRRM: 40V. Do: 152pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 12 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, montaggio superficiale. Nota: serigrafia/codice SMD 34L. RM (max): 60mA. RM (min): 500uA. Marcatura sulla cassa: 34L. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.85V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. VRRM: 60V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, montaggio superficiale. RM (max): 10mA. RM (min): 500uA. Marcatura sulla cassa: SS36. Equivalenti: SS36-E3/9AT. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.75V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V

Corrente diretta (AV): 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. VRRM: 200V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: ->l<-. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--50A10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. VRRM: 200V. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: ->l<-. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--80A10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky, assemblaggio SMD. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOD-123. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.5A. Ifsm [A]: 5.5A. Tensione diretta Vfmax (V): 0.5V @ 0.5A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 60V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 50uA..4mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMA. Custodia (standard JEDEC): DO-214AC. Corrente diretta [A]: 1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky, assemblaggio SMD. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Ifsm [A]: 75A. Tensione diretta Vfmax (V): 0.26V @ 1A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 6 mA...15 mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Corrente diretta (AV): 10A/diode. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Raddoppiare: Raddoppiare. Nota: doppio diodo al silicio. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Spec info: total 20A, IFSM 180App (t=10ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 0.65V. Tensione diretta Vf (min): 0.72V

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 250A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. VRRM: 100V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Raddrizzatore Schottky di potenza ad alta tensione. Nota: IFSM--250Ap. RM (max): 2mA. RM (min): 4.5uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: tensione di isolamento 2000VDC, capacità 45pF. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.67V. Tensione diretta Vf (min): 0.56V

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 250A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore Schottky di potenza ad alta tensione. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 6mA. RM (min): 4.5uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--250App, t=10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.67V. Tensione diretta Vf (min): 0.56V

Corrente diretta (AV): 2A. Corrente diretta (RMS): 10A. IFSM: 50A / 10mS. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: "Schottky di potenza ad alta tensione". RM (max): 5mA. RM (min): 1uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 0.92V. Tensione diretta Vf (min): 0.65V

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 75A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 40V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: diodo raddrizzatore Schottky di potenza, bassa caduta di tensione. Nota: serigrafia/codice SMD GD4. RM (max): 80mA. RM (min): 220uA. Marcatura sulla cassa: GD4. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Spec info: IFSM--75Ap (tp =10ms). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 0.39V. Tensione diretta Vf (min): 0.25V

Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 220A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Doppio diodo Schottky. RM (max): 11mA. RM (min): 200uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--220Ap, t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.84V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 250A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore Schottky di potenza ad alta tensione. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. RM (max): 6mA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--250App, t=10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.74V. Tensione diretta Vf (min): 0.64V

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 75A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252A ( Dpak ). VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: "Schottky di potenza ad alta tensione". RM (max): 4.5mA. RM (min): 3.5uA. Marcatura sulla cassa: S5H100. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Spec info: 75App/10ms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.85V. Tensione diretta Vf (min): 0.57V

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 150A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. VRRM: 40V. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Raddrizzatore Schottky di potenza. RM (max): 0.75mA. RM (min): 0.2mA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Spec info: 150App / 10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 0.5V. Tensione diretta Vf (min): 0.38V

Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 270A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 170V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore Schottky di potenza ad alta tensione. Nota: IF(AV) 30A/diode, 60A/total. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--270App, t=10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.97V

Corrente diretta (AV): 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: "Schottky di potenza ad alta tensione". Nota: 250App/10ms. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 12A. IFSM: 110A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 28 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta tensione ultraveloce. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 110App/10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.75V. Tensione diretta Vf (min): 1.25V

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 55A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT TO-220AC. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra-fast diode. RM (max): 0.75mA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--55Ap (t=10ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.75V. Tensione diretta Vf (min): 1.25V

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 45A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 45 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo ultraveloce, alta tensione. RM (max): 0.3mA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Spec info: IFSM--45Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 2.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.35V

Corrente diretta (AV): 12A. IFSM: 80A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. RoHS: sì. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 48 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast recovery - high voltage diode. Marcatura sulla cassa: STTH1210D. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. Spec info: IFSM--80Ap T=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 2x100A. IFSM: 100A. Alloggiamento: ISOTOP ( SOT227B ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP. VRRM: 300V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 10. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 55 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Doppio diodo raddrizzatore ad alta tensione ultraveloce. RM (max): 2mA. RM (min): 200uA. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Spec info: IFSM--diode/100Ap t=10ms, TVJ=150°C. Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 0.8V

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 110A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 300V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ULTRA FAST DUAL DIODE. RM (max): 300uA. RM (min): 30uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 110A. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). VRRM: 300V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ULTRA FAST DUAL DIODE. RM (max): 300uA. RM (min): 30uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 110A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 300V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ULTRA FAST DUAL DIODE. RM (max): 300uA. RM (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V