Diodi standard e raddrizzatori

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (max): 20mA. RM (min): 500uA. Marcatura sulla cassa: SS34. Equivalenti: SS34B. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AA (SMB) 4.57x3.94mm. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.5V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Numero di terminali: 2. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, montaggio superficiale. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms)

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. RM (max): 20mA. RM (min): 500uA. Marcatura sulla cassa: SS34. Equivalenti: SS34-E3/9AT. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.5V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Numero di terminali: 2. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, montaggio superficiale. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Do: 152pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 12 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. RM (max): 60mA. RM (min): 500uA. Marcatura sulla cassa: 34L. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOD-123. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.85V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Numero di terminali: 2. Nota: serigrafia/codice SMD 34L. Custodia (secondo scheda tecnica): 425AB SMA (3.8x1.9mm). Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, montaggio superficiale. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms)

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. RM (max): 10mA. RM (min): 500uA. Marcatura sulla cassa: SS36. Equivalenti: SS36-E3/9AT. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.75V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V. VRRM: 60V. Numero di terminali: 2. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, montaggio superficiale. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 5A. Nota: ->l<-. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--50A10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. VRRM: 200V

Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 8A. Nota: ->l<-. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--80A10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. VRRM: 200V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky, assemblaggio SMD. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOD-123. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.5A. Ifsm [A]: 5.5A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 60V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 50uA..4mA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 0.5V @ 0.5A

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore Schottky, assemblaggio SMD. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SMA. Custodia (standard JEDEC): DO-214AC. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 1A. Ifsm [A]: 75A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 0.26V @ 1A. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 6 mA...15 mA

Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Raddoppiare: Raddoppiare. Corrente diretta (AV): 10A/diode. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tensione di soglia Vf (max): 0.65V. Tensione diretta Vf (min): 0.72V. VRRM: 45V. Numero di terminali: 3. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. Unità di condizionamento: 50. Nota: doppio diodo al silicio. Spec info: total 20A, IFSM 180App (t=10ms)

Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Raddrizzatore Schottky di potenza ad alta tensione. Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 250A. RM (max): 2mA. RM (min): 4.5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.67V. Tensione diretta Vf (min): 0.56V. VRRM: 100V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: IFSM--250Ap. Unità di condizionamento: 50. Spec info: tensione di isolamento 2000VDC, capacità 45pF

Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore Schottky di potenza ad alta tensione. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 250A. RM (max): 6mA. RM (min): 4.5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.67V. Tensione diretta Vf (min): 0.56V. VRRM: 100V. Numero di terminali: 3. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. Unità di condizionamento: 50. Spec info: IFSM--250App, t=10mS

Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: "Schottky di potenza ad alta tensione". Corrente diretta (AV): 2A. Corrente diretta (RMS): 10A. IFSM: 50A / 10mS. RM (max): 5mA. RM (min): 1uA. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. Tensione di soglia Vf (max): 0.92V. Tensione diretta Vf (min): 0.65V. VRRM: 100V. Numero di terminali: 2

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: diodo raddrizzatore Schottky di potenza, bassa caduta di tensione. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 75A. RM (max): 80mA. RM (min): 220uA. Marcatura sulla cassa: GD4. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ). Tensione di soglia Vf (max): 0.39V. Tensione diretta Vf (min): 0.25V. VRRM: 40V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD GD4. Spec info: IFSM--75Ap (tp =10ms)

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Doppio diodo Schottky. Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 220A. RM (max): 11mA. RM (min): 200uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.84V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V. VRRM: 45V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Spec info: IFSM--220Ap, t=10ms

Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore Schottky di potenza ad alta tensione. Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 250A. RM (max): 6mA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.74V. VRRM: 100V. Numero di terminali: 3. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. Tensione diretta Vf (min): 0.64V. Unità di condizionamento: 50. Spec info: IFSM--250App, t=10mS

Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: "Schottky di potenza ad alta tensione". Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 75A. RM (max): 4.5mA. RM (min): 3.5uA. Marcatura sulla cassa: S5H100. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252A ( Dpak ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.85V. Tensione diretta Vf (min): 0.57V. VRRM: 100V. Spec info: 75App/10ms

Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Raddrizzatore Schottky di potenza. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 150A. RM (max): 0.75mA. RM (min): 0.2mA. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. Tensione di soglia Vf (max): 0.5V. Tensione diretta Vf (min): 0.38V. VRRM: 40V. Numero di terminali: 2. Spec info: 150App / 10ms

Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore Schottky di potenza ad alta tensione. Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 270A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.97V. VRRM: 170V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: IF(AV) 30A/diode, 60A/total. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. Unità di condizionamento: 50. Spec info: IFSM--270App, t=10mS

Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 8A. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 100V. Nota: "Schottky di potenza ad alta tensione". Nota: 250App/10ms

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 28 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta tensione ultraveloce. Corrente diretta (AV): 12A. IFSM: 110A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Tensione di soglia Vf (max): 1.75V. Tensione diretta Vf (min): 1.25V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 110App/10ms

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra-fast diode. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 55A. RM (max): 0.75mA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.75V. Tensione diretta Vf (min): 1.25V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm--55Ap (t=10ms)

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 45 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 45A. RM (max): 0.3mA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Tensione di soglia Vf (max): 2.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.35V. VRRM: 1200V. Spec info: IFSM--45Ap. Funzione: Diodo ultraveloce, alta tensione

RoHS: sì. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 48 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast recovery - high voltage diode. Corrente diretta (AV): 12A. IFSM: 80A. Marcatura sulla cassa: STTH1210D. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--80Ap T=10ms

Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 10. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 55 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 2x100A. IFSM: 100A. RM (max): 2mA. RM (min): 200uA. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: vite. Alloggiamento: ISOTOP ( SOT227B ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 0.8V. VRRM: 300V. Spec info: IFSM--diode/100Ap t=10ms, TVJ=150°C. Funzione: Doppio diodo raddrizzatore ad alta tensione ultraveloce

Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ULTRA FAST DUAL DIODE. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 110A. RM (max): 300uA. RM (min): 30uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms