Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. Numero di terminali: 2. Unità di condizionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Corrente diretta (AV): 0.15A. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80. VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: Sb. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Nota: IFSM 0.75App/10ms

Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: 063. Corrente diretta [A]: 0.1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: diodo per piccoli segnali Montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Ifsm [A]: 2A. Tensione diretta Vfmax (V): 1V @ 100mA. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 75V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Alloggiamento: SMD 0805. Corrente diretta (AV): 150mA. IFSM: 500mA. VRRM: 100V. RoHS: sì. Do: 4pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi ad alta velocità. Altro nome: IN4148. RM (max): 50uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-123. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 45V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky a bassa tensione diretta, Montaggio superficiale (SMD). RM (max): 1mA. Marcatura sulla cassa: W3U45. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.47V. Tensione diretta Vf (min): 0.33V. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-123. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 60V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky a bassa tensione diretta, Montaggio superficiale (SMD). RM (max): 1mA. Marcatura sulla cassa: W3U60. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.58V. Tensione diretta Vf (min): 0.39V. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Corrente diretta (AV): 0.6A. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 150A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 600V. Do: 50pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra fast switching. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Ifsm [A]: 33A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 75 ns. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.7V @ 1A

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 150A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). VRRM: 500V. Do: 50pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 70 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Do: 35pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tr: 15 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.8V. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--80A/8.3ms

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Equivalenti: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. Numero di terminali: 2. Unità di condizionamento: 5000. Spec info: IFSM--30Ap

Corrente diretta (AV): 12A. IFSM: 265A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 1200V. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. RM (max): 12mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.88V. Tensione diretta Vf (min): 0.77V. Quantità per scatola: 1. Numero di terminali: 1. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 600A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC 3L. Do: 50pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Soft Recovery Diode. RM (max): 2mA. RM (min): 50uA. Equivalenti: 60APU04PBF, VS-60APU04PBF. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V. Spec info: piedinatura 60EPUxx 1

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 850A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-2 (TO-220AC). VRRM: 100V. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione diretta Vf (min): 0.72V

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 165A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky a doppia potenza. RM (max): 30mA. RM (min): 50uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.71V. Tensione diretta Vf (min): 0.48V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Spec info: IFSM--330A (t=10ms), 363A (t=8.3ms) / diode

Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: plastica. Nota: 0402-000491. Nota: 50Ap / 10ms