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Semiconduttori Diodi
Diodi standard e raddrizzatori

Diodi standard e raddrizzatori

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UG2D

UG2D

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15...
UG2D
Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Do: 35pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Spec info: IFSM--80A/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tr: 15 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.8V
UG2D
Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 80A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Do: 35pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Spec info: IFSM--80A/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tr: 15 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.8V
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US1M

US1M

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 100...
US1M
Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 5000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Equivalenti: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--30Ap. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V
US1M
Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 5000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Equivalenti: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--30Ap. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V
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VS-12F120

VS-12F120

Corrente diretta (AV): 12A. IFSM: 265A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda t...
VS-12F120
Corrente diretta (AV): 12A. IFSM: 265A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 1200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m5. RM (max): 12mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.88V. Tensione diretta Vf (min): 0.77V
VS-12F120
Corrente diretta (AV): 12A. IFSM: 265A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 1200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m5. RM (max): 12mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.88V. Tensione diretta Vf (min): 0.77V
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VS-60APU04-N3

VS-60APU04-N3

Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 600A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO...
VS-60APU04-N3
Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 600A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC 3L. Do: 50pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Soft Recovery Diode. RM (max): 2mA. RM (min): 50uA. Equivalenti: 60APU04PBF, VS-60APU04PBF. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: piedinatura 60EPUxx 1. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V
VS-60APU04-N3
Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 600A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC 3L. Do: 50pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Soft Recovery Diode. RM (max): 2mA. RM (min): 50uA. Equivalenti: 60APU04PBF, VS-60APU04PBF. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: piedinatura 60EPUxx 1. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V
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VS-8TQ100-M3

VS-8TQ100-M3

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 850A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-...
VS-8TQ100-M3
Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 850A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-2 (TO-220AC). VRRM: 100V. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione diretta Vf (min): 0.72V
VS-8TQ100-M3
Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 850A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-2 (TO-220AC). VRRM: 100V. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione diretta Vf (min): 0.72V
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WNS40100CQ

WNS40100CQ

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 165A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO...
WNS40100CQ
Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 165A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky a doppia potenza. RM (max): 30mA. RM (min): 50uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--330A (t=10ms), 363A (t=8.3ms) / diode. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.71V. Tensione diretta Vf (min): 0.48V
WNS40100CQ
Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 165A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky a doppia potenza. RM (max): 30mA. RM (min): 50uA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--330A (t=10ms), 363A (t=8.3ms) / diode. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.71V. Tensione diretta Vf (min): 0.48V
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YG911S2

YG911S2

Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: plastica. Nota: 0402...
YG911S2
Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: plastica. Nota: 0402-000491. Nota: 50Ap / 10ms
YG911S2
Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: plastica. Nota: 0402-000491. Nota: 50Ap / 10ms
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