Diodi standard e raddrizzatori

Do: 50pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 70 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 150A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V. VRRM: 500V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms

Do: 35pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 80A. RM (max): 200uA. RM (min): 5uA. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). Tr: 15 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.95V. Tensione diretta Vf (min): 0.8V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--80A/8.3ms

Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Equivalenti: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Custodia (secondo scheda tecnica): SMA (4.6x2.8 mm). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Unità di condizionamento: 5000. Spec info: IFSM--30Ap

Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Corrente diretta (AV): 12A. IFSM: 265A. RM (max): 12mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.88V. Tensione diretta Vf (min): 0.77V. VRRM: 1200V. Quantità per scatola: 1. Numero di terminali: 1. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Do: 50pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast Soft Recovery Diode. Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 600A. RM (max): 2mA. RM (min): 50uA. Equivalenti: 60APU04PBF, VS-60APU04PBF. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC 3L. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.87V. Spec info: piedinatura 60EPUxx 1

Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 850A. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-2 (TO-220AC). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione diretta Vf (min): 0.72V. VRRM: 100V

Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky a doppia potenza. Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 165A. RM (max): 30mA. RM (min): 50uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-3P. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.71V. Tensione diretta Vf (min): 0.48V. VRRM: 100V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Spec info: IFSM--330A (t=10ms), 363A (t=8.3ms) / diode

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 200V. Nota: plastica. Nota: 0402-000491. Nota: 50Ap / 10ms