Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 2A. Corrente diretta (RMS): 10A. IFSM: 50A / 10mS. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: "Schottky di potenza ad alta tensione". RM (max): 5mA. RM (min): 1uA. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 0.92V. Tensione diretta Vf (min): 0.65V. Numero di terminali: 2

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 75A. Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 40V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: diodo raddrizzatore Schottky di potenza, bassa caduta di tensione. RM (max): 80mA. RM (min): 220uA. Marcatura sulla cassa: GD4. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 0.39V. Tensione diretta Vf (min): 0.25V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD GD4. Spec info: IFSM--75Ap (tp =10ms)

Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 220A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Doppio diodo Schottky. RM (max): 11mA. RM (min): 200uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.84V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Spec info: IFSM--220Ap, t=10ms

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 250A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Condizionamento: tubo di plastica. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore Schottky di potenza ad alta tensione. RM (max): 6mA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.74V. Numero di terminali: 3. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. Tensione diretta Vf (min): 0.64V. Unità di condizionamento: 50. Spec info: IFSM--250App, t=10mS

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 75A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252A ( Dpak ). VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: "Schottky di potenza ad alta tensione". RM (max): 4.5mA. RM (min): 3.5uA. Marcatura sulla cassa: S5H100. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.85V. Tensione diretta Vf (min): 0.57V. Spec info: 75App/10ms

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 150A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD. VRRM: 40V. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Raddrizzatore Schottky di potenza. RM (max): 0.75mA. RM (min): 0.2mA. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 0.5V. Tensione diretta Vf (min): 0.38V. Numero di terminali: 2. Spec info: 150App / 10ms

Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 270A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 170V. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore Schottky di potenza ad alta tensione. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.97V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: IF(AV) 30A/diode, 60A/total. Nota: Diodo raddrizzatore Schottky. Unità di condizionamento: 50. Spec info: IFSM--270App, t=10mS

Corrente diretta (AV): 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: Sb. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Nota: "Schottky di potenza ad alta tensione". Nota: 250App/10ms

Corrente diretta (AV): 12A. IFSM: 110A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 28 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta tensione ultraveloce. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.75V. Tensione diretta Vf (min): 1.25V. Spec info: Ifsm 110App/10ms

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 55A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT TO-220AC. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra-fast diode. RM (max): 0.75mA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.75V. Tensione diretta Vf (min): 1.25V. Spec info: Ifsm--55Ap (t=10ms)

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 45A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 45 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 0.3mA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 2.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.35V. Spec info: IFSM--45Ap. Funzione: Diodo ultraveloce, alta tensione

Corrente diretta (AV): 12A. IFSM: 80A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. RoHS: sì. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 48 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast recovery - high voltage diode. Marcatura sulla cassa: STTH1210D. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--80Ap T=10ms

Corrente diretta (AV): 2x100A. IFSM: 100A. Alloggiamento: ISOTOP ( SOT227B ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOTOP. VRRM: 300V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 10. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 55 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 2mA. RM (min): 200uA. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 0.8V. Spec info: IFSM--diode/100Ap t=10ms, TVJ=150°C. Funzione: Doppio diodo raddrizzatore ad alta tensione ultraveloce

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 110A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. VRRM: 300V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ULTRA FAST DUAL DIODE. RM (max): 300uA. RM (min): 30uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 110A. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). VRRM: 300V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ULTRA FAST DUAL DIODE. RM (max): 300uA. RM (min): 30uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 110A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. VRRM: 300V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ULTRA FAST DUAL DIODE. RM (max): 300uA. RM (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 40A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: AXIAL TURBO 2 DIODE. Data di produzione: 201506. RM (max): 12uA. RM (min): 2uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--40App, t=10mS

Alloggiamento: DO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-247. Nota: Isolamento 2500V. Nota: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms. Nota: diodo ad alta tensione, recupero ultraveloce

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263. VRRM: 300V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo ultraveloce ad alta efficienza. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1.9V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta tensione ultraveloce. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.9V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS

Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 300A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta tensione ultraveloce. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.85V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--300Ap

Alloggiamento: TO-247. Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 330A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. VRRM: 200V. RoHS: sì. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 22 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo ultraveloce ad alta efficienza. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: +175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V. Spec info: Ifsm--330Ap t=10mS

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FPAC. VRRM: 200V. Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Marcatura sulla cassa: STTH802. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.8V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: diodi raddrizzatori ultraveloci (min 17ns, max 30ns). Unità di condizionamento: 50. Spec info: Ifsm 100Ap

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Condizionamento: rotolo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 400V. Condizionamento: rotolo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.25V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap