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Semiconduttori Diodi
Diodi standard e raddrizzatori

Diodi standard e raddrizzatori

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STTH2003CG

STTH2003CG

Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale s...
STTH2003CG
Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ULTRA FAST DUAL DIODE. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 110A. RM (max): 300uA. RM (min): 30uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms
STTH2003CG
Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ULTRA FAST DUAL DIODE. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 110A. RM (max): 300uA. RM (min): 30uA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms
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3.93€ IVA incl.
(3.22€ Iva esclusa)
3.93€
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STTH2003CT

STTH2003CT

Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale s...
STTH2003CT
Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ULTRA FAST DUAL DIODE. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 110A. RM (max): 300uA. RM (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms
STTH2003CT
Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ULTRA FAST DUAL DIODE. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 110A. RM (max): 300uA. RM (min): 20uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.85V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 110A t=10ms
Set da 1
4.67€ IVA incl.
(3.83€ Iva esclusa)
4.67€
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STTH2R06

STTH2R06

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale se...
STTH2R06
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: AXIAL TURBO 2 DIODE. Data di produzione: 201506. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 40A. RM (max): 12uA. RM (min): 2uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--40App, t=10mS
STTH2R06
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: AXIAL TURBO 2 DIODE. Data di produzione: 201506. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 40A. RM (max): 12uA. RM (min): 2uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--40App, t=10mS
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0.48€ IVA incl.
(0.39€ Iva esclusa)
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STTH3010W

STTH3010W

Nota: Isolamento 2500V. Nota: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms. Alloggiamento: DO-247. Custodia (secondo scheda...
STTH3010W
Nota: Isolamento 2500V. Nota: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms. Alloggiamento: DO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-247. Nota: diodo ad alta tensione, recupero ultraveloce
STTH3010W
Nota: Isolamento 2500V. Nota: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms. Alloggiamento: DO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-247. Nota: diodo ad alta tensione, recupero ultraveloce
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8.04€ IVA incl.
(6.59€ Iva esclusa)
8.04€
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STTH30R03CG

STTH30R03CG

Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale s...
STTH30R03CG
Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo ultraveloce ad alta efficienza. Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263. Tensione di soglia Vf (max): 1.9V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms
STTH30R03CG
Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo ultraveloce ad alta efficienza. Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263. Tensione di soglia Vf (max): 1.9V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 300V. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms
Set da 1
5.49€ IVA incl.
(4.50€ Iva esclusa)
5.49€
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STTH30R06CW

STTH30R06CW

Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale s...
STTH30R06CW
Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta tensione ultraveloce. Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tensione di soglia Vf (max): 1.9V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS
STTH30R06CW
Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta tensione ultraveloce. Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tensione di soglia Vf (max): 1.9V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS
Set da 1
10.64€ IVA incl.
(8.72€ Iva esclusa)
10.64€
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STTH30R06W

STTH30R06W

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale se...
STTH30R06W
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta tensione ultraveloce. Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 300A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.85V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--300Ap
STTH30R06W
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta tensione ultraveloce. Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 300A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.85V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--300Ap
Set da 1
5.38€ IVA incl.
(4.41€ Iva esclusa)
5.38€
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STTH6002CW

STTH6002CW

RoHS: sì. Alloggiamento: TO-247. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Di...
STTH6002CW
RoHS: sì. Alloggiamento: TO-247. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 22 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo ultraveloce ad alta efficienza. Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 330A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: +175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V. VRRM: 200V. Spec info: Ifsm--330Ap t=10mS
STTH6002CW
RoHS: sì. Alloggiamento: TO-247. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 22 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo ultraveloce ad alta efficienza. Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 330A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: +175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V. VRRM: 200V. Spec info: Ifsm--330Ap t=10mS
Set da 1
7.83€ IVA incl.
(6.42€ Iva esclusa)
7.83€
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STTH802FP

STTH802FP

Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Mat...
STTH802FP
Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Marcatura sulla cassa: STTH802. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FPAC. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.8V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: diodi raddrizzatori ultraveloci (min 17ns, max 30ns). Unità di condizionamento: 50. Spec info: Ifsm 100Ap
STTH802FP
Condizionamento: tubo di plastica. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Marcatura sulla cassa: STTH802. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FPAC. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.8V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: diodi raddrizzatori ultraveloci (min 17ns, max 30ns). Unità di condizionamento: 50. Spec info: Ifsm 100Ap
Set da 1
1.49€ IVA incl.
(1.22€ Iva esclusa)
1.49€
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SUF4003

SUF4003

Condizionamento: rotolo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale sem...
SUF4003
Condizionamento: rotolo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
SUF4003
Condizionamento: rotolo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
Set da 10
1.71€ IVA incl.
(1.40€ Iva esclusa)
1.71€
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SUF4004

SUF4004

Condizionamento: rotolo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale sem...
SUF4004
Condizionamento: rotolo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.25V. VRRM: 400V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
SUF4004
Condizionamento: rotolo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.25V. VRRM: 400V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
Set da 5
1.04€ IVA incl.
(0.85€ Iva esclusa)
1.04€
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SUF4007

SUF4007

Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (m...
SUF4007
Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Unità di condizionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
SUF4007
Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Unità di condizionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
Set da 10
1.68€ IVA incl.
(1.38€ Iva esclusa)
1.68€
Quantità in magazzino : 4131
TMMBAT46

TMMBAT46

Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 0.15A. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/in...
TMMBAT46
Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 0.15A. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80. VRRM: 100V. Numero di terminali: 2. Nota: IFSM 0.75App/10ms
TMMBAT46
Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 0.15A. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80. VRRM: 100V. Numero di terminali: 2. Nota: IFSM 0.75App/10ms
Set da 5
0.67€ IVA incl.
(0.55€ Iva esclusa)
0.67€
Quantità in magazzino : 26056
TS4148RYG

TS4148RYG

RoHS: sì. Alloggiamento: SMD 0805. Do: 4pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-...
TS4148RYG
RoHS: sì. Alloggiamento: SMD 0805. Do: 4pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi ad alta velocità. Corrente diretta (AV): 150mA. IFSM: 500mA. Altro nome: IN4148. RM (max): 50uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A
TS4148RYG
RoHS: sì. Alloggiamento: SMD 0805. Do: 4pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi ad alta velocità. Corrente diretta (AV): 150mA. IFSM: 500mA. Altro nome: IN4148. RM (max): 50uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A
Set da 10
0.50€ IVA incl.
(0.41€ Iva esclusa)
0.50€
Quantità in magazzino : 150
TSSW3U45

TSSW3U45

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzion...
TSSW3U45
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky a bassa tensione diretta, Montaggio superficiale (SMD). Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 50A. RM (max): 1mA. Marcatura sulla cassa: W3U45. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOD-123. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.47V. Tensione diretta Vf (min): 0.33V. VRRM: 45V. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)
TSSW3U45
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky a bassa tensione diretta, Montaggio superficiale (SMD). Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 50A. RM (max): 1mA. Marcatura sulla cassa: W3U45. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOD-123. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.47V. Tensione diretta Vf (min): 0.33V. VRRM: 45V. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)
Set da 1
0.63€ IVA incl.
(0.52€ Iva esclusa)
0.63€
Quantità in magazzino : 188
TSSW3U60

TSSW3U60

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzion...
TSSW3U60
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky a bassa tensione diretta, Montaggio superficiale (SMD). Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 50A. RM (max): 1mA. Marcatura sulla cassa: W3U60. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOD-123. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.58V. Tensione diretta Vf (min): 0.39V. VRRM: 60V. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)
TSSW3U60
Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky a bassa tensione diretta, Montaggio superficiale (SMD). Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 50A. RM (max): 1mA. Marcatura sulla cassa: W3U60. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOD-123. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.58V. Tensione diretta Vf (min): 0.39V. VRRM: 60V. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)
Set da 1
1.83€ IVA incl.
(1.50€ Iva esclusa)
1.83€
Quantità in magazzino : 137
TVR06J

TVR06J

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 0.6A. VRRM: 600V...
TVR06J
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 0.6A. VRRM: 600V
TVR06J
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 0.6A. VRRM: 600V
Set da 10
1.85€ IVA incl.
(1.52€ Iva esclusa)
1.85€
Quantità in magazzino : 37
UF108

UF108

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio ...
UF108
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 800V. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S
UF108
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 800V. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S
Set da 1
0.26€ IVA incl.
(0.21€ Iva esclusa)
0.26€
Quantità in magazzino : 1
UF3002M

UF3002M

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Assemblaggio/installazione: montaggio ...
UF3002M
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S
UF3002M
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S
Set da 1
0.54€ IVA incl.
(0.44€ Iva esclusa)
0.54€
Quantità in magazzino : 4
UF3004M

UF3004M

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Assemblaggio/installazione: montaggio ...
UF3004M
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S
UF3004M
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S
Set da 1
0.73€ IVA incl.
(0.60€ Iva esclusa)
0.73€
Quantità in magazzino : 100
UF3005M

UF3005M

Do: 50pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: si...
UF3005M
Do: 50pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra fast switching. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 150A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms
UF3005M
Do: 50pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra fast switching. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 150A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms
Set da 1
1.01€ IVA incl.
(0.83€ Iva esclusa)
1.01€
Quantità in magazzino : 466
UF4003

UF4003

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio ...
UF4003
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S
UF4003
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S
Set da 10
1.26€ IVA incl.
(1.03€ Iva esclusa)
1.26€
Quantità in magazzino : 285
UF4005

UF4005

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio ...
UF4005
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S
UF4005
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S
Set da 10
1.63€ IVA incl.
(1.34€ Iva esclusa)
1.63€
Quantità in magazzino : 682
UF4006

UF4006

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio ...
UF4006
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 800V. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S
UF4006
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 800V. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S
Set da 10
1.84€ IVA incl.
(1.51€ Iva esclusa)
1.84€
Quantità in magazzino : 43474
UF4007

UF4007

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio ...
UF4007
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 1000V. Ifsm [A]: 33A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 75 ns. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.7V @ 1A
UF4007
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 1000V. Ifsm [A]: 33A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 75 ns. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.7V @ 1A
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