Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 40A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: AXIAL TURBO 2 DIODE. Data di produzione: 201506. RM (max): 12uA. RM (min): 2uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--40App, t=10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Alloggiamento: DO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-247. Nota: Isolamento 2500V. Nota: diodo ad alta tensione, recupero ultraveloce. Nota: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263. VRRM: 300V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo ultraveloce ad alta efficienza. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1.9V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta tensione ultraveloce. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.9V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 300A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta tensione ultraveloce. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Spec info: IFSM--300Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.85V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 330A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 22 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo ultraveloce ad alta efficienza. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--330Ap t=10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: +175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FPAC. VRRM: 200V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodi raddrizzatori ultraveloci (min 17ns, max 30ns). Marcatura sulla cassa: STTH802. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 100Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 0.8V

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 5000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--27Ap. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 400V. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 5000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--27Ap. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1.25V

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 5000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--27Ap. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V

Corrente diretta (AV): 0.15A. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80. VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: IFSM 0.75App/10ms. Numero di terminali: 2. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: 063. Corrente diretta [A]: 0.1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: diodo per piccoli segnali Montaggio superficiale (SMD). Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Ifsm [A]: 2A. Tensione diretta Vfmax (V): 1V @ 100mA. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 75V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Alloggiamento: SMD 0805. Corrente diretta (AV): 150mA. IFSM: 500mA. VRRM: 100V. RoHS: sì. Do: 4pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi ad alta velocità. Altro nome: IN4148. RM (max): 50uA. RM (min): 25nA. Numero di terminali: 2. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-123. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 45V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky a bassa tensione diretta, Montaggio superficiale (SMD). RM (max): 1mA. Marcatura sulla cassa: W3U45. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.47V. Tensione diretta Vf (min): 0.33V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-123. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 60V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky a bassa tensione diretta, Montaggio superficiale (SMD). RM (max): 1mA. Marcatura sulla cassa: W3U60. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.58V. Tensione diretta Vf (min): 0.39V

Corrente diretta (AV): 0.6A. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI-S. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI-S. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI-S. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 150A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 600V. Do: 50pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra fast switching. Numero di terminali: 2. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI-S. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI-S. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 800V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI-S. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 1A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: GI-S. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Ifsm [A]: 33A. Tensione diretta Vfmax (V): 1.7V @ 1A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 75 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 150A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). VRRM: 500V. Do: 50pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 70 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ultraveloce. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V