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MUR820

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MUR820. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 25 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. Nota: diodo raddrizzatore ultraveloce. Marcatura sulla cassa: U820. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.975V. Tensione diretta Vf (min): 0.895V. Prodotto originale del produttore ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 01/08/2025, 00:25.

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Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. Nota: diodo raddrizzatore ultraveloce. Marcatura sulla cassa: U8100E. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V
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Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore di potenza, Per alimentatori switching. Nota: diodo raddrizzatore ultraveloce. Marcatura sulla cassa: U8100E. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.8V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V
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SB3200

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Numero di terminali: 6. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. All...
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