Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MUR15120L

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MUR15120L. Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 110A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Do: 55pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.9V. Numero di terminali: 2. Funzione: Diodo a recupero ultraveloce. Nota: diodo ultraveloce. Spec info: Ifsm 110Ap. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 19:25.

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Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 200A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO...
RHRP15120
Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 200A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Do: 55pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 65 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Hyperfast Diode. Nota: Diodo iperveloce. RM (max): 500uA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 3.2V. Tensione diretta Vf (min): 2.6V. Spec info: Ifsm--200Ap
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Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 200A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Do: 55pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 65 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Hyperfast Diode. Nota: Diodo iperveloce. RM (max): 500uA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 3.2V. Tensione diretta Vf (min): 2.6V. Spec info: Ifsm--200Ap
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