Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MUR15120L

MUR15120L
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MUR15120L. Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 110A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Do: 55pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo a recupero ultraveloce. Nota: diodo ultraveloce. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 110Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.9V. Prodotto originale del produttore Yangjie Electronic Technology. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 03:25.

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Esaurito
RHRP15120

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Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 200A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO...
RHRP15120
Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 200A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Do: 55pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 65 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Hyperfast Diode. Nota: Diodo iperveloce. RM (max): 500uA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--200Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 3.2V. Tensione diretta Vf (min): 2.6V
RHRP15120
Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 200A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Do: 55pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 65 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Hyperfast Diode. Nota: Diodo iperveloce. RM (max): 500uA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--200Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 3.2V. Tensione diretta Vf (min): 2.6V
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MOF1145JAFS2003

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Resistenza, 200k Ohms, 2W. Resistenza: 200k Ohms. Potenza: 2W. Tolleranza: 5%. Dimensioni: 5x15.5mm....
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Transistor a canale N, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=100°C): ...
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