Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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DSEI12-12A

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5 - 9 2.21€ 2.70€
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DSEI12-12A. Corrente diretta (AV): 11A. IFSM: 75A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Recupero veloce . Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 78W. RoHS: sì. Spec info: 75Ap t=10ms, TVJ=150°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Diodo epitassiale". Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.6V. Tensione diretta Vf (min): 2.2A. Prodotto originale del produttore IXYS. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 01:25.

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DSEP12-12A

DSEP12-12A

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 90A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-...
DSEP12-12A
Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 90A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 40 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo recupero graduale . RM (max): 0.5mA. RM (min): 100uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 95W. RoHS: sì. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.75V. Tensione diretta Vf (min): 1.79V
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TDA1558Q

TDA1558Q

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TDA1558Q
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