Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Alloggiamento: DO-34 ( SOD68 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-34 ( 1.6x3.04 ). VRRM: 50V. Do: 8pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky. Nota: Diodo Schottky di commutazione. RM (max): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 900mV. Tensione diretta Vf (min): 300mV

Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 50V. Do: 8pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 10000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. RM (max): 5uA. Marcatura sulla cassa: BTA86S. Numero di terminali: 2. Temperatura: +125°C. Dimensioni: 3.9x1.6mm. RoHS: sì. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 900mV. Tensione diretta Vf (min): 300mV

Alloggiamento: SOT23. VRRM: 100V. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.125A. Tipo di diodo: Switching. Tensione diretta (massima): <1.25V / 0.15A. Tipo di montaggio: SMD. Corrente di dispersione inversa: 500nA / 80V. Tempo di recupero inverso (max): 4ns. Serie: BAV

Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. RoHS: sì. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.9V. Do: 2pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Diodo Trr (min.): 0.6us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: doppio diodo a bassa dispersione. Data di produzione: 2014/49. RM (max): 80nA. RM (min): 5nA. Marcatura sulla cassa: JYs. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C

Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 250V. Do: 5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi per uso generale. Nota: S. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Alloggiamento: SOT23. VRRM: 70V. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.15A. Tipo di diodo: Switching. Tensione diretta (massima): <1.0V / 0.05A. Tipo di montaggio: SMD. Corrente di dispersione inversa: 30nA / 25V. Tempo di recupero inverso (max): 4ns. Serie: BAW

Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 1A. Alloggiamento: SOT-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT323. VRRM: 85V. RoHS: sì. Do: 2pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: anodo comune. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra High Speed Switching. Nota: serigrafia/codice SMD A1. RM (max): 50uA. RM (min): 0.15uA. Marcatura sulla cassa: A1. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.715V

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 155A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 90V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, conduttori assiali. RM (max): 20mA. RM (min): 5mA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.83V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V

Corrente diretta (AV): 0.5A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): 7.3x22mm. VRRM: 12000V. Do: 1.8pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta tensione. RM (max): 25uA. RM (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Dimensioni: 7.3x22mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Classe di infiammabilità: UL94V-0. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 10V

Custodia (secondo scheda tecnica): 7.3x22mm. VRRM: 16000V. Corrente diretta (AV): 0.3A. IFSM: 30A. RoHS: sì. Classe di infiammabilità: UL94V-0. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 15V. Do: 1pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore ad alta tensione. RM (max): 25uA. RM (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Dimensioni: 7.3x22mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 1.2A. VRRM: 50V. Materiale semiconduttore: silicio

Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 20A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 2000V. Quantità per scatola: 1. Diodo Tff(25°C): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 2uA. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.4V

Corrente diretta (AV): 0.75A. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore: silicio

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ). VRRM: 1500V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 2us. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 4.2x4.3mm. RM (max): 140uA. RM (min): 2uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V

VRRM: 1300V. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9x5.2mm ). RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 70A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 200V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST RECOVERY RECTIFIER. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifms 70Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 70A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 800V. RoHS: sì. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: FAST RECOVERY RECTIFIER. Numero di terminali: 2. Spec info: Ifms 70Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.5x5.6mm ). VRRM: 800V. Do: 65pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. RM (max): 150uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 200Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 12A. VRRM: 1500V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: 48...82kHz. Nota: Monitor CRT-GI. Nota: TO-220, SOD113 (custodia in plastica)

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. RM (max): 10uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. RM (max): 10uA. RM (min): uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50°C...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 800V. RoHS: sì. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. RM (max): 10uA. Numero di terminali: 2. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 300A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Silicon Rectifiers. RM (max): 20uA. RM (min): 20uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 300A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 20uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Alloggiamento: SOD-81. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-81. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Diodo raddrizzatore a recupero rapido". RM (max): 100uA. RM (min): 1uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.7V