Diodi standard e raddrizzatori

Struttura dielettrica: catodo comune. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Applicazioni mixer nella gamma VHF/UHF. Corrente diretta (AV): 30mA. RM (max): 1.25uA. RM (min): 0.25uA. Marcatura sulla cassa: 55s. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tensione di soglia Vf (max): 0.6V. Tensione diretta Vf (min): 0.2V. VRRM: 4 v. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: serigrafia/codice SMD 55s. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo di commutazione banda VHF/UHF. Corrente diretta (AV): 0.1A. Marcatura sulla cassa: A2. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. VRRM: 35V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: 0.8...1pF (f=1MHz), rD--0.5...0.7 Ohm

Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo di commutazione banda VHF/UHF 10MHz. Corrente diretta (AV): 0.1A. Marcatura sulla cassa: AUs. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf (tipo): 120ns. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V. VRRM: 35V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Spec info: 0.75...1pF (f=1MHz), rf--0.4...0.7 Ohm

Do: 7pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 4A. RM (max): 100uA. RM (min): 0.5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.65V. Tensione diretta Vf (min): 0.4V. VRRM: 30 v. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--4Ap (t=/10ms)

RoHS: sì. Do: 6pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): DO-35. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. Corrente diretta (AV): 150mA. IFSM: 750mA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.25V. VRRM: 100V. Spec info: IFSM 0.75Ap t=10ms

RoHS: sì. Do: 20pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 10 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky. Corrente diretta (AV): 350mA. IFSM: 7.5A. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.9V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Spec info: IFSM--7.5Ap t=10ms

Do: 10pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Doppio diodo Schottky. Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 600mA. RM (max): 2uA. Marcatura sulla cassa: L43 o W1. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 800mV. Tensione diretta Vf (min): 240mV. VRRM: 30 v. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms)

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Schottky al silicio. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOD-323. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.3A. Ifsm [A]: 1A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 40V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 1uA..100uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 5 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 0.4V @ 10mA

RoHS: sì. Do: 10pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Doppio diodo Schottky. Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 600mA. RM (max): 2uA. RM (min): 0.4V @ 10mA. Marcatura sulla cassa: L44 o V4. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 800mV. Tensione diretta Vf (min): 240mV. VRRM: 30 v. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms)

Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 20mA. Nota: IFSM 0.75App/10ms. Numero di terminali: 2. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOD-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-323. VRRM: 40V

Do: 1.6pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 10000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. Corrente diretta (AV): 30mA. IFSM: 0.5A. RM (max): 200nA. Marcatura sulla cassa: BAT83S. Numero di terminali: 2. Temperatura: +125°C. RoHS: sì. Passo: 1.6x3.9mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 330mV. VRRM: 60V. Spec info: IFMS 0.5Ap/10ms

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Schottky per piccoli segnali. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-34. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 5A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 2uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tensione diretta Vfmax (V): 0.4V @ 10mA

RoHS: sì. Do: 10pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 10000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. RM (max): 2uA. RM (min): 2uA. Marcatura sulla cassa: BAT85S. Numero di terminali: 2. Temperatura: +125°C. Passo: 1.6x3.9mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Tensione di soglia Vf (max): 800mV. Tensione diretta Vf (min): 240mV. VRRM: 30 v. Spec info: IFMS 5Ap/10ms

Do: 8pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky. Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Nota: Diodo Schottky di commutazione. RM (max): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-34 ( SOD68 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-34 ( 1.6x3.04 ). Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 900mV. Tensione diretta Vf (min): 300mV. VRRM: 50V. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms

Do: 8pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 10000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. RM (max): 5uA. Marcatura sulla cassa: BTA86S. Numero di terminali: 2. Temperatura: +125°C. Dimensioni: 3.9x1.6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Tensione di soglia Vf (max): 900mV. Tensione diretta Vf (min): 300mV. VRRM: 50V. Spec info: IFMS 5Ap/10ms

Do: 1.5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 250mA. IFSM: 1A. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.5x1.5mm ). Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 250V. Funzione: Diodi di commutazione per piccoli segnali, alta tensione

Do: 1.5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi per uso generale. Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 60V

Do: 1.5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi per uso generale. Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C

Do: 5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi per uso generale. Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Nota: S. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 250V

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 0.6A. Nota: Ifsm--4A/1uS. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35 ( 1.6x3.9mm ). VRRM: 75V. Nota: Diodo di commutazione per piccoli segnali

RoHS: sì. Do: 2pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: anodo comune. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra High Speed Switching. Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 1A. Nota: serigrafia/codice SMD A1. RM (max): 50uA. RM (min): 0.15uA. Marcatura sulla cassa: A1. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT323. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.715V. VRRM: 85V. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 0.115A. VRRM: 25V

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 0.115A. VRRM: 35V

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo a capacità variabile VHF. Corrente diretta (AV): 20mA. RM (max): 200nA. RM (min): 10nA. Capacità: 0.7pF. RoHS: sì. Banda di frequenza: VHF. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOD-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-323 ( 1.8x1.35mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. VRRM: 30 v. Numero di terminali: 2. Nota: Diodo varicap. Quantità per scatola: 1. Capacità: 17pF

Nota: Diodo varicap