Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 130mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 4 v. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Applicazioni mixer nella gamma VHF/UHF. Nota: serigrafia/codice SMD 54s. RM (max): 1.25uA. RM (min): 0.25uA. Marcatura sulla cassa: 54s. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.6V. Tensione diretta Vf (min): 0.2V

Corrente diretta (AV): 30mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. VRRM: 4 v. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Applicazioni mixer nella gamma VHF/UHF. Nota: serigrafia/codice SMD 55s. RM (max): 1.25uA. RM (min): 0.25uA. Marcatura sulla cassa: 55s. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 0.6V. Tensione diretta Vf (min): 0.2V

Corrente diretta (AV): 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. VRRM: 35V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo di commutazione banda VHF/UHF. Marcatura sulla cassa: A2. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Spec info: 0.8...1pF (f=1MHz), rD--0.5...0.7 Ohm. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1.2V

Corrente diretta (AV): 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. VRRM: 35V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo di commutazione banda VHF/UHF 10MHz. Marcatura sulla cassa: AUs. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Spec info: 0.75...1pF (f=1MHz), rf--0.4...0.7 Ohm. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf (tipo): 120ns. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V

Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 30 v. Do: 7pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. RM (max): 100uA. RM (min): 0.5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--4Ap (t=/10ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.65V. Tensione diretta Vf (min): 0.4V

Corrente diretta (AV): 150mA. IFSM: 750mA. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 100V. Do: 6pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): DO-35. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM 0.75Ap t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.25V

Corrente diretta (AV): 350mA. IFSM: 7.5A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 40V. Do: 20pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 10 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--7.5Ap t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.9V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V

Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Do: 10pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Doppio diodo Schottky. RM (max): 2uA. Marcatura sulla cassa: L43 o W1. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 800mV. Tensione diretta Vf (min): 240mV. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms)

Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOD-323. Corrente diretta [A]: 0.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Schottky al silicio. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Ifsm [A]: 1A. Tensione diretta Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 40V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 1uA..100uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 5 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Do: 10pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Doppio diodo Schottky. RM (max): 2uA. RM (min): 0.4V @ 10mA. Marcatura sulla cassa: L44 o V4. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 800mV. Tensione diretta Vf (min): 240mV

Corrente diretta (AV): 20mA. Alloggiamento: SOD-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-323. VRRM: 40V. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: IFSM 0.75App/10ms. Numero di terminali: 2. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD)

Corrente diretta (AV): 30mA. IFSM: 0.5A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 60V. Do: 1.6pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 10000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. RM (max): 200nA. Marcatura sulla cassa: BAT83S. Numero di terminali: 2. Temperatura: +125°C. RoHS: sì. Spec info: IFMS 0.5Ap/10ms. Passo: 1.6x3.9mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 330mV

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Schottky per piccoli segnali. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-34. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 5A. Tensione diretta Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 2uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 4 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 30 v. Do: 10pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 10000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. RM (max): 2uA. RM (min): 2uA. Marcatura sulla cassa: BAT85S. Numero di terminali: 2. Temperatura: +125°C. RoHS: sì. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Passo: 1.6x3.9mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 800mV. Tensione diretta Vf (min): 240mV

Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Alloggiamento: DO-34 ( SOD68 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-34 ( 1.6x3.04 ). VRRM: 50V. Do: 8pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky. Nota: Diodo Schottky di commutazione. RM (max): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 900mV. Tensione diretta Vf (min): 300mV

Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 50V. Do: 8pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 10000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. RM (max): 5uA. Marcatura sulla cassa: BTA86S. Numero di terminali: 2. Temperatura: +125°C. Dimensioni: 3.9x1.6mm. RoHS: sì. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 900mV. Tensione diretta Vf (min): 300mV

Corrente diretta (AV): 250mA. IFSM: 1A. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80 ( 3.5x1.5mm ). VRRM: 250V. Do: 1.5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi di commutazione per piccoli segnali, alta tensione. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 60V. Do: 1.5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi per uso generale. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 200V. Do: 1.5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi per uso generale. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 250V. Do: 5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodi per uso generale. Nota: S. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 0.6A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35 ( 1.6x3.9mm ). VRRM: 75V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Diodo di commutazione per piccoli segnali. Nota: Ifsm--4A/1uS. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 1A. Alloggiamento: SOT-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT323. VRRM: 85V. RoHS: sì. Do: 2pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: anodo comune. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra High Speed Switching. Nota: serigrafia/codice SMD A1. RM (max): 50uA. RM (min): 0.15uA. Marcatura sulla cassa: A1. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.715V

Corrente diretta (AV): 0.115A. VRRM: 25V. Materiale semiconduttore: silicio

Corrente diretta (AV): 0.115A. VRRM: 35V. Materiale semiconduttore: silicio

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 155A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 90V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, conduttori assiali. RM (max): 20mA. RM (min): 5mA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.83V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V