BY500-200
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.20€ | 0.24€ |
| 10 - 24 | 0.19€ | 0.23€ |
| 25 - 49 | 0.18€ | 0.22€ |
| 50 - 99 | 0.17€ | 0.21€ |
| 100 - 249 | 0.16€ | 0.20€ |
| 250 - 418 | 0.14€ | 0.17€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.20€ | 0.24€ |
| 10 - 24 | 0.19€ | 0.23€ |
| 25 - 49 | 0.18€ | 0.22€ |
| 50 - 99 | 0.17€ | 0.21€ |
| 100 - 249 | 0.16€ | 0.20€ |
| 250 - 418 | 0.14€ | 0.17€ |
Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!
BY500-200. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. RM (max): 10uA. RM (min): uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura di funzionamento: -50°C...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.
Prodotti equivalenti :
BY500-1000
Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. M...
Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. RM (max): 10uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. RM (max): 10uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
BY500-800
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Fu...
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. RM (max): 10uA. RM (min): 220A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. RM (max): 10uA. RM (min): 220A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
Consigliamo inoltre :
BC560B
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: hFE 200...450. C...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
IRF1404Z
C(in): 4340pF. Costo): 1030pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 28 ns....
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
2N6027
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: PUT.. Numero di terminali: 3....
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
ELC470UF200P-105-25X30-H
Tensione CC: 200V. Capacità: 470uF. Diametro: 25mm. Durata di vita: 2000 ore. Lunghezza: 30mm. Conf...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
KBU8M
Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. ...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BY500-1000
Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. M...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
MUR880
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75us. Materiale semiconduttore: silicio. Funz...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
PRW-10W-10K
Resistenza: 10k Ohms. Potenza: 10W. Tipo di resistore: avvolgimento del filo elettrico. Stabilità d...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
MOF1145JAFSR200
Resistenza: 0.20 Ohms. Potenza: 2W. Tolleranza: 5%. Dimensioni: 5x15.5mm. Tensione operativa massima...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
Informazioni e aiuto tecnico
Pagamento e consegna
Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!
Tutti i diritti riservati, RPtronics, 2024.