BY500-200
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.20€ | 0.24€ |
| 10 - 24 | 0.19€ | 0.23€ |
| 25 - 49 | 0.18€ | 0.22€ |
| 50 - 99 | 0.17€ | 0.21€ |
| 100 - 249 | 0.16€ | 0.20€ |
| 250 - 366 | 0.14€ | 0.17€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.20€ | 0.24€ |
| 10 - 24 | 0.19€ | 0.23€ |
| 25 - 49 | 0.18€ | 0.22€ |
| 50 - 99 | 0.17€ | 0.21€ |
| 100 - 249 | 0.16€ | 0.20€ |
| 250 - 366 | 0.14€ | 0.17€ |
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BY500-200. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. RM (max): 10uA. RM (min): uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50°C...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 06:25.
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Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. RM (max): 10uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. RM (max): 10uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
BY500-800
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Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 800V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo raddrizzatore veloce al silicio. RM (max): 10uA. RM (min): 220A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
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