Diodi standard e raddrizzatori

Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143. VRRM: 85V. Corrente diretta (AV): 215mA. IFSM: 1A. RoHS: sì. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.715V. Do: 1.5pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: indipendente. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Marcatura sulla cassa: JTp. Numero di terminali: 4. Temperatura: +150°C. Spec info: IFSM--t=1us 4Ap, t=1ms 1Ap.. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD)

Corrente diretta (AV): 0.5A. IFSM: 1A. Alloggiamento: SOD-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-323. VRRM: 85V. Do: 1.5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo ad alta velocità. Data di produzione: 2014/22. Marcatura sulla cassa: A6. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.715V

Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 70V. Do: 3pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 0.5uA. RM (min): 1nA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Spec info: IFSM--2Ap, t=1µs. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1V

Corrente diretta (AV): 120mA. IFSM: 0.6A. Alloggiamento: SOD-523. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-523. VRRM: 40V. Do: 4pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky, Montaggio superficiale. Marcatura sulla cassa: .W. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.38V

Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Do: 5pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky, Montaggio superficiale. Marcatura sulla cassa: 45. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.38V

Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Do: 5pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: anodo comune. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky, Montaggio superficiale. Marcatura sulla cassa: 46. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.38V

Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143B. VRRM: 40V. Do: 5pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: indipendente. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky, Montaggio superficiale. Marcatura sulla cassa: 47 s. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.38V

Corrente diretta (AV): 250mA. IFSM: 1A. Alloggiamento: DO-34 ( SOD68 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 125V. Do: 4pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 5000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1.5us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo a bassa dispersione. Nota: bassa corrente inversa. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V

VRRM: 70V. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.07A. Tipo di diodo: debole. Tensione diretta (massima): <1V / 0.015A. Tipo di montaggio: SMD. Corrente di dispersione inversa: 100nA / 50V. Tempo di recupero inverso (max): 5ns. Serie: BAS

VRRM: 30V. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.2A. Alloggiamento: 10pF. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80C. VRRM: 30 v. Tipo di diodo: debole. Configurazione del diodo: indipendente. Tensione diretta (massima): <0.80V / 0.1A. Tipo di montaggio: SMD. Corrente di dispersione inversa: 2uA / 25V. Serie: BAS. Tempo di recupero inverso (max): 2uA. Informazioni: 0.2uA. MSL: 200mW. RoHS: sì. Spec info: IFSM 0.6A t=1s. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.8V. Tensione diretta Vf (min): 0.24V

Corrente diretta (AV): 30mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. VRRM: 4 v. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Raddoppiare: NINCS. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Applicazioni mixer nella gamma VHF/UHF. Nota: serigrafia/codice SMD 53s. RM (max): 1.25uA. RM (min): 0.25uA. Marcatura sulla cassa: 53s. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 0.6V. Tensione diretta Vf (min): 0.2V

Corrente diretta (AV): 130mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 4 v. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Applicazioni mixer nella gamma VHF/UHF. Nota: serigrafia/codice SMD 54s. RM (max): 1.25uA. RM (min): 0.25uA. Marcatura sulla cassa: 54s. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.6V. Tensione diretta Vf (min): 0.2V

Corrente diretta (AV): 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. VRRM: 35V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo di commutazione banda VHF/UHF. Marcatura sulla cassa: A2. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Spec info: 0.8...1pF (f=1MHz), rD--0.5...0.7 Ohm. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1.2V

Corrente diretta (AV): 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. VRRM: 35V. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo di commutazione banda VHF/UHF 10MHz. Marcatura sulla cassa: AUs. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Diodo Schottky?: debole. Spec info: 0.75...1pF (f=1MHz), rf--0.4...0.7 Ohm. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf (tipo): 120ns. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 0.75V

VRRM: 100V. Corrente diretta (AV): 0.1A. IFSM: 0.75A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. RoHS: sì. Tensione diretta Vf (min): 0.4V. Do: 2pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. RM (max): 20uA. RM (min): 0.1uA. Numero di terminali: 2. Spec info: 750mAp t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 0.45V

Alloggiamento: DO35. VRRM: 30V. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.2A. Tipo di diodo: debole. Configurazione del diodo: indipendente. Tensione diretta (massima): <1V / 0.2A. Tipo di montaggio: THT. Corrente di dispersione inversa: 0.5uA / 25V. Tempo di recupero inverso (max): 5ns. Serie: BAT4. MSL: n/a

Alloggiamento: DO35. VRRM: 30V. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.2A. Tipo di diodo: debole. Configurazione del diodo: indipendente. Tensione diretta (massima): <0.33V / 2mA. Tipo di montaggio: THT. Corrente di dispersione inversa: 0.5uA / 25V. Tempo di recupero inverso (max): 5ns. Serie: BAT4. MSL: n/a

VRRM: 100V. Corrente diretta (AV): 150mA. IFSM: 750mA. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Do: 6pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM 0.75Ap t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.25V

Corrente diretta (AV): 350mA. IFSM: 7.5A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 40V. Do: 20pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 10 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky. RM (max): 50uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--7.5Ap t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.9V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V

Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Do: 10pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky. RM (max): 2uA. Marcatura sulla cassa: L4. Numero di terminali: 3. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 800mV. Tensione diretta Vf (min): 240mV

Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Do: 10pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: anodo comune. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Doppio diodo Schottky. RM (max): 2uA. Marcatura sulla cassa: L42 o V3. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 800mV. Tensione diretta Vf (min): 240mV

Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Do: 10pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Doppio diodo Schottky. RM (max): 2uA. Marcatura sulla cassa: L43 o W1. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 800mV. Tensione diretta Vf (min): 240mV

Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOD-323. Corrente diretta [A]: 0.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Schottky al silicio. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Ifsm [A]: 1A. Tensione diretta Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 40V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 1uA..100uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 5 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -40°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Corrente diretta (AV): 20mA. Alloggiamento: SOD-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-323. VRRM: 40V. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: IFSM 0.75App/10ms. Numero di terminali: 2. Diodo Schottky?: debole. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD)

Corrente diretta (AV): 30mA. IFSM: 0.5A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 60V. Do: 1.6pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 10000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. RM (max): 200nA. Marcatura sulla cassa: BAT83S. Numero di terminali: 2. Temperatura: +125°C. RoHS: sì. Spec info: IFMS 0.5Ap/10ms. Passo: 1.6x3.9mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 330mV