Diodi standard e raddrizzatori

Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 400V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 800V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 1500V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SILICON DIFFUSED TYPE. Nota: HOR.DEFLEC.OUTPUT COLOR TV. Nota: trr 0.6us

Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 800A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC 3L. VRRM: 200V. Do: 87pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 28 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di recupero graduale ultraveloce. RM (max): 2mA. RM (min): 50uA. Marcatura sulla cassa: 60APU02. Equivalenti: 60APU02PBF, VS-60APU02PBF. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Trr 35nS, IF=1.0A, dIF/dt=200A/us, VR=30V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.08V. Tensione diretta Vf (min): 0.98V

Corrente diretta (AV): 1.2A. VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SAMSUNG

Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 250A. Alloggiamento: R-6. Custodia (secondo scheda tecnica): R-6 ( 9.1x7.2mm ). VRRM: 1000V. Do: 60pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 2500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 100uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 6A10. Equivalenti: 6A100G-R0G. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--250Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 70A. Corrente diretta (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 1600V. Unità di condizionamento: 100dB. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Thread m6. RM (max): 4.5mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM 1000Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V

Corrente diretta (AV): 70A. Corrente diretta (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 800V. Unità di condizionamento: 100dB. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Thread m6. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Temperatura di funzionamento: -65...+180°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V

Corrente diretta (AV): 70A. Corrente diretta (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 1600V. Unità di condizionamento: 100dB. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Thread m6. RM (max): 4.5mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM 1000App / 10ms (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V

Corrente diretta (AV): 70A. Corrente diretta (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 800V. Unità di condizionamento: 100dB. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Thread m6. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -65...+180°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V

Corrente diretta (AV): 80A. IFSM: 800A. Custodia (secondo scheda tecnica): POWERTAB. VRRM: 400V. Do: 50pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di recupero graduale ultraveloce. RM (max): 2mA. RM (min): 50uA. RoHS: sì. Spec info: IFSM--800Ap (Tc--25). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.92V

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 155A / 50Hz, 180A / 60Hz. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 (5.4x7.5mm). VRRM: 50V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, conduttori assiali. RM (max): 20mA. RM (min): 0.5mA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: i2t--132Ap t<10us, TA=25°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AP. VRRM: 50V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER. Nota: SAMSUNG. RM (max): 5uA. RM (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: RG2A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFMS 50Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Alloggiamento: DO-41. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 400V. RoHS: sì. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C

Alloggiamento: DO-41. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 1000V. RoHS: sì. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V

Corrente diretta (AV): 0.1A. IFSM: 0.75A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23L. VRRM: 30 v. Do: 5pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: anodo comune. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. RM (max): 100mA. RM (min): 500nA. Marcatura sulla cassa: DB1. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--750mA t=10ms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.45V. Tensione diretta Vf (min): 0.26V

Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). VRRM: 75V. Do: 2pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 6 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo di commutazione. Nota: serigrafia/codice SMD A6s, A6t. RM (max): 50uA. RM (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: A6s. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 715mV

Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 625mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 250V. Do: 5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di commutazione ad alta tensione. Nota: serigrafia/codice SMD JS. RM (max): 100uA. RM (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: JS. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 70V. Do: 3pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 0.5uA. RM (min): 1nA. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Spec info: IFSM--2Ap, t=1µs. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1V

Corrente diretta (AV): 120mA. IFSM: 0.6A. Alloggiamento: SOD-523. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-523. VRRM: 40V. Do: 4pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky, Montaggio superficiale. Marcatura sulla cassa: .W. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.38V

Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Do: 5pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky, Montaggio superficiale. Marcatura sulla cassa: 45. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.38V

Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143B. VRRM: 40V. Do: 5pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: indipendente. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky, Montaggio superficiale. Marcatura sulla cassa: 47 s. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.38V

Corrente diretta (AV): 250mA. IFSM: 1A. Alloggiamento: DO-34 ( SOD68 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 125V. Do: 4pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 5000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 1.5us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo a bassa dispersione. Nota: bassa corrente inversa. Numero di terminali: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.78V

Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80C. VRRM: 30 v. Do: 10pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodi a barriera Schottky in vetro a commutazione rapida. RM (max): 2uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. RoHS: sì. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.8V. Tensione diretta Vf (min): 0.24V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Schottky per piccoli segnali, montaggio SMD. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOD80. Custodia (standard JEDEC): Sb. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 0.6A. Tensione diretta Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 0.2uA..2uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 5 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80C. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.8V. Tensione diretta Vf (min): 0.24V. VRRM: 30 v