Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

BAS85-GS08

BAS85-GS08
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Qnéuantità (Set da 5) Iva esclusa IVA incl.
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5 - 9 0.35€ 0.43€
10 - 19 0.35€ 0.43€
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Qnéuantità (Set da 5) U.P
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Set da 5

BAS85-GS08. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Schottky per piccoli segnali, montaggio SMD. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOD80. Custodia (standard JEDEC): Sb. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 0.6A. Tensione diretta Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 0.2uA..2uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 5 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80C. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.8V. Tensione diretta Vf (min): 0.24V. VRRM: 30 v. Prodotto originale del produttore Vishay. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 04:25.

Prodotti equivalenti :

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BAS85

BAS85

Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica):...
BAS85
Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80C. VRRM: 30 v. Do: 10pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodi a barriera Schottky in vetro a commutazione rapida. RM (max): 2uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. RoHS: sì. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.8V. Tensione diretta Vf (min): 0.24V
BAS85
Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Alloggiamento: 12.7k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-80C. VRRM: 30 v. Do: 10pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodi a barriera Schottky in vetro a commutazione rapida. RM (max): 2uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. RoHS: sì. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.8V. Tensione diretta Vf (min): 0.24V
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BAS85-GS08

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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo Schottky per piccoli segnali, montaggio SMD. Alloggiamento:...
BAS85-GS08
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BAS85-GS08
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VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda te...
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Capacità: 470nF. Tensione CC: 35V. Diametro: 4.5mm. Nota: condensatore al tantalio. Materiale del c...
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: diodo per piccoli segnali Montaggio superficiale (SMD). Alloggiam...
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SB5150

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Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 125A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-...
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RL1210JR-07-0R033

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RL1210JR-07-0R033
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Voltaggio: 35V. Capacità: 560nF. Nota: condensatore al tantalio...
TCAP560NF35V
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Quantità in magazzino : 230
RSF1WS-0R15

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Resistenza, 0.15 Ohms, 1W. Resistenza: 0.15 Ohms. Potenza: 1W. Tipo di resistore: strato metallico. ...
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