Qnéuantità (Set da 10) | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.63€ | 0.77€ |
5 - 9 | 0.60€ | 0.73€ |
10 - 24 | 0.57€ | 0.70€ |
25 - 49 | 0.53€ | 0.65€ |
50 - 55 | 0.50€ | 0.61€ |
Qnéuantità (Set da 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.63€ | 0.77€ |
5 - 9 | 0.60€ | 0.73€ |
10 - 24 | 0.57€ | 0.70€ |
25 - 49 | 0.53€ | 0.65€ |
50 - 55 | 0.50€ | 0.61€ |
BAS316. Corrente diretta (AV): 0.5A. IFSM: 1A. Alloggiamento: SOD-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-323. VRRM: 85V. Do: 1.5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo ad alta velocità. Data di produzione: 2014/22. Marcatura sulla cassa: A6. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.715V. Spec info: IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms). Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 06:25.
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