Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 1200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 1200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 1600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 4.5mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Temperatura di funzionamento: -65...+160°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V
Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 1600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 4.5mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Temperatura di funzionamento: -65...+160°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V
Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 1200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 1200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 400V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 400V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 800V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 800V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
Corrente diretta (AV): 80A. IFSM: 800A. Custodia (secondo scheda tecnica): POWERTAB. VRRM: 400V. Do: 50pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di recupero graduale ultraveloce. RM (max): 2mA. RM (min): 50uA. RoHS: sì. Spec info: IFSM--800Ap (Tc--25). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.92V
Corrente diretta (AV): 80A. IFSM: 800A. Custodia (secondo scheda tecnica): POWERTAB. VRRM: 400V. Do: 50pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di recupero graduale ultraveloce. RM (max): 2mA. RM (min): 50uA. RoHS: sì. Spec info: IFSM--800Ap (Tc--25). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.92V
VRRM: 30V. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.1A. Tipo di diodo: debole. Configurazione del dio...
VRRM: 30V. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.1A. Tipo di diodo: debole. Configurazione del diodo: indipendente. Tensione diretta (massima): <0.80V / 0.1A. Tipo di montaggio: SMD. Corrente di dispersione inversa: 0.5uA / 25V. Tempo di recupero inverso (max): 5ns. Serie: BAR
VRRM: 30V. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.1A. Tipo di diodo: debole. Configurazione del diodo: indipendente. Tensione diretta (massima): <0.80V / 0.1A. Tipo di montaggio: SMD. Corrente di dispersione inversa: 0.5uA / 25V. Tempo di recupero inverso (max): 5ns. Serie: BAR