Diodi standard e raddrizzatori

Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms

Do: 2pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Rilevazione VHF/UHF. Corrente diretta (AV): 15mA. RM (max): 0.2uA. RoHS: sì. Passo: 4.5x2mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.41V. VRRM: 70V. Numero di terminali: 2. Nota: Diodo Schottky. Quantità per scatola: 1. Spec info: f=1MHz 2pF

Do: 2pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Rilevazione VHF/UHF. Corrente diretta (AV): 15mA. RM (max): 0.2uA. Marcatura sulla cassa: SA. Dimensioni: 2.85x1.7x1.35mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOD-123. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD123. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.41V. VRRM: 70V. Numero di terminali: 2. Nota: Diodo Schottky. Quantità per scatola: 1. Spec info: f=1MHz 2pF

Do: 110pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 25A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.875V. Tensione diretta Vf (min): 0.55V. VRRM: 30 v. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms

Do: 50pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore Schottky. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 25A. RM (max): 1.5mA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: SL. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Potenza: 450mW. Alloggiamento: SOD-123. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.75V. Tensione diretta Vf (min): 0.32V. VRRM: 40V. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms

Do: 2.2pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Ultrafast switching. Corrente diretta (AV): 15mA. IFSM: 50mA. RM (max): 0.2uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Temperatura di funzionamento: -60...+200°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.41V. VRRM: 60V. Numero di terminali: 2. Nota: Diodo Schottky di commutazione. Nota: f=1MHz 2.2pF. Nota: Rilevazione VHF/UHF

Do: 4pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 300mA. IFSM: 4A. RM (max): 5uA. RM (min): 25nA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. Temperatura di funzionamento: 0...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 620mV. VRRM: 100V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15 ( 6.0x3.4mm ). VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Nota: Ifsm 10Ap. Nota: Raddrizzatori di potenza in modalità switching

Do: 2pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 130mA. IFSM: 400mA. RM (max): 0.5uA. Temperatura: +175°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-34 ( SOD68 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-34. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. VRRM: 80V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1

Do: 3pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 100mA. IFSM: 500mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOD-323. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-323 ( 1.7x1.25mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. VRRM: 80V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM 0.5A (t=1s)

Do: 720pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 310A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.25V. Vrm: 45V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Funzione: Schottky Barrier Rectifier Diode. Spec info: IFSM--310Ap 50Hz t=10ms, 350Ap 60Hz t=8.3ms

Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: 920App / 5us. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Nota: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky

Do: 340pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 340A. Nota: catodo comune. RM (max): 15mA. RM (min): 0.1mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.19V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 150V. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Spec info: IFSM--Max

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Nota: "Raddrizzatori a recupero rapido". Nota: 200App/10ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 200V

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Nota: "Raddrizzatori a recupero rapido". Nota: 200App/10ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 400V

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra-Fast Recovery. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 45A. RM (max): 100uA. RM (min): 20uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 5.6x10mm ). Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Tff(25°C): 200 ns. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. Nota: HIGH Speed Rectifier, (Fast Recovery). RM (max): 100uA. Marcatura sulla cassa: 3JU. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD 8x6mm. Tensione di soglia Vf (max): 2V. VRRM: 600V

Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: vite. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB ( DO-5 ). VRRM: 100V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: vite. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1200V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. RM (max): 4.5mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. Temperatura di funzionamento: -65...+160°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 1600V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: vite. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: vite. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: vite. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 1200V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)