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Semiconduttori Diodi
Diodi standard e raddrizzatori

Diodi standard e raddrizzatori

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20SQ045-3G

20SQ045-3G

Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 310A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO...
20SQ045-3G
Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 310A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). Vrm: 45V. Do: 720pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Schottky Barrier Rectifier Diode. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--310Ap 50Hz t=10ms, 350Ap 60Hz t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.25V
20SQ045-3G
Corrente diretta (AV): 20A. IFSM: 310A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). Vrm: 45V. Do: 720pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Schottky Barrier Rectifier Diode. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--310Ap 50Hz t=10ms, 350Ap 60Hz t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.25V
Set da 1
1.07€ IVA incl.
(0.88€ Iva esclusa)
1.07€
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30BQ100

30BQ100

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 800 A (tp=5us), 70 A (tp=10ms). Alloggiamento: DO-214. Custodia (se...
30BQ100
Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 800 A (tp=5us), 70 A (tp=10ms). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC (8,1x6,2x2,6 mm). VRRM: 100V. Do: 115pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. Marcatura sulla cassa: 3J. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0,96 V. Tensione diretta Vf (min): 0.62V
30BQ100
Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 800 A (tp=5us), 70 A (tp=10ms). Alloggiamento: DO-214. Custodia (secondo scheda tecnica): SMC (8,1x6,2x2,6 mm). VRRM: 100V. Do: 115pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. RM (max): 5mA. RM (min): 0.5mA. Marcatura sulla cassa: 3J. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0,96 V. Tensione diretta Vf (min): 0.62V
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0.54€ IVA incl.
(0.44€ Iva esclusa)
0.54€
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30CPQ100

30CPQ100

Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Quantità per scatola: 2. Strutt...
30CPQ100
Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Nota: 920App / 5us. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB
30CPQ100
Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Nota: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Nota: 920App / 5us. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB
Set da 1
3.48€ IVA incl.
(2.85€ Iva esclusa)
3.48€
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30CPQ150

30CPQ150

Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 340A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO...
30CPQ150
Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 340A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. VRRM: 150V. Do: 340pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Nota: catodo comune. RM (max): 15mA. RM (min): 0.1mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--Max. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.19V. Tensione diretta Vf (min): 1V
30CPQ150
Corrente diretta (AV): 15A. IFSM: 340A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. VRRM: 150V. Do: 340pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: catodo comune. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore a doppia barriera Schottky. Nota: catodo comune. RM (max): 15mA. RM (min): 0.1mA. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--Max. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.19V. Tensione diretta Vf (min): 1V
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3.65€ IVA incl.
(2.99€ Iva esclusa)
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30DF2

30DF2

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27( 5.5x9.5mm...
30DF2
Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: "Raddrizzatori a recupero rapido". Nota: 200App/10ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB
30DF2
Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: "Raddrizzatori a recupero rapido". Nota: 200App/10ms. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB
Set da 1
0.37€ IVA incl.
(0.30€ Iva esclusa)
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31DF6

31DF6

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 45A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-2...
31DF6
Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 45A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 5.6x10mm ). VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra-Fast Recovery. RM (max): 100uA. RM (min): 20uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V
31DF6
Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 45A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 5.6x10mm ). VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra-Fast Recovery. RM (max): 100uA. RM (min): 20uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V
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2.59€ IVA incl.
(2.12€ Iva esclusa)
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3JU41

3JU41

Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD 8x6mm....
3JU41
Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD 8x6mm. VRRM: 600V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Tff(25°C): 200 ns. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: HIGH Speed Rectifier, (Fast Recovery). RM (max): 100uA. Marcatura sulla cassa: 3JU. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 2V
3JU41
Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD 8x6mm. VRRM: 600V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Tff(25°C): 200 ns. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: HIGH Speed Rectifier, (Fast Recovery). RM (max): 100uA. Marcatura sulla cassa: 3JU. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 2V
Set da 1
0.92€ IVA incl.
(0.75€ Iva esclusa)
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40HF120

40HF120

Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ...
40HF120
Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 1200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
40HF120
Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 1200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
Set da 1
15.69€ IVA incl.
(12.86€ Iva esclusa)
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40HF160

40HF160

Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ...
40HF160
Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 1600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 4.5mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Temperatura di funzionamento: -65...+160°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V
40HF160
Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 1600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 4.5mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Temperatura di funzionamento: -65...+160°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V
Set da 1
16.59€ IVA incl.
(13.60€ Iva esclusa)
16.59€
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40HFR120

40HFR120

Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ...
40HFR120
Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 1200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
40HFR120
Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 1200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
Set da 1
15.58€ IVA incl.
(12.77€ Iva esclusa)
15.58€
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40HFR40

40HFR40

Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ...
40HFR40
Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 400V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
40HFR40
Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 400V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
Set da 1
9.58€ IVA incl.
(7.85€ Iva esclusa)
9.58€
Quantità in magazzino : 11
40HFR80

40HFR80

Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ...
40HFR80
Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 800V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
40HFR80
Corrente diretta (AV): 40A. Corrente diretta (RMS): 62A. IFSM: 570A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 800V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato all anodo. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata. Nota: Thread m6. RM (max): 9mA. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: vite. Temperatura di funzionamento: -65...+190°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
Set da 1
15.36€ IVA incl.
(12.59€ Iva esclusa)
15.36€
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5TUZ47

5TUZ47

Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 1500V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SILICON DIFFUSED TY...
5TUZ47
Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 1500V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SILICON DIFFUSED TYPE. Nota: HOR.DEFLEC.OUTPUT COLOR TV. Nota: trr 0.6us
5TUZ47
Corrente diretta (AV): 5A. VRRM: 1500V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SILICON DIFFUSED TYPE. Nota: HOR.DEFLEC.OUTPUT COLOR TV. Nota: trr 0.6us
Set da 1
0.88€ IVA incl.
(0.72€ Iva esclusa)
0.88€
Quantità in magazzino : 23
60APU02-N3

60APU02-N3

Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 800A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO...
60APU02-N3
Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 800A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC 3L. VRRM: 200V. Do: 87pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 28 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di recupero graduale ultraveloce. RM (max): 2mA. RM (min): 50uA. Marcatura sulla cassa: 60APU02. Equivalenti: 60APU02PBF, VS-60APU02PBF. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Trr 35nS, IF=1.0A, dIF/dt=200A/us, VR=30V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.08V. Tensione diretta Vf (min): 0.98V
60APU02-N3
Corrente diretta (AV): 60A. IFSM: 800A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC 3L. VRRM: 200V. Do: 87pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 28 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di recupero graduale ultraveloce. RM (max): 2mA. RM (min): 50uA. Marcatura sulla cassa: 60APU02. Equivalenti: 60APU02PBF, VS-60APU02PBF. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: Trr 35nS, IF=1.0A, dIF/dt=200A/us, VR=30V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.08V. Tensione diretta Vf (min): 0.98V
Set da 1
6.42€ IVA incl.
(5.26€ Iva esclusa)
6.42€
Quantità in magazzino : 16
62169213020

62169213020

Corrente diretta (AV): 1.2A. VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SAMSUNG...
62169213020
Corrente diretta (AV): 1.2A. VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SAMSUNG
62169213020
Corrente diretta (AV): 1.2A. VRRM: 400V. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: SAMSUNG
Set da 1
0.84€ IVA incl.
(0.69€ Iva esclusa)
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Esaurito
70HF80

70HF80

Corrente diretta (AV): 70A. Corrente diretta (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-...
70HF80
Corrente diretta (AV): 70A. Corrente diretta (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 800V. Unità di condizionamento: 100dB. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Thread m6. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Temperatura di funzionamento: -65...+180°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V
70HF80
Corrente diretta (AV): 70A. Corrente diretta (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Alloggiamento: DO-203AB ( DO-5 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-203AB. VRRM: 800V. Unità di condizionamento: 100dB. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: involucro collegato al catodo. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: Thread m6. Numero di terminali: 1. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Assemblaggio/installazione: fissaggio filettato. Temperatura di funzionamento: -65...+180°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 0.79V
Set da 1
17.48€ IVA incl.
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80EBU04

80EBU04

Corrente diretta (AV): 80A. IFSM: 800A. Custodia (secondo scheda tecnica): POWERTAB. VRRM: 400V. Do:...
80EBU04
Corrente diretta (AV): 80A. IFSM: 800A. Custodia (secondo scheda tecnica): POWERTAB. VRRM: 400V. Do: 50pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di recupero graduale ultraveloce. RM (max): 2mA. RM (min): 50uA. RoHS: sì. Spec info: IFSM--800Ap (Tc--25). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.92V
80EBU04
Corrente diretta (AV): 80A. IFSM: 800A. Custodia (secondo scheda tecnica): POWERTAB. VRRM: 400V. Do: 50pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di recupero graduale ultraveloce. RM (max): 2mA. RM (min): 50uA. RoHS: sì. Spec info: IFSM--800Ap (Tc--25). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.92V
Set da 1
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80SQ05

80SQ05

Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 155A / 50Hz, 180A / 60Hz. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo s...
80SQ05
Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 155A / 50Hz, 180A / 60Hz. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 (5.4x7.5mm). VRRM: 50V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, conduttori assiali. RM (max): 20mA. RM (min): 0.5mA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: i2t--132Ap t<10us, TA=25°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V
80SQ05
Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 155A / 50Hz, 180A / 60Hz. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 (5.4x7.5mm). VRRM: 50V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, conduttori assiali. RM (max): 20mA. RM (min): 0.5mA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: i2t--132Ap t<10us, TA=25°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V
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893-399016AB

893-399016AB

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-2...
893-399016AB
Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AP. VRRM: 50V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER. Nota: SAMSUNG. RM (max): 5uA. RM (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: RG2A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFMS 50Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
893-399016AB
Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-204. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-204AP. VRRM: 50V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER. Nota: SAMSUNG. RM (max): 5uA. RM (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: RG2A. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFMS 50Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
Set da 1
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BA157

BA157

Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41...
BA157
Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 400V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C
BA157
Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 400V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C
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BAR43

BAR43

VRRM: 30V. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.1A. Tipo di diodo: debole. Configurazione del dio...
BAR43
VRRM: 30V. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.1A. Tipo di diodo: debole. Configurazione del diodo: indipendente. Tensione diretta (massima): <0.80V / 0.1A. Tipo di montaggio: SMD. Corrente di dispersione inversa: 0.5uA / 25V. Tempo di recupero inverso (max): 5ns. Serie: BAR
BAR43
VRRM: 30V. Corrente raddrizzata media per diodo: 0.1A. Tipo di diodo: debole. Configurazione del diodo: indipendente. Tensione diretta (massima): <0.80V / 0.1A. Tipo di montaggio: SMD. Corrente di dispersione inversa: 0.5uA / 25V. Tempo di recupero inverso (max): 5ns. Serie: BAR
Set da 1
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BAR43A

BAR43A

Corrente diretta (AV): 0.1A. IFSM: 0.75A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda...
BAR43A
Corrente diretta (AV): 0.1A. IFSM: 0.75A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23L. VRRM: 30 v. Do: 5pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: anodo comune. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. RM (max): 100mA. RM (min): 500nA. Marcatura sulla cassa: DB1. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--750mA t=10ms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.45V. Tensione diretta Vf (min): 0.26V
BAR43A
Corrente diretta (AV): 0.1A. IFSM: 0.75A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23L. VRRM: 30 v. Do: 5pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: anodo comune. Diodo Trr (min.): 5 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. RM (max): 100mA. RM (min): 500nA. Marcatura sulla cassa: DB1. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--750mA t=10ms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.45V. Tensione diretta Vf (min): 0.26V
Set da 10
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BAS16

BAS16

Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 100V. C...
BAS16
Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 100V. Corrente diretta (AV): 215mA. IFSM: 1A. RoHS: sì. Spec info: IFSM--1A (T=1ms), 4A (T=1us). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 715mV. Do: 1.5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo di commutazione ad alta velocità. RM (max): 0.5uA. RM (min): 30nA. Marcatura sulla cassa: A6W. Numero di terminali: 3
BAS16
Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 100V. Corrente diretta (AV): 215mA. IFSM: 1A. RoHS: sì. Spec info: IFSM--1A (T=1ms), 4A (T=1us). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 715mV. Do: 1.5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo di commutazione ad alta velocità. RM (max): 0.5uA. RM (min): 30nA. Marcatura sulla cassa: A6W. Numero di terminali: 3
Set da 10
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BAS16LT-1

BAS16LT-1

Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo sched...
BAS16LT-1
Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). VRRM: 75V. Do: 2pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 6 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo di commutazione. Nota: serigrafia/codice SMD A6s, A6t. RM (max): 50uA. RM (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: A6s. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 715mV
BAS16LT-1
Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). VRRM: 75V. Do: 2pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 6 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo di commutazione. Nota: serigrafia/codice SMD A6s, A6t. RM (max): 50uA. RM (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: A6s. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 715mV
Set da 10
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(0.56€ Iva esclusa)
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BAS21

BAS21

Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 625mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo sched...
BAS21
Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 625mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 250V. Do: 5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di commutazione ad alta tensione. Nota: serigrafia/codice SMD JS. RM (max): 100uA. RM (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: JS. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V
BAS21
Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 625mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 250V. Do: 5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di commutazione ad alta tensione. Nota: serigrafia/codice SMD JS. RM (max): 100uA. RM (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: JS. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 1V
Set da 10
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