Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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3JU41

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3JU41. Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD 8x6mm. VRRM: 600V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Tff(25°C): 200 ns. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: HIGH Speed Rectifier, (Fast Recovery). RM (max): 100uA. Marcatura sulla cassa: 3JU. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 2V. Quantità in stock aggiornata il 19/04/2025, 23:25.

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UF5408

UF5408

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatur...
UF5408
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (standard JEDEC): silicio. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 75 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 800V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.7V @ 3A
UF5408
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (standard JEDEC): silicio. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 75 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 800V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.7V @ 3A
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31DF6

31DF6

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 45A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-2...
31DF6
Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 45A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 5.6x10mm ). VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra-Fast Recovery. RM (max): 100uA. RM (min): 20uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V
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Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 45A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 5.6x10mm ). VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra-Fast Recovery. RM (max): 100uA. RM (min): 20uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V
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UF3005M

UF3005M

Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 150A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-...
UF3005M
Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 150A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 600V. Do: 50pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra fast switching. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms
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Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 150A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 600V. Do: 50pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultra fast switching. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms
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Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di rettifica e commutazione molto veloce. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 80A. Alloggiamento: SOD-64 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di rettifica e commutazione molto veloce. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.4V. Tensione diretta Vf (min): 1.4V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)
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