80EBU04

Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 1	7.41€	9.04€
2 - 2	7.04€	8.59€
3 - 4	6.67€	8.14€
5 - 9	6.30€	7.69€
10 - 13	6.15€	7.50€

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80EBU04. Do: 50pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 80A. IFSM: 800A. RM (max): 2mA. RM (min): 50uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): POWERTAB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.92V. VRRM: 400V. Utilizzato per: può essere utilizzato anche per sistemi di pannelli solari. Spec info: IFSM--800Ap (Tc--25). Funzione: Diodo di recupero graduale ultraveloce. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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