80SQ05

80SQ05. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Corrente diretta (AV): 8A. RM (max): 20mA. RM (min): 0.5mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 (5.4x7.5mm). Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.55V. Tensione diretta Vf (min): 0.5V. VRRM: 50V. Numero di terminali: 2. IFSM: 155A / 50Hz, 180A / 60Hz. Funzione: Diodo raddrizzatore a barriera Schottky, conduttori assiali. Spec info: i2t--132Ap t<10us, TA=25°C. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.