Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BAS16

BAS16
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BAS16. Corrente diretta (AV): 215mA. IFSM: 1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 100V. Do: 1.5pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo di commutazione ad alta velocità. RM (max): 0.5uA. RM (min): 30nA. Marcatura sulla cassa: A6W. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 715mV. Spec info: IFSM--1A (T=1ms), 4A (T=1us). Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 02:25.

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Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). VRRM: 75V. Do: 2pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 6 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo di commutazione. Nota: serigrafia/codice SMD A6s, A6t. RM (max): 50uA. RM (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: A6s. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 715mV
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Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). VRRM: 75V. Do: 2pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 6 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: diodo di commutazione. Nota: serigrafia/codice SMD A6s, A6t. RM (max): 50uA. RM (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: A6s. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 715mV
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