Qnéuantità (Set da 10) | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 0.91€ | 1.11€ |
2 - 2 | 0.87€ | 1.06€ |
3 - 4 | 0.82€ | 1.00€ |
5 - 9 | 0.80€ | 0.98€ |
10 - 24 | 0.77€ | 0.94€ |
25 - 49 | 0.67€ | 0.82€ |
50 - 787 | 0.64€ | 0.78€ |
Qnéuantità (Set da 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.91€ | 1.11€ |
2 - 2 | 0.87€ | 1.06€ |
3 - 4 | 0.82€ | 1.00€ |
5 - 9 | 0.80€ | 0.98€ |
10 - 24 | 0.77€ | 0.94€ |
25 - 49 | 0.67€ | 0.82€ |
50 - 787 | 0.64€ | 0.78€ |
BAV199. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. Corrente diretta (AV): 200mA. IFSM: 500mA. RoHS: sì. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tensione di soglia Vf (max): 1.25V. Tensione diretta Vf (min): 0.9V. Do: 2pF. Quantità per scatola: 2. Struttura dielettrica: Anodo-catodo comune (punto medio). Diodo Trr (min.): 0.6us. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: doppio diodo a bassa dispersione. Data di produzione: 2014/49. RM (max): 80nA. RM (min): 5nA. Marcatura sulla cassa: JYs. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Prodotto originale del produttore Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 26/07/2025, 13:25.
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