Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

BAT86-133

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BAT86-133. Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Alloggiamento: DO-34 ( SOD68 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-34 ( 1.6x3.04 ). VRRM: 50V. Do: 8pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 4 ns. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky. Nota: Diodo Schottky di commutazione. RM (max): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 900mV. Tensione diretta Vf (min): 300mV. Prodotto originale del produttore Nxp Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 01/08/2025, 10:25.

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Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecn...
BAT86S
Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 50V. Do: 8pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 10000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. RM (max): 5uA. Marcatura sulla cassa: BTA86S. Numero di terminali: 2. Temperatura: +125°C. Dimensioni: 3.9x1.6mm. RoHS: sì. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 900mV. Tensione diretta Vf (min): 300mV
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Corrente diretta (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Alloggiamento: DO-35 ( SOD27 ). Custodia (secondo scheda tecnica): DO-35. VRRM: 50V. Do: 8pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 10000. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: Sb. Funzione: Diodo Schottky di commutazione. RM (max): 5uA. Marcatura sulla cassa: BTA86S. Numero di terminali: 2. Temperatura: +125°C. Dimensioni: 3.9x1.6mm. RoHS: sì. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 900mV. Tensione diretta Vf (min): 300mV
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