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BYD33D

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BYD33D. Corrente diretta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Alloggiamento: SOD-81. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-81. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Diodo raddrizzatore a recupero rapido". RM (max): 100uA. RM (min): 1uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 0.7V. Prodotto originale del produttore Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 26/07/2025, 20:25.

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Corrente diretta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Alloggiamento: SOD-81. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-81. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Diodo raddrizzatore a recupero rapido". Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 20Ap f=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V
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Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: DO-201. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-201AD 8x6mm....
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Alloggiamento: DO-201. VRRM: 60V. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Custodia (secondo scheda te...
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Corrente diretta (AV): 3A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9x5.3mm ...
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Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15. VRRM: 600V. Materiale semiconduttore...
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