Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BYD33M. Corrente diretta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Alloggiamento: SOD-81. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-81. VRRM: 1000V. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 100uA. RM (min): 1uA. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 06:25.

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BYT52M

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Corrente diretta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda te...
BYT52M
Corrente diretta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di commutazione e rettifica rapida. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tr: 200 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Numero di terminali: 2
BYT52M
Corrente diretta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di commutazione e rettifica rapida. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tr: 200 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Numero di terminali: 2
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Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-...
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Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15. VRRM: 1000V. Do: 25pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)
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Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15. VRRM: 1000V. Do: 25pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)
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1N5908

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Struttura dielettrica: unidirezionale. Materiale semiconduttore: silicio. Tensione di rottura: 5V. P...
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Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-...
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Esaurito
STF3NK80Z

STF3NK80Z

Transistor a canale N, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ...
STF3NK80Z
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TIP122

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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 5A, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB....
TIP122
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FR207

FR207

Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15...
FR207
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