Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BYD33M

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BYD33M. Corrente diretta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Alloggiamento: SOD-81. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-81. VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 100uA. RM (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Prodotto originale del produttore Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 05:25.

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BYT52M

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Corrente diretta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda te...
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Corrente diretta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di commutazione e rettifica rapida. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tr: 200 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V
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Corrente diretta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di commutazione e rettifica rapida. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tr: 200 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V
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Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15. VRRM: 1000V. Do: 25pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
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Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15. VRRM: 1000V. Do: 25pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 500 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V
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Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 60A. Alloggiamento: DO-15. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-15...
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