Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BYD33J

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1 - 1 1.39€ 1.70€
2 - 2 1.32€ 1.61€
3 - 4 1.25€ 1.53€
5 - 9 1.18€ 1.44€
10 - 24 1.11€ 1.35€
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BYD33J. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Diodo raddrizzatore a recupero rapido". Corrente diretta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-81. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-81. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: 20Ap f=10ms. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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BYD33M

BYD33M

Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Co...
BYD33M
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. RM (max): 100uA. RM (min): 1uA. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-81. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-81. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms
BYD33M
Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.3A. IFSM: 20A. RM (max): 100uA. RM (min): 1uA. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-81. Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-81. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms
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BYT52M

BYT52M

Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di commutazione e rettifica rapida. Corrente dire...
BYT52M
Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di commutazione e rettifica rapida. Corrente diretta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. Tr: 200 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2
BYT52M
Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Diodo di commutazione e rettifica rapida. Corrente diretta (AV): 1.4A. IFSM: 50A. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. Tr: 200 ns. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2
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