BYT30P-1000

BYT30P-1000. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 70 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 30A. IFSM: 200A. RM (max): 5mA. RM (min): 100uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.9V. Tensione diretta Vf (min): 1.8V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Nota: parte metallica collegata al catodo. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.