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BYV32E-200

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BYV32E-200. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ULTRA FAST. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 125A. Marcatura sulla cassa: BYV32E-200. Equivalenti: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT78 (TO-220AB). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.85V. Tensione diretta Vf (min): 0.72V. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: catodo comune. Spec info: Ifsm 125A t=10ms. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.

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Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Fu...
MUR1620CT
Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast SMPS. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (max): 250uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.975V. Tensione diretta Vf (min): 0.895V. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Spec info: Ifsm 100Ap
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Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast SMPS. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (max): 250uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.975V. Tensione diretta Vf (min): 0.895V. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Spec info: Ifsm 100Ap
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Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Fun...
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Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast SMPS. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: catodo comune. Spec info: Ifsm 100Ap
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Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast SMPS. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: catodo comune. Spec info: Ifsm 100Ap
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BYV32E-200

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Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Struttura dielettrica: catodo comu...
BYV32E-200
Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ULTRA FAST. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 125A. Marcatura sulla cassa: BYV32E-200. Equivalenti: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT78 (TO-220AB). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.85V. Tensione diretta Vf (min): 0.72V. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: catodo comune. Spec info: Ifsm 125A t=10ms
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Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 20 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: ULTRA FAST. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 125A. Marcatura sulla cassa: BYV32E-200. Equivalenti: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT78 (TO-220AB). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.85V. Tensione diretta Vf (min): 0.72V. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Nota: catodo comune. Spec info: Ifsm 125A t=10ms
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