Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. C(in): 7pF. Costo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Equivalenti: KSE350. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vebo: 3V

Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Nota: custodia in plastica. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V

Transistor NPN, 300V, 500mA, -300V, -0.5A, TO-126. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Tensione collettore-emettitore VCEO: -300V. Corrente del collettore: -0.5A. Alloggiamento: TO-126. Marcatura del produttore: MJE350G. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Potenza: 20W. Frequenza massima: 10MHz

Transistor NPN, 450/400V, -8A, TO-220AB. Tensione collettore-emettitore VCEO: 450/400V. Corrente del collettore: -8A. Alloggiamento: TO-220AB. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Potenza: 80W

Transistor NPN, -80V, -4A, TO-126. Tensione collettore-emettitore VCEO: -80V. Corrente del collettore: -4A. Alloggiamento: TO-126. Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: PNP. Tipo: transistor Darlington. Potenza: 40W. Frequenza massima: 1MHz. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 750

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 260V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.7pF. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: hFE 45(min). Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL3281A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 35 MHz. Funzione: Audio di potenza, bassa distorsione armonica. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 50. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL4281A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon Power Bipolar Transistor. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Transistor di potenza bipolare complementare. Data di produzione: 201446. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 50. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJW3281A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor bipolare di potenza. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 40V, 200mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 250 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Marcatura sulla cassa: 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. Spec info: SMD 2A. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf(massimo): 75 ns. Tf(min): 35 ns. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 150V, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 150V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2L. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: A6A. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.24W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: A6E. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.24W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92AMMO, 80V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92AMMO. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Spec info: transistor complementare (coppia) MPSA06. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.25V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 125 MHz. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 5000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, TO92, -300V. Alloggiamento: TO92. Tensione collettore-emettitore VCEO: -300V. Tipo: transistor per applicazioni a basso consumo. Polarità: PNP. Potenza: 0.625W. VCBO di tensione-base Collector: -300V. Tipo di montaggio: montaggio a foro passante su PCB. Larghezza di banda MHz: 70MHz. DC Collector/Base Gain Hfe Min.: 25. Serie: MPSA

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. C(in): 9pF. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: amplificatore di potenza audio. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) NJW0302. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226, 60V, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2907A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: A6A. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.24W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92, 25V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Diodo BE: NINCS. C(in): 11pF. Costo): 1.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 160. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.28V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP137. Dissipazione massima Ptot [W]: 70W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-247, -100V, 100V, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): -100V. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP147. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Costo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: Saturazione molto bassa VBE(sat) 0,9 V. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX653. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(massimo): 600 ns. Tf(min): 40 ns. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.17V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Saturazione molto bassa VBE(sat) 0,9 V. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 150. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX690. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 600 ns. Tf(min): 35us. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 70V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Saturazione molto bassa VBE(sat) 0,95 V. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 300. Ic(impulso): 4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(massimo): 750 ns. Tf(min): 35us. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.45V. Vebo: 5V