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Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V - MJE350-ST

Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V - MJE350-ST
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25 - 49 0.69€ 0.84€
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Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V - MJE350-ST. Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Nota: custodia in plastica. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V. Prodotto originale del produttore Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 01/08/2025, 10:25.

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Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126 ( TO-225 ), 500V. Corrente del collettore: 0.5...
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Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126 ( TO-225 ), 500V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 ( TO-225 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 500V. Diodo BE: NINCS. Costo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L, VID.. Equivalenti: KSE340. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE350. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V
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Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126 ( TO-225 ), 500V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 ( TO-225 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 500V. Diodo BE: NINCS. Costo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L, VID.. Equivalenti: KSE340. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE350. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V
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MJE350-ONS
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2SA1302

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IRFP140N

IRFP140N

Transistor a canale N, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 16A. ID (...
IRFP140N
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