Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
Semiconduttori Transistor
Transistor bipolari PNP

Transistor bipolari PNP

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BF479

BF479

Transistor NPN, 50mA, 30 v. Corrente del collettore: 50mA. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 ...
BF479
Transistor NPN, 50mA, 30 v. Corrente del collettore: 50mA. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Tipo di transistor: PNP
BF479
Transistor NPN, 50mA, 30 v. Corrente del collettore: 50mA. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Tipo di transistor: PNP
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BF506

BF506

Transistor NPN, 30mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 30mA. Alloggiamento: TO-92. Custod...
BF506
Transistor NPN, 30mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 30mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 550 MHz. Funzione: VHF-V. Guadagno hFE minimo: 25. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 35V. Vebo: 4 v
BF506
Transistor NPN, 30mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 30mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 550 MHz. Funzione: VHF-V. Guadagno hFE minimo: 25. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 35V. Vebo: 4 v
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BF623-DB

BF623-DB

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 250V, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD)....
BF623-DB
Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 250V, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: DB. Frequenza di taglio ft [MHz]: 60 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
BF623-DB
Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 250V, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: DB. Frequenza di taglio ft [MHz]: 60 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
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BF681

BF681

Transistor NPN, 0.03A, SOT-39, SOT-39, 40V. Corrente del collettore: 0.03A. Alloggiamento: SOT-39. C...
BF681
Transistor NPN, 0.03A, SOT-39, SOT-39, 40V. Corrente del collettore: 0.03A. Alloggiamento: SOT-39. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 900 MHz. Funzione: UHF-M/O. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP
BF681
Transistor NPN, 0.03A, SOT-39, SOT-39, 40V. Corrente del collettore: 0.03A. Alloggiamento: SOT-39. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 900 MHz. Funzione: UHF-M/O. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP
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BF821

BF821

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento:...
BF821
Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 1W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V
BF821
Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 1W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V
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BF968

BF968

Transistor NPN. Quantità per scatola: 1. Funzione: UHF-V...
BF968
Transistor NPN. Quantità per scatola: 1. Funzione: UHF-V
BF968
Transistor NPN. Quantità per scatola: 1. Funzione: UHF-V
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BFT93

BFT93

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 12V, 35mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). ...
BFT93
Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 12V, 35mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 12V. Corrente collettore Ic [A], max.: 35mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta frequenza. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: X1p. Frequenza di taglio ft [MHz]: 5GHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
BFT93
Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 12V, 35mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 12V. Corrente collettore Ic [A], max.: 35mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta frequenza. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: X1p. Frequenza di taglio ft [MHz]: 5GHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
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DTA114EK

DTA114EK

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( 2.9x1.6mm ), 50V. Corrente del collettore: 50mA. A...
DTA114EK
Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( 2.9x1.6mm ), 50V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( 2.9x1.6mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: Transistor digitale (resistenza di polarizzazione incorporata). Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 14. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 14. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V
DTA114EK
Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( 2.9x1.6mm ), 50V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( 2.9x1.6mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: Transistor digitale (resistenza di polarizzazione incorporata). Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 14. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 14. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V
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FZT949

FZT949

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 30 v, 5.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Allogg...
FZT949
Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 30 v, 5.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 5.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FZT949. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
FZT949
Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 30 v, 5.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 5.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FZT949. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
Set da 1
2.18€ IVA incl.
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KSB564A

KSB564A

Transistor NPN, 1A, 30 v. Corrente del collettore: 1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. D...
KSB564A
Transistor NPN, 1A, 30 v. Corrente del collettore: 1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 110 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Spec info: SAMSUNG. Tipo di transistor: PNP
KSB564A
Transistor NPN, 1A, 30 v. Corrente del collettore: 1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 110 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Spec info: SAMSUNG. Tipo di transistor: PNP
Set da 1
0.40€ IVA incl.
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KSP2907AC

KSP2907AC

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-92. Custod...
KSP2907AC
Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 75. Nota: piedinatura E, C, B. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
KSP2907AC
Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 75. Nota: piedinatura E, C, B. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
Set da 5
0.92€ IVA incl.
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KSR2001

KSR2001

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V....
KSR2001
Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S. Spec info: 0504-000142. Tipo di transistor: PNP
KSR2001
Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S. Spec info: 0504-000142. Tipo di transistor: PNP
Set da 1
1.06€ IVA incl.
(0.87€ Iva esclusa)
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KSR2004

KSR2004

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custod...
KSR2004
Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SW. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V
KSR2004
Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SW. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V
Set da 1
1.24€ IVA incl.
(1.02€ Iva esclusa)
1.24€
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KTA1266Y

KTA1266Y

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Cust...
KTA1266Y
Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Resistenza B: 10. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 10. Costo): 3.7pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: SWITCHING APPLICATION. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V
KTA1266Y
Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Resistenza B: 10. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 10. Costo): 3.7pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: SWITCHING APPLICATION. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V
Set da 1
5.54€ IVA incl.
(4.54€ Iva esclusa)
5.54€
Quantità in magazzino : 3
KTA1657

KTA1657

Transistor NPN, 1.5A, 150V. Corrente del collettore: 1.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150...
KTA1657
Transistor NPN, 1.5A, 150V. Corrente del collettore: 1.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: PNP
KTA1657
Transistor NPN, 1.5A, 150V. Corrente del collettore: 1.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: PNP
Set da 1
2.94€ IVA incl.
(2.41€ Iva esclusa)
2.94€
Esaurito
MJ11015G

MJ11015G

Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente del collettore: 30A. Alloggiamento: TO-3 ...
MJ11015G
Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente del collettore: 30A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Guadagno hFE minimo: 1000. Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ11016. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
MJ11015G
Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente del collettore: 30A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Guadagno hFE minimo: 1000. Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ11016. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
Set da 1
15.84€ IVA incl.
(12.98€ Iva esclusa)
15.84€
Quantità in magazzino : 10
MJ15004G

MJ15004G

Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Corrente del collettore: 20A. Alloggiamento: TO-3 ...
MJ15004G
Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Corrente del collettore: 20A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 70. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: transistor di potenza. Data di produzione: 2015/08. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 25. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15003. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
MJ15004G
Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Corrente del collettore: 20A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 70. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: transistor di potenza. Data di produzione: 2015/08. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 25. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15003. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
Set da 1
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5.53€
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MJ15016

MJ15016

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3 ...
MJ15016
Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 360pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 200V
MJ15016
Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 360pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 200V
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MJ15016G

MJ15016G

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, TO-204AA, 120V, 15A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiament...
MJ15016G
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, TO-204AA, 120V, 15A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta tensione. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ15016G. Frequenza di taglio ft [MHz]: 18 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 180W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C
MJ15016G
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, TO-204AA, 120V, 15A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta tensione. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ15016G. Frequenza di taglio ft [MHz]: 18 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 180W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C
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MJ15025G

MJ15025G

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, TO-204AA, 250V, 16A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiament...
MJ15025G
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, TO-204AA, 250V, 16A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 16A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta tensione. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ15025G. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C
MJ15025G
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, TO-204AA, 250V, 16A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 16A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta tensione. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ15025G. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C
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MJ21195

MJ21195

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Corrente del collettore: 16A. Alloggi...
MJ21195
Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204AA ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ21196. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V
MJ21195
Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204AA ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ21196. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V
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15.68€
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MJE15031

MJE15031

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custod...
MJE15031
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
MJE15031
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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MJE15033G

MJE15033G

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, TO-220, 250V, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento...
MJE15033G
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, TO-220, 250V, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta tensione. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE15033G. Frequenza di taglio ft [MHz]: 30 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
MJE15033G
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, TO-220, 250V, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta tensione. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE15033G. Frequenza di taglio ft [MHz]: 30 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
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MJE210G

MJE210G

Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento...
MJE210G
Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Costo): 120pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 65MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE200. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V
MJE210G
Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Costo): 120pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 65MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE200. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V
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MJE350

MJE350

Transistor NPN, saldatura PCB, SOT-32, TO-126, 300V, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. A...
MJE350
Transistor NPN, saldatura PCB, SOT-32, TO-126, 300V, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOT-32. Custodia (standard JEDEC): TO-126. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta tensione. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE350. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 240. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V
MJE350
Transistor NPN, saldatura PCB, SOT-32, TO-126, 300V, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOT-32. Custodia (standard JEDEC): TO-126. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta tensione. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE350. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 240. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V
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