Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 40V/32V, 2A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/32V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 120V, 1.5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: PNP Darlington Transistor. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 8W

Transistor NPN, saldatura PCB, M10/J, 100V, 4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M10/J. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 140. Nota: serigrafia/codice SMD BF. Marcatura sulla cassa: BF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1623S. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Driver a media potenza, solenoidi, relè e attuatori e moduli CC/CC. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Nota: serigrafia/codice SMD BF. Marcatura sulla cassa: BF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1623T. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89 (SC-62). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 32V. Diodo BE: NINCS. Costo): 20pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 390. Guadagno hFE minimo: 180. Marcatura sulla cassa: BA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Spec info: SMD BA0. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126ML. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 39pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: NF/SL. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1683. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.35V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, SC-67, 50V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-67. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Funzione: NF-E-L. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 60. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 95pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: High-Current switching, low-sat. Id(imp): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1804. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 20 ns. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V

Transistor NPN, 5A, 25V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 320 MHz. Funzione: Commutazione stroboscopica ad alta corrente. Nota: hFE 140...280. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Spec info: TO-251 (I-Pak). Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 3A, 110V. Corrente del collettore: 3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 110V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Nota: =4000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 1A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 32V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): ATV. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 32V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 390. Guadagno hFE minimo: 82. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: TU2. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V

Transistor NPN, 2A, 40V. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Nota: hFE 180...390. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: 2SB1240R. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 3A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 50V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): ATV. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Guadagno hFE massimo: 390. Guadagno hFE minimo: 82. Ic(impulso): 4.5A. Marcatura sulla cassa: B1243 (RN). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Tipo planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza a bassa frequenza. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1913. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 3A, 100V. Corrente del collettore: 3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: >2000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 6A, 120V. Corrente del collettore: 6A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 12 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Nota: =10000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 12 MHz. Guadagno hFE massimo: 10000. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1933. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 9 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1913. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TOP-3L. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: Ottimale per uscita Hi-Fi da 120 W. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 3500. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tripla diffusione planare tipo darlington . Tf(massimo): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: NF/L. Guadagno hFE massimo: 5000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2390. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 160V

Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN ( MT-100 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: 1. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz. Funzione: hFE 5000. Ic(impulso): A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2390. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2394. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 12A, 150V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: NF/L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2401. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 160V