Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, 0.5A, 40V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 2.5A, 35V. Corrente del collettore: 2.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 160 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza a bassa frequenza. Nota: Silicon PNP Epitaxial. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Spec info: transistor complementare (coppia). Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, D18/C, 80V, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D18/C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 1W

Transistor NPN, saldatura PCB, D35/B, 20V/15V, 200mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D35/B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V/15V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.05A, 80V. Corrente del collettore: 0.05A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.15W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.03A, 30 v. Corrente del collettore: 0.03A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 1A, 40V. Corrente del collettore: 1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 1A, 20V. Corrente del collettore: 1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 4W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L, 160V. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92L. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: NF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, D18/C, 40V/32V, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D18/C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/32V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.75W

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: audio/video. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Spec info: Altezza 9 mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: Processo PCT. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 80. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2235-Y. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2275. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 40V/32V, 2A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/32V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, saldatura PCB, M10/J, 100V, 4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M10/J. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 140. Nota: serigrafia/codice SMD BF. Marcatura sulla cassa: BF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1623S. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, SC-67, 50V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-67. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Funzione: NF-E-L. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 60. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 95pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: High-Current switching, low-sat. Id(imp): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1804. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 20 ns. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V

Transistor NPN, 3A, 110V. Corrente del collettore: 3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 110V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Nota: =4000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 1A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 32V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): ATV. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 32V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 390. Guadagno hFE minimo: 82. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: TU2. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V

Transistor NPN, 2A, 40V. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Nota: hFE 180...390. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: 2SB1240R. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 3A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 50V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): ATV. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Guadagno hFE massimo: 390. Guadagno hFE minimo: 82. Ic(impulso): 4.5A. Marcatura sulla cassa: B1243 (RN). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Tipo planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza a bassa frequenza. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1913. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 3A, 100V. Corrente del collettore: 3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: >2000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tipo di transistor: PNP