Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, 2A, TO-220FP, TO-220F, 150V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: TV-NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC4381. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 80V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE minimo: 50. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC4466. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V

Transistor NPN, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 50V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89 ( MTP3 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 36pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: NF, lo-sat. Guadagno hFE massimo: 270. Guadagno hFE minimo: 120. Ic(impulso): 5A. Marcatura sulla cassa: AG*. Equivalenti: LG 0TRRH80034A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC4672. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-10R1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Costo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 100. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC4793. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: TV, SL. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5171. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Diodo BE: NINCS. Costo): 320pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Marcatura sulla cassa: A1941. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5198. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Costo): 360pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Marcatura sulla cassa: A1943 (O). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5200. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 25 MHz. Funzione: NF-HI-FI. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5242. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, 230V. Corrente del collettore: 15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5359. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 50V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: convertitore DC-DC, alimentatore TFT. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5707. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ), 50V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: convertitore DC-DC, alimentatore TFT. Ic(impulso): 11A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5707. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 20A, TO-220FP, TO-220F-3SG, 50V. Corrente del collettore: 20A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F-3SG. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: Driver relè, driver lampada, driver motore. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 150. Ic(impulso): 25A. Marcatura sulla cassa: A2210. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC6082. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Vebo: 6V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-1, 20V, 10mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-1. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.05W

Transistor NPN, 0.4A, 40V. Corrente del collettore: 0.4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-98, 35V/30V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-98. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V/30V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.4A, 30 v. Corrente del collettore: 0.4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Funzione: uso generale. Nota: hFE 70...140. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Spec info: 2SA562-O. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.4A, 30 v. Corrente del collettore: 0.4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Funzione: uso generale. Nota: hFE 120...240. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Spec info: KTA562-Y. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-18, 60V/40V, 200mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-18. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 160. Id(imp): 0.4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 30V/25V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 60V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, 0.5A, 40V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 65V/60V, 300mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 65V/60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 2.5A, 35V. Corrente del collettore: 2.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 160 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza a bassa frequenza. Nota: Silicon PNP Epitaxial. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Spec info: transistor complementare (coppia). Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 30V/25V, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W