Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V - 2SB1123S

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V - 2SB1123S
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Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V - 2SB1123S. Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 140. Nota: serigrafia/codice SMD BF. Marcatura sulla cassa: BF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1623S. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Prodotto originale del produttore Sanyo. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 23:25.

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Transistor NPN, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 50V. Corrente del collettore: 2A. Allog...
2SA1797Q
Transistor NPN, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 50V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89 ( MTP3 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 36pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: NF, lo-sat. Guadagno hFE massimo: 270. Guadagno hFE minimo: 120. Ic(impulso): 5A. Marcatura sulla cassa: AG*. Equivalenti: LG 0TRRH80034A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC4672. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 50V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89 ( MTP3 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 36pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: NF, lo-sat. Guadagno hFE massimo: 270. Guadagno hFE minimo: 120. Ic(impulso): 5A. Marcatura sulla cassa: AG*. Equivalenti: LG 0TRRH80034A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC4672. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V
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Funzione: Tiristore con gate a livello logico. Igt (massimo): 0.2mA. Igt (tipo): 0.05mA. Ih (max): 5...
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