Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 150V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 130. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: A1123. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo di pialla epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 115V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 15A. Marcatura sulla cassa: A1141. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V

Transistor NPN, 0.1A, 180V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.05A, 150V. Corrente del collettore: 0.05A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Funzione: VCE(sat) 2V max. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2706. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 35V/30V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V/30V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Resistenza B: 47. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 47. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: uso generale. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.05A, 80V. Corrente del collettore: 0.05A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.07A, TO-92, SANYO--MP, 160V. Corrente del collettore: 0.07A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): SANYO--MP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: commutazione ad alta tensione . Ic(impulso): 0.14A. Nota: Altezza 9 mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2910. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.14V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-5K1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 40pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Marcatura sulla cassa: NY. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: serigrafia / codice SMD NY. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, D3/B, 30V/20V, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D3/B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 140V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO3P ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI, NF-E. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3182. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 35 MHz. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3263. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), MT-100, 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): MT-100. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Costo): 500pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 35 MHz. Funzione: Audio HI-FI. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 50. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3263. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tf(massimo): 1.5us. Tf(min): 0.35us. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 17A, 230V. Corrente del collettore: 17A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 35 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3264. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 160V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HIFI-NF-E. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3280. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HIFI-NF-E. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3281. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Corrente del collettore: 14A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3284. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 160V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3298. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Io-sab. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3299. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F (2-8A1H). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3421Y. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.05A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 2-8H1A, 150V. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-8H1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 80. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3423. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. C(in): 1.7pF. Costo): 2.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: video. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 50V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 50V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W