Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Diodo BE: NINCS. C(in): 100pF. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 15. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6517. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 60V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: S-L, Low-sat. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2562. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 60. Marcatura sulla cassa: A1013. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2383. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 160. Marcatura sulla cassa: A1013-Y. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2383. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92, 2-5F1B. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC1162. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+125°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: hFE.120-240. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Marcatura sulla cassa: 1015 Y. Numero di terminali: 3. Temperatura: +125°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC1815Y. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+125°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, RM-60, 120V, 12A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: RM-60. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 12A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 120W

Transistor NPN, 10A, 140V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2581. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, 200V, 17A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 200V. Corrente collettore Ic [A], max.: 17A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 35V, 5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2SA1120. Frequenza di taglio ft [MHz]: 170 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 150V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 130. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: A1123. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo di pialla epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 60V/55V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/55V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 115V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 90 MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 15A. Marcatura sulla cassa: A1141. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V

Transistor NPN, 0.1A, 180V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.05A, 150V. Corrente del collettore: 0.05A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Nota: 9mm. Marcatura sulla cassa: A1145 O. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2705. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Funzione: VCE(sat) 2V max. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2706. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 35V/30V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V/30V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Resistenza B: 47. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 47. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: uso generale. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, D6/C, 30V/20V, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D6/C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-236, 55V/50V, 150mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 55V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.05A, 80V. Corrente del collettore: 0.05A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-89, 150V, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 150V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 0.07A, TO-92, SANYO--MP, 160V. Corrente del collettore: 0.07A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): SANYO--MP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: commutazione ad alta tensione . Ic(impulso): 0.14A. Nota: Altezza 9 mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2910. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.14V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-5K1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 40pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Marcatura sulla cassa: NY. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: serigrafia / codice SMD NY. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V