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Transistor NPN, 0.07A, TO-92, SANYO--MP, 160V - 2SA1208

Transistor NPN, 0.07A, TO-92, SANYO--MP, 160V - 2SA1208
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Transistor NPN, 0.07A, TO-92, SANYO--MP, 160V - 2SA1208. Transistor NPN, 0.07A, TO-92, SANYO--MP, 160V. Corrente del collettore: 0.07A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): SANYO--MP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: commutazione ad alta tensione . Ic(impulso): 0.14A. Nota: Altezza 9 mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2910. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.14V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V. Prodotto originale del produttore Sanyo. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 09:25.

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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. C(in): 1.7pF. Costo): 2.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: video. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. C(in): 1.7pF. Costo): 2.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: video. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V
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